芯耀
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4月15日至17日，慕尼黑上海電子展盛大舉行。本屆展會規(guī)?？涨?，吸引了來自全球的1800家展商參展。
在本屆展會中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)成為亮點，多家廠商集中展示了其在高效能、新能源領(lǐng)域的突破性產(chǎn)品與技術(shù)，包括SiC功率模塊、GaN快充芯片以及相關(guān)應(yīng)用解決方案。這些技術(shù)憑借其高效率、低損耗的特性，正在推動電動汽車、工業(yè)電源等行業(yè)的快速發(fā)展。
在接下來的報道中，我們將深入聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，逐一揭曉其帶來的前沿技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品：
意法半導(dǎo)體
本屆展會，意法半導(dǎo)體為觀眾呈現(xiàn)汽車、工業(yè)、關(guān)鍵技術(shù)賦能創(chuàng)新應(yīng)用等三大板塊的重量級產(chǎn)品和智能解決方案。
聚焦碳化硅應(yīng)用，意法半導(dǎo)體此次帶來高功率冷卻系統(tǒng)電機控制方案，具有多種電機控制功能，例如驅(qū)動壓縮機、風(fēng)扇和泵，在人工智能數(shù)據(jù)中心、VRF HVAC和BESS中至關(guān)重要。
其中，意法半導(dǎo)體的1200V功率器件和STGAP3S隔離柵極驅(qū)動器提高了能源效率和可靠性。采用意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和SiC二極管，可以實現(xiàn)AI數(shù)據(jù)中心冷卻所需的最高水平的魯棒性、功率密度和能源效率。
華潤微電子
此次，華潤微電子帶來了1200V 450A/600A的半橋DCM、全橋HPD共四款主驅(qū)模塊等最新產(chǎn)品，充分凸顯其技術(shù)優(yōu)勢。
據(jù)了解，華潤微電子此次亮相的主驅(qū)模塊基于成熟量產(chǎn)的第二代車規(guī)SiC MOS平臺，具備SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能，在汽車主驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用中展現(xiàn)出了強大的競爭力。從產(chǎn)品性能來看，其性能對標(biāo)國際主流產(chǎn)品，采用6管/8管并聯(lián)，通過對Vth的嚴(yán)格分檔提高芯片一致性。此外還采用自主設(shè)計的Si3N4?AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小，且通過采用單面水冷+模封工藝，最高工作結(jié)溫175℃。
飛锃半導(dǎo)體
飛锃半導(dǎo)體精心準(zhǔn)備了一系列創(chuàng)新成果參展，其中，涵蓋應(yīng)用于商用車、光伏以及電源領(lǐng)域的 Gen3 系列高壓產(chǎn)品，包括 2000V、1700V、1500V 等不同規(guī)格，可充分滿足更高母線電壓的應(yīng)用需求。
Gen3B 系列 1200V & 750V SiC MOSFET 目前已在光伏、充電樁、OBC 等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。此外，飛锃半導(dǎo)體推出了 1200V 大電流 SiC 二極管，其 single die 產(chǎn)品能夠精準(zhǔn)滿足客戶對高浪涌電流的特殊需求。聚焦于汽車主驅(qū)應(yīng)用領(lǐng)域，鑒于該領(lǐng)域?qū)Φ图纳姼泻透吖β拭芏鹊膰?yán)苛要求，飛锃半導(dǎo)體展出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM 模塊以及 1200V/7mΩ SiC MOSFET TPAK 產(chǎn)品。經(jīng)對比測試，這兩款產(chǎn)品在可靠性和一致性方面，可與歐美品牌產(chǎn)品相媲美。OBC以及DCDC應(yīng)用方面，飛锃半導(dǎo)體針對頂部散熱的需求，展出了全新的X2PAK頂部散熱，和SMPD半橋封裝，在客戶端驗證時，性能卓越，參數(shù)偏移量小。X2PAK已有750V/25mohm和1200V/70mohm的產(chǎn)品，750V/40mohm和1200V/30mohm產(chǎn)品正在驗證中。
瞻芯電子
