芯耀
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近期，市場多方消息顯示，全球存儲芯片市場迎來新一輪漲價潮，包括閃迪、美光、三星、SK海力士、美光等多家存儲廠商紛紛宣布提價計劃。與此同時，國內存儲企業(yè)佰維存儲、中科存儲、時創(chuàng)意、北京君正等多家存儲廠商也發(fā)布了最新動態(tài)，展示了他們在技術研發(fā)、產能擴張和市場布局方面的最新進展。
01、中科存儲：建設1條封裝產線和1條測試產線
據株洲新聞網消息，近日，株洲市重點項目中科存儲芯片封測項目升級改造項目，目前已完成主體工程建設，包括SMT、前段、后段、SSD測試、芯片測試生產線工程建設等，且已購置3000余萬元的先進生產設備，項目進展順利。
據悉，中科存儲芯片封測項目升級改造項目由湖南中科存儲科技有限公司投資建設，項目位于天元區(qū)天易科技城B4、B5棟。項目總投資3億元，項目建筑面積為9814平方米。項目主要建設1條封裝產線和1條測試產線，在現有集成電路封裝、測試產線的基礎上，購置新的引線鍵合機、晶片粘晶機和全自動貼片機等生產設備，完成多層疊Die存儲芯片封裝測試產線升級改造。
項目建成后，預計年產值約6億元，銷售收入約6億元，將實現年產3000萬顆存儲芯片（其中包含單晶元存儲芯片、多晶元存儲芯片、嵌入式存儲芯片和移動存儲模組等）。相關產品將廣泛應用于智能手機、人工智能、大數據集成終端安全存儲、企業(yè)存儲、移動存儲和智能穿戴等領域。
02、佰維存儲：積極推進其19億元定增項目
佰維存儲近期動態(tài)頻頻，佰維存儲在接受23家機構調研時表示，在嵌入式存儲領域，公司BGASSD已通過Google準入供應商名單認證；在PC存儲領域，公司SSD產品目前已經進入聯想、宏碁、惠普、同方等國內外知名PC廠商，此前佰維存儲就表示，其旗下SP406/416系列企業(yè)級PCIe4.0SSD、SS621系列企業(yè)級SATASSD，與聯想服務器完成兼容性測試并獲認證，強化企業(yè)級市場布局。
技術研發(fā)層面，3月初，佰維存儲宣布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量驗證支持QLC顆粒并針對智能穿戴設備優(yōu)化功耗，同時具備端到端數據保護能力，適用于車規(guī)級應用場景。
據悉，2024年，佰維存儲智能穿戴存儲業(yè)務收入同比大幅增長，2025年將深化與Meta等客戶在AI眼鏡領域的合作。
今年，佰維存儲正積極推進其19億元定增項目，據該公司3月17日公告顯示，公司擬募資總額不超過19億元，其中8.8億元用于惠州佰維先進封測及存儲器制造基地擴產建設項目，10.2億元用于晶圓級先進封測制造項目。
圖片來源：佰維存儲公告截圖
產能建設方面，據該公司本月中旬公告顯示，公司19億元定增項目獲證監(jiān)會批復，資金將用于惠州先進封測基地擴產及晶圓級先進封測制造項目。其中，惠州基地擴產將提升存儲芯片封測及模組產能，晶圓級封測項目則聚焦16層疊Die、超薄Die等先進工藝，為HBM等高端封裝技術奠定基礎，進一步強化國產存儲產業(yè)鏈競爭力。
03、時創(chuàng)意：2024年公司營收超22億元，正式入駐新總部大廈
2025年初，時創(chuàng)意全面入駐新總部大廈，作為集研發(fā)、制造及營銷于一體的存儲地標性建筑，時創(chuàng)意總部大廈建筑面積達66000㎡，新質智造產線全面投產后，時創(chuàng)意整體產能將提升300%以上。
時創(chuàng)意總部大廈引進超薄研磨、隱形切割、壓縮塑封和一體化測試等多項業(yè)界領先工藝技術。截止目前，時創(chuàng)意芯片封測年產能達300KK，模組制造年產能達18KK，預計未來3至5年，年產能復合增長率將超過20%。
近日，時創(chuàng)意重磅發(fā)布三款全新AI存儲產品及解決方案—超高速PCIe 5.0 SSD、高效能內存LPDDR5X以及小尺寸eMMC5.1。其中，S14000 Pro 超高速PCIe 5.0 SSD 采用端到端數據保護及動態(tài)寫入加速技術，支持 APST NVME自主功率狀態(tài)轉換以降低能耗，專為 AI 模型訓練與數據中心場景設計；
