芯耀
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近期時(shí)間存儲現(xiàn)貨市場中部分供應(yīng)端LPDDR4X/DDR4資源供應(yīng)吃緊，推動現(xiàn)貨市場部分資源價(jià)格上漲，材料成本上揚(yáng)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，部分存儲廠商嘗試調(diào)漲行業(yè)內(nèi)存條和LPDDR4X成品價(jià)格，主要源于供需關(guān)系失衡與外部政策沖擊的雙重作用，機(jī)構(gòu)預(yù)測DDR4漲價(jià)周期能維持到Q2階段。但由于終端客戶銷售動能不足，拉貨意愿不強(qiáng)，使得存儲價(jià)格上漲幅度較為有限。
行業(yè)市場內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)
數(shù)據(jù)來源：CFM閃存市場
行業(yè)LPDDR最新報(bào)價(jià)
數(shù)據(jù)來源：CFM閃存市場
DDR4?產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性供應(yīng)端縮減
三星、美光、SK海力士等頭部廠商自2024年下半年起加速將DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存），以應(yīng)對AI服務(wù)器和高性能計(jì)算需求。三星計(jì)劃在2025年10月前終止部分1y nm工藝DDR4產(chǎn)品的生產(chǎn)，美光則停止傳統(tǒng)DDR4模塊供應(yīng)，僅保留定制化需求產(chǎn)能。
這導(dǎo)致DDR4現(xiàn)貨市場資源持續(xù)吃緊，尤其是大容量型號（如?64GB DDR4 RDIMM）供應(yīng)缺口擴(kuò)大，價(jià)格從2025?年第一季度的140美元漲至155美元，漲幅達(dá)10.7%。
LPDDR4X?供應(yīng)緊縮
存儲原廠對LPDDR4X（尤其是大容量規(guī)格）的供應(yīng)態(tài)度趨于保守。受地緣政治不確定性影響，三星、SK?海力士等廠商減少對中國大陸市場的出貨，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場LPDDR4X 96G價(jià)格周漲幅達(dá)2.91%，64Gb漲幅2.26%。此外，部分原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向LPDDR5X以滿足高端手機(jī)需求，進(jìn)一步加劇LPDDR4X供應(yīng)緊張。
DDR4?需求超預(yù)期
服務(wù)器市場：盡管DDR5滲透率提升，但DDR4在中低端服務(wù)器和邊緣計(jì)算場景仍具性價(jià)比優(yōu)勢。部分云互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)因成本考量，選擇繼續(xù)使用支持DDR4的Intel Ice Lake和AMD Milan處理器，生命周期延長至2026年。
PC?市場：美國廠商為規(guī)避關(guān)稅提前備貨，2025年第一季度?PC?出貨量同比增長12.6%，拉動DDR4需求。DDR4 SODIMM 8GB 3200?價(jià)格從14.5?美元漲至15.2?美元，漲幅4.83%。
中低端智能手機(jī)：2025年Q1出貨量中，1000-3000元價(jià)位段占比46.3%，這類機(jī)型普遍采用?LPDDR4X+UFS2.2?存儲方案。華為nova13?系列等中端機(jī)型Q1激活量接近500萬臺，推動LPDDR4X 16Gb價(jià)格周漲幅達(dá)?5.33%。
智能可穿戴設(shè)備：智能手表、AR?眼鏡等設(shè)備對低功耗存儲需求激增，帶動相關(guān)型號價(jià)格上行。
價(jià)格走勢與市場展望
短期（2025年Q2）
DDR4：在原廠減產(chǎn)與關(guān)稅備貨的雙重推動下，價(jià)格將維持上漲趨勢。TrendForce預(yù)測，2025?年第二季度?Conventional DRAM?合約價(jià)環(huán)比漲幅達(dá)3%-8%，現(xiàn)貨市場DDR4 8Gb eTT?價(jià)格已從1.0?美元漲至1.17?美元，漲幅17%。
LPDDR4X：大容量型號（如?96Gb）供應(yīng)缺口擴(kuò)大，價(jià)格或繼續(xù)攀升，但中低端需求疲軟可能抑制整體漲幅。
中期（2025?年下半年）
DDR4：隨著長鑫存儲等國內(nèi)廠商產(chǎn)能釋放（2025?年計(jì)劃新增9萬片G4制程產(chǎn)能），成熟市場供應(yīng)壓力或逐步緩解，但DDR5滲透率提升將加速DDR4退出主流市場。
LPDDR4X：若智能手機(jī)市場復(fù)蘇不及預(yù)期，價(jià)格可能回調(diào)，但可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)需求增長將提供支撐。
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