瞻芯電子面向汽車電子、“光儲充”、醫(yī)療和工業(yè)電源應(yīng)用集中展示碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品系列，提供一站式芯片解決方案。
SiC MOSFET方面，繼2024年重磅推出第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)平臺后，瞻芯電子持續(xù)拓展電壓平臺，覆蓋了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V，并依據(jù)市場需求，推出一批新規(guī)格產(chǎn)品。
此外，瞻芯電子推出了不少模塊產(chǎn)品：1200V SiC 半橋1B封裝模塊、2000V SiC 4相升壓模塊等。2024年，瞻芯電子還推出了采用SMPD和Transfer-mold封裝的SiC模塊產(chǎn)品，可顯著提升車載電源、車載空壓機的功率密度，已有新能源汽車Tier1客戶導(dǎo)入應(yīng)用。
瑤芯微電子
作為國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體、傳感器和數(shù)?；旌闲盘栨淚C產(chǎn)品供應(yīng)商，瑤芯微電子帶來了最新一代的研發(fā)成果，覆蓋SiC MOS、低壓SGT MOS、高壓SJ MOS、IGBT、音頻MEMS及信號鏈IC等系列產(chǎn)品。
其中，最新一代650V G5分立式 SiC MOSFET涵蓋 20mΩ/33mΩ 等多款產(chǎn)品，無論是工業(yè)級還是車規(guī)級要求，都能完美滿足。相比上一代 650V G4，G5(Ron,sp) 降低了 38%。同時，對寄生電容CGD等參數(shù)進行了優(yōu)化，令該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于車載OBC、通信電源、UPS及高頻DC-DC等領(lǐng)域。此外，瑤芯微電子1200V G5 SiC MOSFET，采用更為先進的工藝平臺，在G4.5的基礎(chǔ)上再次迭代，Rsp進一步優(yōu)化，降低9%，進一步減小導(dǎo)通損耗；同時米勒電容降低50%，大幅提升抗干擾能力，綜合損耗行業(yè)領(lǐng)先。目前已成為新能源汽車、直流充電樁、光伏儲能等領(lǐng)域的核心器件。
昕感科技
昕感科技攜旗下SiC器件、功率模塊、電源模組等產(chǎn)品與技術(shù)亮相慕尼黑上海電子展。
昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)。目前，昕感科技產(chǎn)品已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。
其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。截至目前，昕感科技SiC MOSFET累計出貨客戶百余家，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
瑞能半導(dǎo)體
瑞能半導(dǎo)體展示了從650V-2200V全系列的全國產(chǎn)SiC芯片、分立器件和SiC功率模塊產(chǎn)品。包括面向汽車應(yīng)用的車規(guī)級750V、1200V、1700V SiC產(chǎn)品，以及面向AI算力、工業(yè)、光伏儲能、EV充電、電網(wǎng)等應(yīng)用的650V-2200V各種阻抗和電流規(guī)格的SiC MOSFET、SiC SBD。
此外，SiC模塊產(chǎn)品也是本次出展的一大亮點，包括WeenPack-B1/B2系列及WeenPack-34mm/62mm的灌封型模塊產(chǎn)品、以及面向車載應(yīng)用的內(nèi)絕緣頂部散熱SMD塑封模塊產(chǎn)品WeenPack-TSPM。全方位展現(xiàn)瑞能SiC產(chǎn)品的強大產(chǎn)品陣容和研發(fā)實力。值得關(guān)注的是，瑞能半導(dǎo)體對多個領(lǐng)域的市場需求，設(shè)計投放了多種新產(chǎn)品，包括：TSPAK頂部散熱產(chǎn)品、瑞能WeenPack系列功率模塊產(chǎn)品、1700V/2200V高壓產(chǎn)品系列、750V/1200V/1700V車規(guī)產(chǎn)品系列等。其中，車規(guī)級產(chǎn)品基于瑞能成熟可靠的Gen-2 SiC MOS及 SiC SBD產(chǎn)品平臺，依托瑞能源自飛利浦和恩智浦的全球領(lǐng)先的車規(guī)產(chǎn)品體系，經(jīng)過充分的AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證，結(jié)合車載應(yīng)用如OBC、DC-DC、E-comp、Main-driver 等多種且廣泛的應(yīng)用要求，推出了包括頂部散熱封裝及功率模塊在內(nèi)的多種SiC產(chǎn)品，并已完成代表汽車體系最高標(biāo)準(zhǔn)的IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證及VDA6.3過程審核。
