芯耀
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隨著新能源汽車、光伏儲能、智能制造的興起，功率半導體成為各領域關鍵技術。本文梳理了揚杰科技、斯達半導體、士蘭微、東微半導、芯導科技、新潔能、華潤微、捷捷微電、安世半導體、蘇州固锝、中車時代電氣、芯朋微等國內領先廠商的研發(fā)方向和技術布局，幫助各位快速洞察產(chǎn)業(yè)趨勢。
一、揚杰科技：全面布局SiC/GaN，車規(guī)模塊搶占高端
揚杰科技以垂直IDM模式涵蓋二極管、MOSFET、IGBT，建立SiC/GaN研發(fā)團隊，已量產(chǎn)SiC MOSFET、肖特基二極管，GaN器件積極專利布局；采用銀燒結、Clip封裝技術，進軍汽車電子、新能源發(fā)電儲能、工業(yè)控制領域。2023年研發(fā)投入占營收比達6.5%，布局多個SiC/GaN專利。
二、斯達半導體：IGBT模塊國內領先，SiC加速車規(guī)應用
斯達專注IGBT模塊，推出第七代溝槽IGBT芯片通過車規(guī)認證量產(chǎn)；布局新能源汽車SiC模塊，采用高可靠燒結封裝工藝，廣泛應用于新能源車主驅、軌道交通、工業(yè)控制等領域。
三、士蘭微：IDM模式全鏈布局，SiC器件率先量產(chǎn)
士蘭微擁有6/8寸晶圓產(chǎn)線，自主研發(fā)二代SiC MOSFET批量供車企，第三代溝槽型SiC MOSFET啟動研發(fā)；同時布局車載GaN器件；掌握SiC模塊封裝能力，產(chǎn)品應用擴展至新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源，2024年研發(fā)投入持續(xù)攀升。
四、東微半導：Fabless模式精進MOSFET技術，布局寬禁帶材料
東微深耕MOSFET/IGBT設計，推出高壓超結、屏蔽柵MOSFET和IGBT，布局SiC/GaN產(chǎn)品研發(fā)；創(chuàng)新GreenMOS技術逼近GaN性能，廣泛應用于新能源汽車、5G基站、工業(yè)控制、光伏儲能等市場。
五、芯導科技：“功率器件+IC”雙引擎，GaN布局領先
芯導產(chǎn)品覆蓋MOSFET、IGBT單管和TVS防護器件；650V增強型GaN FET實現(xiàn)量產(chǎn)，1200V SiC MOSFET進入市場驗證階段，應用消費電子、新能源汽車、工業(yè)控制領域，GaN功率模塊集成度行業(yè)領先。
六、新潔能：Fabless龍頭進軍第三代半導體，SiC/GaN新品不斷
新潔能依托12寸平臺量產(chǎn)溝槽MOSFET，SiC MOSFET與GaN HEMT實現(xiàn)工程化生產(chǎn)，小規(guī)模銷售中，產(chǎn)品主要針對手機快充、工業(yè)電源、新能源車OBC等高性能應用。
七、華潤微：國內最大功率半導體IDM，SiC產(chǎn)業(yè)化領先一步
華潤微建立首條商用6寸SiC晶圓產(chǎn)線并穩(wěn)定量產(chǎn)SiC MOSFET、二極管；GaN功率器件已規(guī)模商用，產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、電力變換、5G通信電源；研發(fā)投入高、專利積累豐富。
八、捷捷微電：傳統(tǒng)優(yōu)勢向IGBT/SiC延伸，第二成長曲線啟動
捷捷微電從晶閘管、防護器件擴展至MOSFET和IGBT，完成SiC MOSFET芯片研發(fā)，產(chǎn)品延伸到汽車、光伏儲能領域；2024年研發(fā)投入占營收超10%，開啟新增長階段。
九、安世半導體：MOS管全球領跑者，雙技術路線并進
原NXP標準件業(yè)務，全球領先的MOSFET、邏輯器件廠商，推出650V增強型與級聯(lián)GaN器件并車規(guī)認證，1200V SiC MOSFET上市；封裝創(chuàng)新，廣泛應用新能源汽車、通信電源等高端市場。
十、蘇州固锝：老牌分立器件廠商，發(fā)力車規(guī)SiC市場
蘇州固锝原主營整流橋、二極管，近期拓展MOSFET領域；SiC肖特基二極管量產(chǎn)，主要面向新能源汽車主驅、電網(wǎng)設備市場，積極推進SiC封測工藝創(chuàng)新。
十一、中車時代電氣：軌交巨頭進軍SiC，打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
中車時代依托軌道交通優(yōu)勢，高壓IGBT自主化領先；建成SiC芯片生產(chǎn)線，國內首款自研SiC大功率電驅系統(tǒng)實現(xiàn)裝車，布局新能源汽車、工業(yè)電源領域。
十二、芯朋微：功率IC專家，GaN快充方案率先落地
芯朋微長期專注電源管理IC和配套功率器件；率先推出20~65W GaN快充芯片及模塊，開發(fā)高頻GaN功率模塊，持續(xù)布局服務器電源、光伏儲能、電動車OBC市場。
行業(yè)趨勢洞察：
SiC全面爆發(fā)：IDM企業(yè)率先量產(chǎn)，設計企業(yè)積極跟進，新能源汽車、光伏為主要市場。
GaN快速布局：安世半導體、芯導科技等領先，應用于快充、通信電源，車規(guī)領域起步。
硅器件持續(xù)升級：IGBT與MOSFET迭代加速，國產(chǎn)廠商車規(guī)認證突破。
封裝技術成競爭關鍵：高可靠性、低寄生電感封裝廣泛布局，提升國產(chǎn)競爭力。
生態(tài)合作深化：廠商與高校、供應鏈聯(lián)合研發(fā)，構建完整生態(tài)圈。
高強度研發(fā)投入成常態(tài)：廠商紛紛提升研發(fā)占比，構筑技術壁壘。
中國功率半導體產(chǎn)業(yè)正邁向高端化、自主化，未來有望實現(xiàn)更多核心技術突破。
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