芯耀
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一、公司背景
新凱來（全稱“深圳市新凱來技術(shù)有限公司”），寓意重新凱旋歸來。公司成立于2021年8月，總部位于深圳，隸屬于深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)，實(shí)控人為深圳市國資委。其前身為華為旗下半導(dǎo)體設(shè)備子公司，2022年因國際供應(yīng)鏈壓力被剝離后由深圳國資委接手，并注入資金與政策支持，迅速成為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的“黑馬”。公司定位為高端半導(dǎo)體裝備及零部件供應(yīng)商，致力于通過全鏈路垂直整合打破海外技術(shù)壟斷，推動(dòng)國產(chǎn)替代進(jìn)程。
二、核心團(tuán)隊(duì)與技術(shù)基礎(chǔ)
團(tuán)隊(duì)構(gòu)成：核心團(tuán)隊(duì)擁有20年以上電子設(shè)備研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，傳聞部分成員來自華為“星光工程事業(yè)部”及國內(nèi)頂尖半導(dǎo)體企業(yè)，與xxx國內(nèi)知名廠商合作。
研發(fā)體系：在深圳、北京、上海、武漢等地設(shè)立研發(fā)中心，構(gòu)建了覆蓋“基礎(chǔ)材料工藝-零部件-裝備”的端到端研發(fā)體系，并設(shè)立10多個(gè)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室（如等離子體、熱管理等）以支撐技術(shù)創(chuàng)新，嚴(yán)格遵循一代工藝，一代材料，一代裝備的研發(fā)路徑。
三、旗艦產(chǎn)品與技術(shù)亮點(diǎn)
新凱來發(fā)布6?大類半導(dǎo)體工藝和量檢測裝備累計(jì)三十款左右設(shè)備。工藝裝備包括外延沉積設(shè)備?EPI（峨眉山）、原子層沉積設(shè)備?ALD（阿里山）、物理氣相沉積設(shè)備?PVD（普陀山）、刻蝕設(shè)備?ETCH（武夷山）、薄膜沉積設(shè)備?CVD（長白山）等。量檢測產(chǎn)品涵蓋光學(xué)檢測、光學(xué)量測、PX?量測、功率檢測等領(lǐng)域，如岳麗山?BFI（明場缺陷檢測）、天門山?IBO（圖形套刻量測）、沂蒙山?AFM（原子力顯微鏡量測）、RATE - CP（晶圓電性能檢測）等。
新凱來的產(chǎn)品線聚焦半導(dǎo)體制造全流程，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、量檢測等關(guān)鍵設(shè)備，并以中國名山命名系列產(chǎn)品，象征技術(shù)突破的“翻山越嶺”。以下是其核心產(chǎn)品及創(chuàng)新技術(shù)：
1.刻蝕設(shè)備（ETCH）
代表產(chǎn)品：武夷山?1?號(hào)?/ 3?號(hào)?/ 5?號(hào)
技術(shù)亮點(diǎn)：
采用高密度等離子體技術(shù)，支持?12?英寸晶圓的精細(xì)硅?/?金屬刻蝕，刻蝕速率達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平（如鋁刻蝕速率?> 500 nm/min）。
配備可調(diào)節(jié)等離子體源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)離子能量精準(zhǔn)控制，確保關(guān)鍵尺寸（CD）均勻性誤差?< 2%。
多腔室集群架構(gòu)支持全自動(dòng)并行工藝，維護(hù)周期長（MTBC>200?小時(shí)），適用于邏輯芯片、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。
2.擴(kuò)散與外延設(shè)備（EPI/RTP）
代表產(chǎn)品：
外延沉積設(shè)備（EPI）：峨眉山?1?號(hào)?/ 2?號(hào)?/ 3?號(hào)，用于第三代半導(dǎo)體（如?GaN、SiC）的外延層生長，厚度均勻性?< 1%。
快速熱處理設(shè)備（RTP）：三清山?1?號(hào)?/ 2?號(hào)?/ 3?號(hào)，支持晶圓級(jí)快速退火（升溫速率?> 1000℃/?秒），適用于先進(jìn)制程的激活和摻雜工藝。
3.薄膜沉積設(shè)備（PVD/CVD/ALD）
物理氣相沉積（PVD）：普陀山?1?號(hào)?/ 2?號(hào)?/ 3?號(hào)，采用磁控濺射技術(shù)，金屬薄膜厚度均勻性?< 3%，支持銅互連、阻擋層等工藝。
化學(xué)氣相沉積（CVD）：長白山?1?號(hào)?/ 3?號(hào)，覆蓋氧化硅、氮化硅等介質(zhì)薄膜沉積，臺(tái)階覆蓋率?> 95%，適用于?3D NAND?存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。
原子層沉積（ALD）：阿里山?1?號(hào)?/ 2?號(hào)?/ 3?號(hào)，實(shí)現(xiàn)單原子層精度的薄膜生長（如?Al?O?厚度誤差?< 0.1 nm），支持?5nm?以下先進(jìn)制程。
4.物理量測設(shè)備
原子力顯微鏡（AFM）：沂蒙山?AFM，分辨率達(dá)?0.1 nm，用于納米級(jí)表面形貌分析，支持晶圓粗糙度、線寬量測。
X?射線光電子能譜（XPS）：赤壁山?XP，元素檢測靈敏度?< 0.1 at.%，用于薄膜成分分析，已在客戶端穩(wěn)定運(yùn)行超?2?萬小時(shí)。