華太電子
此次展會，華太電子展示了射頻、模擬、功率及MCU等核心產(chǎn)品系列，覆蓋通信基站、新能源、工業(yè)控制及智能座艙等應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，高性能超級結(jié)IGBT與SiC產(chǎn)品，可助力光伏逆變器，儲能變流器、車載充電機、充電樁等應(yīng)用。
蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺型半導(dǎo)體公司，主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、專用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。
至信微電子
在本次展會上，至信微重點展示了豐富多樣的第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品。在晶圓產(chǎn)品領(lǐng)域，至信微展出了1200V 7mΩ、750V 5mΩ兩款超大電流晶圓。其中，1200V 7mΩ晶圓單粒芯片可承載266A的超大電流，750V 5mΩ晶圓單粒芯片可承載355A的超大電流。目前，這兩款晶圓已實現(xiàn)量產(chǎn)，成功應(yīng)用于航空航天、軍工、工業(yè)等高端領(lǐng)域。
此外，至信微的產(chǎn)品線布局完備，本次展會攜帶了從650V到3300V的全系列SiC MOS、二極管、模塊產(chǎn)品，可全面覆蓋消費級、工業(yè)級、光儲充、電網(wǎng)、軌道交通以及車規(guī)級應(yīng)用。
在模塊產(chǎn)品方面，至信微推出了基于1200V 7mΩ晶圓的超大電流系列半橋模塊產(chǎn)品。與傳統(tǒng)方案相比，該模塊大幅減少了并聯(lián)芯片的使用數(shù)量，優(yōu)化了內(nèi)部空間利用率，顯著提升了功率密度，為終端客戶提供了更高效、可靠的模塊化解決方案。
在芯片產(chǎn)品方面，至信微推出了超高壓碳化硅MOS系列產(chǎn)品，包括2200V、3300V系列碳化硅MOS產(chǎn)品，最低內(nèi)阻可達19mΩ。
至信微具備業(yè)界領(lǐng)先的工藝設(shè)計能力。憑借超高的良率以及領(lǐng)先的RSP（即超高的功率密度），至信微能夠為終端客戶提供具有競爭力的產(chǎn)品。
凌銳半導(dǎo)體
本次展會上，凌銳半導(dǎo)體重點展示了從650V~3300V全系列全國產(chǎn)SiC芯片、器件和模塊。包括電源、工業(yè)、光儲充、電網(wǎng)、軌道交通用的650V、750V、1200V、1700V、2000V等多種電壓和電流規(guī)格以及封裝形式的SiC MOS器件；模塊方面有全系列的灌封和塑封型產(chǎn)品。
據(jù)透露，凌銳半導(dǎo)體的產(chǎn)品具備四大亮點：一是平面產(chǎn)品Rsp只有2.6左右，率先實現(xiàn)了Rsp性能領(lǐng)先的器件的大規(guī)模量產(chǎn)；二是產(chǎn)品性能優(yōu)異；三是生產(chǎn)和品質(zhì)管控嚴(yán)格；四是采用全國產(chǎn)化的供應(yīng)鏈，包括襯底、外延、晶圓制造和封測都實現(xiàn)了國產(chǎn)化。此外，凌銳半導(dǎo)體的產(chǎn)品采用車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101做全面的可靠性考核，還通過了HV-H3TRB、2000小時HTRB和HTGB等多項加強性考核測試。器件在這些嚴(yán)苛測試下的穩(wěn)定性，能改有效保障客戶系統(tǒng)在長期苛刻現(xiàn)場環(huán)境下的穩(wěn)定使用。
中瑞宏芯
聚焦碳化硅器件應(yīng)用，中瑞宏芯帶來了2000V SiC MOSFET、第二代1200V SiC MOSFET、Easy1B和Easy2B半橋模塊等產(chǎn)品。
其中，2000V 40mΩ SiC MOSFET專為1500V光伏系統(tǒng)設(shè)計，采用TO247-4封裝，具有開爾文源極，驅(qū)動電壓15V~18V。導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)只有1.5，優(yōu)于行業(yè)水平，在高溫下仍保持低導(dǎo)通損耗。芯片的米勒電容低，高dv/dt下引起的柵極尖峰較低，使得高壓應(yīng)用領(lǐng)域更安全。