LPDDR5X 內存實現 8533Mbps 超高傳輸速率，相較前代產品性能提升33%、功耗降低25%，契合AI PC與手機的本地化存儲需求；小尺寸eMMC5.1則針對AI眼鏡、智能手表等智能穿戴設備輕薄設計需求研發(fā)，助力實現實時翻譯、場景識別、AR交互、健康監(jiān)測等智能化功能，推動智能穿戴設備向更高水平邁進。
04、北京君正加速DRAM產品迭代，20nm工藝新品蓄勢待發(fā)
近期，北京君正于投資者互動平臺表示，公司正在積極推進DRAM產品的更新迭代，采用20nm工藝的新產品預計將在2025年推出樣品，后續(xù)還將陸續(xù)推出更新工藝的DRAM產品。此外，北京君正還計劃在20nm工藝產品之后，繼續(xù)推進更先進工藝的DRAM產品研發(fā)。
而在近期接受機構調研時，就“目前庫存情況”相關問詢回應稱，計算芯片在2023年已經恢復到正常水平，存儲芯片備貨較多，我們預判2025年行業(yè)市場會逐漸回暖，因此也新增了一定的備貨。
在車規(guī)芯片需求方面，北京君正分析稱，“我們看到的情況是，去年國內車規(guī)市場是增長的，除了中國大陸，全球大部分地區(qū)是下降的，今年我們預計全球大部分地區(qū)都會逐漸回暖?！?/p>
毛利率方面，北京君正介紹，計算芯片面向消費類市場，毛利率波動比較大，去年前三季在30%以上；存儲芯片毛利率在2021年漲價之前正常情況下在30%出頭或者30%左右，2021年漲價后有所提高，2022年第四季度逐漸回落，逐漸接近以往的毛利率水平；模擬芯片毛利率基本維持在50%左右，毛利率水平相對較好。
05、江波龍：擬“A+H”上市，2024年營收同增72.48%
3月21日，江波龍正式向香港聯交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股），并在香港聯交所主板掛牌上市的申請。
圖片來源：江波龍公告截圖
據江波龍2024年年度報告顯示，公司去年實現營業(yè)收入174.64億元，同比增長72.48%；凈利潤4.99億元，同比增長160.24%；扣非凈利潤為1.67億元，同比增長118.88%。
目前，江波龍在產品布局上持續(xù)發(fā)力，其首顆32Gbit 2D MLC NAND完成流片驗證，覆蓋SLC/MLC多容量產品，適用于網絡通信、安防監(jiān)控等領域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動存儲和內存條四大產品線，經營三個主要品牌，分別是FORESEE、Zilia、雷克沙。
06、銓興科技高端存儲產品及AI超大模型訓推一體解決方案亮相
今年3月，銓興科技高端存儲產品及AI超大模型訓推一體解決方案對外亮相，該方案旨在推動算力平權和普惠化發(fā)展，極大助力數據價值釋放。
與此同時，銓興科技董事長黃少娃分享了對AI端側應用爆發(fā)背景下存儲產業(yè)發(fā)展的深刻見解，以及銓興科技在高端存儲領域的創(chuàng)新成果。
據悉，超大模型訓推一體解決方案，由“銓興添翼擴容卡”和“AI link算法平臺、訓練框架”組成，通過超顯存融合技術，添翼AI擴容卡可將顯存空間擴大20倍，減少高階顯卡使用數量，僅用少量的中階顯卡，結合AI ?link算法平臺，實現超大模型本地化部署訓推降本90%，推理并發(fā)性能提升50%。
此外，銓興科技憑借其在中高端存儲領域的提前布局，推出超大容量122.88TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤，采用PCIe 5.0接口，讀取速度高達14,000MB/s，相比于傳統SATA eSSD磁碟陣列效能提升28倍，為AI訓練推理、大數據中心存儲需求賦能。
黃少娃指出，DeepSeek橫空出世推動算法平權，而銓興科技本地化部署降本降能耗解決方案有力推動算力平權。同時銓興科技的企業(yè)級固態(tài)硬盤和服務器內存等高端存儲產品賦能AI，存力算力軟硬件超維融合，推動全民AI普惠時代到來。
07、存儲漲價潮來襲？
結合半導體行業(yè)供應鏈及多家媒體消息，多家NAND閃存原廠已提前布局，計劃在4月上調產品報價。
據媒體報道，此次存儲漲價事件最早可追溯到今年1月，美光新加坡工廠發(fā)生斷電事故，部分晶圓產能受損。盡管美光未公開說明事故細節(jié)，但似乎已影響后續(xù)供貨。據群聯電子董事長潘健成3月12日透露，盡管公司已于2024年12月向美光下單采購，但近期美光出現了意外的交付短缺問題。據供應鏈消息透露，目前新訂單價格平均漲幅約11%。
