芯耀
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SEMICON China 2025將于3月26-28日在上海浦東新國際博覽中心盛大啟幕。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)最具影響力的展會之一，本屆展會吸引了來自全球的1400多家參展商，展會覆蓋芯片設(shè)計、制造、封測、設(shè)備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈最新產(chǎn)品和技術(shù)。
爍科晶體將攜全系列碳化硅襯底產(chǎn)品精彩亮相，將重點(diǎn)展示12英寸高純半絕緣碳化硅襯底、導(dǎo)電N型碳化硅襯底產(chǎn)品。其中，旗下12英寸高純半絕緣襯底（2024年12月全球首發(fā)）憑借其光學(xué)性能優(yōu)勢，成為下一代“AR+AI”智能眼鏡的核心材料。
2024年，Meta和慕德微納率先在AR眼鏡中導(dǎo)入了基于碳化硅的光波導(dǎo)鏡片，這一標(biāo)桿性突破不僅推動了AR眼鏡光波導(dǎo)鏡片的技術(shù)升級，也為碳化硅襯底開辟了新的增量賽道。2025年，碳化硅在AR眼鏡領(lǐng)域的合作與應(yīng)用逐漸升溫，XREAL和雷鳥創(chuàng)新等各大廠商也紛紛加快碳化硅的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)鏈合作，碳化硅光波導(dǎo)已確立為AR眼鏡產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)路徑。
當(dāng)前，AR眼鏡光學(xué)模組普遍采用高折玻璃或樹脂材料，但其光損耗高、耐熱性差、機(jī)械強(qiáng)度不足等缺陷，難以滿足高端設(shè)備對輕量化、高清晰度及耐用性的嚴(yán)苛需求。而碳化硅材料的三大核心性能正推動行業(yè)變革：
● 高折射率（約2.6）：在AR光波導(dǎo)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高效的光線引導(dǎo)，較玻璃材料減少30%光損耗，支持更緊湊的光學(xué)設(shè)計；
● 高透過率：SiC材料在可見光及近紅外波段（400nm-1100nm）具有高透過率，特別適用于AR光波導(dǎo)系統(tǒng)，可顯著減少光損耗，提高畫面亮度，增強(qiáng)沉浸感。
● 高熱導(dǎo)率：快速導(dǎo)出電子元件熱量，解決設(shè)備發(fā)熱導(dǎo)致的佩戴不適與壽命衰減問題。
然而，傳統(tǒng)SiC光學(xué)襯底多以4英寸和6英寸為主，受限于加工尺寸與成本，難以支撐AR眼鏡規(guī)?；逃眯枨?/strong>。爍科晶體12英寸高純半絕緣襯底的推出，可有效提升光學(xué)元件的加工尺寸，提高生產(chǎn)效率，降低單位成本，為AR設(shè)備量產(chǎn)掃清關(guān)鍵障礙。該產(chǎn)品于今年1月在日本Nepcon Japan重磅亮相，引起全球客戶的關(guān)注。
與6英寸碳化硅襯底相比，12英寸襯底的面積提升了4倍左右，晶圓邊緣無效區(qū)域可壓縮至6%，有效提升SiC鏡片的出片率，從而能夠有效提升光學(xué)元件的加工尺寸，大幅提高生產(chǎn)效率，顯著降低單位成本，為 AR 設(shè)備的量產(chǎn)鋪平了道路，助力其邁向更廣闊的市場。
作為行業(yè)技術(shù)標(biāo)桿，爍科晶體在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術(shù)的長期封鎖，是目前國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控的碳化硅材料供應(yīng)商。2021 年，其4英寸高純半絕緣襯底以超50%的市占率主導(dǎo)國內(nèi)市場，廣泛應(yīng)用于5G基站和射頻芯片領(lǐng)域。
在射頻領(lǐng)域和功率半導(dǎo)體等市場持續(xù)領(lǐng)跑的同時，爍科晶體以創(chuàng)新為引領(lǐng)，也在積極布局AR光學(xué)模組等新興領(lǐng)域，為自身在光學(xué)領(lǐng)域的飛躍鋪就發(fā)展基石。
爍科晶體表示，隨著蘋果Vision Pro、Meta 等高端AR設(shè)備的推出，全球AR市場進(jìn)入高速增長期。爍科晶體12英寸高純半絕緣碳化硅襯底技術(shù)壁壘的突破，不僅推動了碳化硅材料在光學(xué)領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，也為AR設(shè)備制造商提供了更高性能、更具性價比的核心材料。
他們認(rèn)為，未來隨著SiC材料的制備工藝不斷成熟，AR光學(xué)元件的性能將進(jìn)一步提升，用戶將體驗(yàn)到更清晰、更輕便、更低功耗的智能眼鏡。而爍科晶體將持續(xù)深耕碳化硅技術(shù)，助力AR行業(yè)邁向新紀(jì)元。
除了半絕緣碳化硅襯底外，爍科晶體在碳化硅導(dǎo)電型襯底領(lǐng)域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅襯底領(lǐng)域成績斐然：2021年9月制備出國內(nèi)首塊8英寸碳化硅單晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅單晶襯底，2023年再次率先將8英寸碳化硅襯底厚度降至350微米。
憑借在8英寸碳化硅領(lǐng)域的深厚積累，爍科晶體在導(dǎo)電型碳化硅襯底的賽道上不斷突破自我，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。值得一提的是，在此次展會中，爍科晶體還將重磅亮相12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底產(chǎn)品，這一突破性成果充分彰顯了其在導(dǎo)電型襯底領(lǐng)域已然實(shí)現(xiàn)全球超大尺寸的技術(shù)引領(lǐng)。
從高純半絕緣襯底領(lǐng)跑AR光學(xué)革命，到如今導(dǎo)電型襯底成功突破超大尺寸技術(shù)壁壘，爍科晶體憑借“雙技術(shù)路線”如虎添翼，正強(qiáng)勢驅(qū)動碳化硅材料在全球多領(lǐng)域開啟規(guī)模化應(yīng)用的新紀(jì)元，多個“第一”有效夯實(shí)了爍科在行業(yè)內(nèi)的核心地位，其技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新魄力無疑已成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的璀璨標(biāo)桿。
3月26日~28日，爍科晶體誠邀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈伙伴蒞臨展臺E7館-7455號，共同探討碳化硅材料的未來應(yīng)用邊界，見證中國第三代半導(dǎo)體的創(chuàng)新力量。