第二代1200V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)1.6，優(yōu)于行業(yè)水平。采用特定的元胞設(shè)計、低比導(dǎo)通電阻，低開關(guān)損耗，適合高開關(guān)頻率的應(yīng)用。
Easy1B和Easy2B半橋模塊功率密度高，內(nèi)部集成NTC，使用高性能的Si3N4AMB陶瓷基板，熱阻低、可靠性高。采用第二代SiC MOSFET芯片，擁有低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。模塊雜感低，抗誤導(dǎo)通，對用戶的驅(qū)動設(shè)計和主回路設(shè)計更加友好。
昆芯科技
本次展會，昆芯科技展示了從1200V-3300V全系列的全國產(chǎn)SiC芯片、器件和模塊。芯片產(chǎn)品包括1200V電驅(qū)用車規(guī)級芯片以及工業(yè)、光儲充、電網(wǎng)、軌道交通用1200V-3300V各種電流規(guī)格的SiC芯片。
此外，器件方面有通過車規(guī)認(rèn)證的1200V多種電流規(guī)格以及封裝形式的SiC器件，模塊方面有全系列的灌封型、塑封型產(chǎn)品，車規(guī)級SiC塑封模塊出流能力最高可達600-800A、雜散電感可低至5nH。
值得關(guān)注的是，昆芯科技最新一代碳化硅MOS提供-2V/+16V的驅(qū)動電壓，更加符合客戶驅(qū)動需求，簡便使用。 采用特殊元胞設(shè)計，高溫損耗低于常溫損耗，極大的降低了系統(tǒng)的發(fā)熱，提升了效能。此外，昆芯科技對多個領(lǐng)域的產(chǎn)品進行了升級，具體包括碳化硅Easy2B產(chǎn)品、碳化硅HPD產(chǎn)品、1200V ED3?產(chǎn)品、2000V ED3和Easy3B產(chǎn)品、3300V TO247產(chǎn)品等，能更好的滿足電動汽車、光儲充、大功率UPS等領(lǐng)域的需求。
真茂佳半導(dǎo)體
展會上，真茂佳半導(dǎo)體攜帶旗下碳化硅系列產(chǎn)品等參展，吸引了眾人的目光。碳化硅方面，真茂佳展示了650V-3300V全系列的SiC車規(guī)級以及工業(yè)、光儲充、電網(wǎng)、軌道交通應(yīng)用各電流規(guī)格的芯片、器件和模塊。
其中，重點產(chǎn)品有應(yīng)用于儲能領(lǐng)域3300V 640m?的TO263-7單管，應(yīng)用于電驅(qū)的1200V 20m?HSOP8模塊、應(yīng)用于OBC等高頻領(lǐng)域的1200V 40m?的TO247-4單管和1200V 60m?的T2PAK單管、應(yīng)用于光伏充電樁的1200V 10m? easy 1b半橋模塊和1200V 30m? easy 1b全橋模塊 。值得注意的是，3300V 640m?TO263-7單管屬于真茂佳SHVSiC系列，適用于儲能等超高壓應(yīng)用，耐壓能力強，BV>4000V,高安全余量。RDS(on) x Qg??優(yōu)值小，性能更好。1200V 20m?HSOP8模塊，屬于真茂佳RobustSiC系列，適用于電機應(yīng)用，GOX可靠性高，短路時間Tsc>3us,抗雪崩能力強，可通過超越AECQ標(biāo)準(zhǔn)的2000H HTRB 、HTGB驗證。
矽迪半導(dǎo)體
針對150KW PCS和工商業(yè)儲能應(yīng)用，矽迪半導(dǎo)體在本次展會上重點展示了全SiC半橋三相四橋臂技術(shù)，可以輕松實現(xiàn)100%負載不平衡。采用窄邊出線，輕易滿足整機510mm寬度要求，相比兩個6mΩ碳化硅半橋E2模塊，單個EC模塊可以輸出更大的電流，輕松實現(xiàn)擴容，驅(qū)動容易實現(xiàn)等長布線，以提升SiC應(yīng)用的可靠性，內(nèi)部對稱結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了較低的雜散電感和較低的熱耦合分布，帶銅底板封裝技術(shù)帶來的較大熱熔分布，可以實現(xiàn)更大的熱應(yīng)力。