5.X?射線量測設(shè)備
X?射線衍射（XRD）：赤壁山?XD，晶體結(jié)構(gòu)分析精度達(dá)?0.01°，支持外延層應(yīng)力測量。
X?射線熒光（XRF）：赤壁山?XF，金屬雜質(zhì)檢測限?< 1 ppb，適用于晶圓污染分析。
6.光學(xué)量檢測設(shè)備
明場缺陷檢測（BFI）：岳麗山?BFI，采用?LSP?光源（亮度超太陽），支持?10nm?以下缺陷檢測，檢出率?> 99.9%。
暗場缺陷檢測（DFI）：丹霞山?DFI，靈敏度達(dá)?0.5nm，適用于邏輯芯片和存儲(chǔ)器件的關(guān)鍵層檢測。
光學(xué)量測（IBO/DBO）：天門山系列，套刻精度?< 1nm，支持?3D NAND?的層間對(duì)準(zhǔn)測量。
量檢測裝備技術(shù)突破
光學(xué)量檢測
(1)核心技術(shù)：LSP?光源技術(shù)（激光維持等離子體發(fā)光），實(shí)現(xiàn)高亮度寬譜光源（170-2100 nm），功率穩(wěn)定性?< 0.3% RMS。
應(yīng)用場景：邏輯芯片的金屬互連層缺陷檢測、存儲(chǔ)芯片的?3D?堆疊結(jié)構(gòu)完整性分析。
(2)?PX?量測（物理與?X?射線）
原子力顯微鏡（AFM）：采用納米級(jí)探針技術(shù)，支持晶圓表面粗糙度、薄膜應(yīng)力的高精度測量。
X?射線組合技術(shù)：XPS/XRD/XRF?集成，實(shí)現(xiàn)材料成分、晶體結(jié)構(gòu)、元素分布的多維度分析。
(3)?功率檢測
晶圓電性能檢測（RATE-CP）：支持?50MHz?以下射頻參數(shù)測試，適用于功率半導(dǎo)體的晶圓級(jí)篩選。
成品率提升：通過缺陷分類（如顆粒、線寬異常）和工藝溯源，幫助客戶將良率提升?5%-10%
7. 光刻機(jī)技術(shù)創(chuàng)新
非光學(xué)補(bǔ)光技術(shù)：針對(duì)光刻機(jī)禁運(yùn)限制，新凱來提出“先進(jìn)光刻+非光補(bǔ)光”路徑，通過多重圖形曝光（如SAQP自對(duì)準(zhǔn)四重圖形曝光）、自對(duì)準(zhǔn)沉積等技術(shù)，繞開傳統(tǒng)光刻限制，提升制程精度。采用自對(duì)準(zhǔn)四重成像（SAQP）技術(shù)，結(jié)合華為海思算法優(yōu)化，來提升光刻精度。SAQP?技術(shù)是從自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化（SADP）技術(shù)發(fā)展而來，通過在硅晶圓上進(jìn)行多次蝕刻，增加晶體管密度從而提升芯片性能。其利用深紫外光刻（DUV）設(shè)備，通過特殊的算法和工藝步驟，將原本?DUV?光刻機(jī)的精度提升?300%，以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖形轉(zhuǎn)移，達(dá)到接近?EUV?光刻機(jī)的?5nm?制程水平。
關(guān)鍵參數(shù)：支持20-65nm工藝節(jié)點(diǎn)，分辨率達(dá)1微米，投影成像質(zhì)量達(dá)90%，處理器速度較上代提升25%。其光刻機(jī)采用自主生產(chǎn)的核心材料（如光刻膠），打破海外技術(shù)依賴。
成本優(yōu)勢：通過國產(chǎn)化供應(yīng)鏈和規(guī)模化生產(chǎn)，設(shè)備價(jià)格較國際同類產(chǎn)品大幅降低，且售后服務(wù)響應(yīng)速度行業(yè)領(lǐng)先。
四、競爭力表現(xiàn)
1.?技術(shù)對(duì)標(biāo)國際巨頭
新凱來的設(shè)備性能直接對(duì)標(biāo)應(yīng)用材料、東京電子等企業(yè)，如武夷山刻蝕機(jī)良率已追平臺(tái)積電5nm工藝，ALD設(shè)備精度超越日企，填補(bǔ)國產(chǎn)高端設(shè)備空白。
2.?產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)
依托深圳國資委的資源整合能力，與xxx等國內(nèi)知名廠商建立合作，形成“設(shè)備-晶圓廠”閉環(huán)，加速產(chǎn)品驗(yàn)證與量產(chǎn)。
3.?市場響應(yīng)與國產(chǎn)替代
受地緣政治推動(dòng)，新凱來設(shè)備已獲xxx等頭部客戶采購，其光刻機(jī)相關(guān)技術(shù)突破帶動(dòng)國產(chǎn)光刻膠、濕電子化學(xué)品等配套產(chǎn)業(yè)股價(jià)飆升（如新萊應(yīng)材、江化微等）。
4.?政策與資本支持
國家大基金二期注資50億元，深圳國資委提供資金與政策傾斜，助力研發(fā)投入與產(chǎn)能擴(kuò)張。
新凱來憑借技術(shù)積累及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，在刻蝕、沉積等設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，其光刻機(jī)技術(shù)通過非傳統(tǒng)路徑繞開封鎖，展現(xiàn)了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的創(chuàng)新潛力。未來需持續(xù)突破光刻機(jī)核心技術(shù)（如EUV光源），但現(xiàn)有成果已為國產(chǎn)替代注入強(qiáng)心劑，并引發(fā)國際巨頭價(jià)格調(diào)整（如應(yīng)用材料對(duì)華設(shè)備降價(jià)25%）。
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