3月6日，有媒體報道稱，閃迪（SanDisk）向客戶發(fā)出漲價函，宣布自2025年4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產品提價超過10%。此次調價適用于所有渠道，包括消費端產品，且閃迪表示后續(xù)季度可能還會進一步提價。
繼閃迪之后，據外媒消息，三星電子和SK海力士也計劃從2025年4月起提高NAND閃存價格。另外，3月14日，據市場消息，國內存儲大廠長江存儲旗下的零售品牌致態(tài)計劃從2025年4月起上調渠道提貨價格，漲幅可能超過10%。
最新消息顯示，美光已經向客戶發(fā)布漲價函，該公司指出，目前存儲市場已開始復蘇，多個業(yè)務領域有著超出預期的需求增長，預計2025年、2026年間持續(xù)成長，美光決議將調升產品價格。
對于上述漲價傳聞動態(tài)，目前上述相關廠商還未有公開表態(tài)。
行業(yè)人士表示，存儲市場此番漲價動作可以追溯到2024年三四季度起，那時三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數據五大存儲原廠開始重啟減產措施，以應對市場供過于求的問題。截止至今，市場存儲芯片庫存已逐漸回歸正常水位。
而從需求端來看，近期多家廠商均重申了AI浪潮不斷刺激著高端存儲需求提升。
閃迪全球產品副總裁Eric Spanneut指出，企業(yè)需要為創(chuàng)作者提供適合智能手機的SSD，提供1TB或者2TB的容量。
鎧俠電子（中國）副總裁天野竜二指出，隨著中國和美國的大型科技公司加大對AI相關領域的資本支出，數據中心建設投入也隨之增加，數據中心對NAND閃存的需求非常強勁。鎧俠預計，2025年NAND閃存市場將實現超過10%增長。
江波龍則稱，展望2025年，預計服務器與車規(guī)級市場需求有望延續(xù)增長趨勢。AI技術在PC、手機、智能穿戴等領域加速滲透，消費電子市場有望迎來新的復蘇，并進一步推動對更高容量和更高性能存儲產品的需求。
佰維存儲表示，下一代信息技術與存儲器技術發(fā)展密不可分。物聯網、大數據、人工智能、智能車聯網、元宇宙等新一代信息技術既是數據的需求者，也是數據的產生者。同時，AI技術革命將提升對高端存儲器的需求。
東芯股份則在多個場合表示，隨著全球AI市場的快速發(fā)展，AI大模型等新興場景的涌現，對存儲需求的增長提供了強勁動力。存儲技術更迭和容量提升也將是存儲行業(yè)的趨勢所在，對存儲芯片的性能、容量、讀寫速度、體積、功耗等方面都提出了更高的需求。
據TrendForce集邦咨詢分析3月17到21日的內存現貨價格走勢顯示，DRAM市場延續(xù)先前的強勢走勢，但買盤焦點出現轉移，DDR5需求相較上周略有趨緩，買盤明顯集中在DDR4品牌顆粒，尤其是4G/8G的x8與x16顆粒，市場呈現跳空上漲的態(tài)勢。
總體來看，內存和閃存現貨市場價格均在上揚，內存來看，DDR4 1Gx8 3200/2666、DDR4 512x8 2400/2666以及DDR4 512x16 3200/2666部分現貨價格上揚。而NAND Flash現貨市場方面，Wafer及eMMC皆以跳空上漲的態(tài)勢推進，市場價格不斷墊高。其中eMMC市場買氣持續(xù)熱絡，4G、8G、16G需求仍強勁，受市場供需失衡影響，現貨商多采取高價策略，幾乎不給予議價空間。
盡管如此，部分工廠仍持續(xù)釋出需求，推動成交價格進一步上揚。供應商惜售態(tài)度，買家則在觀望與追價之間尋找平衡點。SSD原廠通知漲價及限量后，價格有所回溫，但消費端需求仍需觀察后續(xù)變化。
TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%?！驹斍殚喿x】
NAND Flash領域，隨著減產奏效、買方回補庫存，預計2025年第二季NAND Flash價格將止跌回穩(wěn)，Wafer和Client SSD價格則是季增?！驹斍殚喿x】
綜上所述，當前存儲芯片市場呈現出明顯的供需變化，特別是在AI技術推動下的高端存儲需求增長，為市場帶來了新的機遇。