另一方面，在430KW PCS應(yīng)用上，矽迪半導(dǎo)體采用全碳化硅多路對稱NPC技術(shù)，用三相三模塊實現(xiàn)430KW輸出。相比兩個模塊并聯(lián)，輕松實現(xiàn)高頻器件的等長布線，器件級效率可以提升至99.1%。帶銅底板封裝技術(shù)帶來的較大熱熔分布，可以實現(xiàn)更大的熱應(yīng)力。矽迪半導(dǎo)體（蘇州）有限公司一直致力于功率模塊應(yīng)用解決方案的研發(fā)與銷售，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的功率模塊應(yīng)用、仿真、設(shè)計、數(shù)據(jù)管理和項目流管理等于一體的EDA工具。團隊具備全面的研發(fā)能力，包括提供終端應(yīng)用方案，定制功率模塊， 定義芯片研發(fā)等，始終致力于三電平和多電平市場，為客戶提供應(yīng)用性強、能效高、響應(yīng)迅速的集成化產(chǎn)品解決方案，從而與客戶建立穩(wěn)固持久的合作關(guān)系。
MDD辰達半導(dǎo)體
MDD辰達半導(dǎo)體攜帶五大產(chǎn)品矩陣亮相上海慕尼黑電子展，包括整流器件、MOSFET、SiC碳化硅等核心產(chǎn)品線，并首發(fā)中低壓大電流功率MOS管、TO系列快恢復(fù)二極管等新品。
MDD辰達半導(dǎo)體深耕分立器件領(lǐng)域17年，擁有覆蓋MOSFET/二極管/SiC的全系列產(chǎn)品矩陣，其技術(shù)已應(yīng)用于新能源汽車、小米充氣寶等終端產(chǎn)品。公司通過IATF 16949認(rèn)證，產(chǎn)品服務(wù)覆蓋全球40多國，在工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域提供高可靠性半導(dǎo)體解決方案。
平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院
本次展會，重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司推出了頂部散熱封裝SiC MOS器件、雙面散熱MOS器件、低雜感工業(yè)級SiC MOS模塊及驅(qū)動方案、有壓燒結(jié)納米銅膏、功率封裝全銅互聯(lián)解決方案、大面積系統(tǒng)銅燒結(jié)解決方案等多種新型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及工藝方案。
平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院堅持從底層材料-芯片-封裝-驅(qū)動解決方案全鏈條進行技術(shù)創(chuàng)新，從而為客戶提供高性能、高可靠性、高性價比功率半導(dǎo)體解決方案。材料方面，其推出了行業(yè)首款量產(chǎn)型有壓燒結(jié)銅膏，并成功攻克了AMB底板/塑封模塊到散熱器的大面積銅燒結(jié)工藝，推出了車規(guī)級大面積燒結(jié)功率模組。并且在功率模塊中全面使用銅燒結(jié)技術(shù)，推出了全銅燒結(jié)SiC?功率模塊。
分立器件方面，他們推出了頂部散熱TOLT/QDPAK及雙面散熱TOLL封裝等新型封裝器件，其中雙面散熱TOLL封裝相比傳統(tǒng)單面散熱封裝可以提高30%的出流能力。在功率模塊方面，他們推出了低雜感工業(yè)級SiC MOS功率模塊，在保證P2P替換的條件下，對傳統(tǒng)34mm、62mm封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行疊層優(yōu)化，可以保證模塊的寄生雜感<15nH。
泰克科技
此次展會，泰克科技攜帶豐富的測試新方案與兩款重磅新品亮相。這兩款新品分別為TICP系列IsoVu?隔離電流探頭、EA PSB-20000 Triple三通道雙向直流電源，前者擁有高達1GHz帶寬、±1kV共模電壓范圍等技術(shù)亮點，后者每通道高達30kW輸出能力、具備超高能效（高達96.5%）等優(yōu)勢。此外，泰克科技還展示了半導(dǎo)體（模擬 / 功率）測試方案，其中包括動態(tài)/靜態(tài)功率器件測試系統(tǒng)（DPT-1000A/SPT-1000A），覆蓋GaN、SiC三代半，提供全參數(shù)驗證能力。
先進連接
此次先進鏈接攜銀燒結(jié)、銅燒結(jié)、嵌入式PCB方案亮相展會。他們重點展示以下幾大亮點：創(chuàng)新焊接材料、先進封裝技術(shù)、一站式工程應(yīng)用實驗中心。
先進連接是一家集銀燒結(jié)材料、銀燒結(jié)設(shè)備及應(yīng)用工藝的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、咨詢及技術(shù)服務(wù)于一體的國家高新技術(shù)企業(yè)，致力于為客戶提供一站式解決方案。其核心產(chǎn)品自主研發(fā)，生產(chǎn)產(chǎn)品以銀燒結(jié)設(shè)備、材料為主。銀燒結(jié)設(shè)備已通過CE認(rèn)證，所生產(chǎn)銀燒結(jié)產(chǎn)品已通過AQG324標(biāo)準(zhǔn)測試。
