芯耀
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中國半導體設備產業(yè)動態(tài)頻頻，以中微公司和北方華創(chuàng)為代表的國內龍頭企業(yè)紛紛展現(xiàn)強勁的增長勢頭和戰(zhàn)略布局。中微公司通過大幅增資強化技術研發(fā)和市場拓展，鞏固其在刻蝕設備領域的領先地位；北方華創(chuàng)則通過對外投資和股權收購，積極拓展業(yè)務版圖，并在業(yè)績上實現(xiàn)顯著增長。
眾所周知，中國正在加緊推進半導體的國產化進程，其中設備作為半導體產業(yè)的基石，其國產化水平決定著整個半導體產業(yè)鏈的自主可控程度。近期有預測稱，到2025年中國大陸半導體設備整體國產化率有望達到50%，該消息引起了行業(yè)一眾關注。究竟真實進展如何？
中微公司增資至40億，增幅300%
4月21日，企查查顯示，中微半導體（上海）有限公司宣布注冊資本由10億元人民幣增至40億元人民幣，增幅達300%。通過增資，中微公司將進一步增強資金實力，加速技術研發(fā)和市場拓展，提升在全球半導體設備市場的競爭力。
中微公司2024年財報顯示，公司實現(xiàn)營業(yè)收入90.65億元，同比增長44.7%，其中刻蝕設備貢獻超72億元，同比增長54.7%，穩(wěn)居國產刻蝕設備龍頭。盡管凈利潤約16.16億元，同比下滑9.5%，但扣非凈利潤約13.88億元，同比增長16.5%。這一下滑主要受研發(fā)投入激增影響，2024年研發(fā)費用達24.5億元，同比增長94.3%。公司創(chuàng)始人尹志堯表示，2024年人均銷售超過400萬元，達到設備產業(yè)國際先進水平。
從出貨設備來看，刻蝕領域，該公司的CCP刻蝕設備2024年生產付運超過1200反應臺，創(chuàng)歷史新高，累計裝機量超過4000反應臺；薄膜沉積設備領域，LPCVD設備累計出貨量已突破150個反應臺，2024年獲得約4.76億元批量訂單，ALD（原子層沉積）設備和其他關鍵薄膜沉積設備研發(fā)項目正在順利推進，EPI（外延）設備已順利進入客戶端量產驗證階段。
量測設備領域，中微公司控股子公司超微半導體設備（上海）有限公司擬增資至1.6億元，中微公司持股比例將降至47.2%，但仍保持控制權。據(jù)悉，超微公司重點開發(fā)電子束量檢測設備，該設備是芯片制造和先進封裝工藝中的關鍵設備，對我國發(fā)展新質生產力至關重要。
今年1月，中微公司計劃在成都市高新區(qū)投資設立全資子公司中微半導體設備（成都）有限公司，建設研發(fā)及生產基地暨西南總部項目。項目總投資約30.5億元，主要用于研發(fā)薄膜設備。該公司將作為中微公司的西南總部，建設包括研發(fā)中心、生產基地和配套設施，預計2025年開工，2027年投入生產。
北方華創(chuàng)：擬向全資子公司增資4億元，并參與北京電控增資
4月18日，北方華創(chuàng)公告，公司擬以全資子公司北方華創(chuàng)創(chuàng)新投資(北京)有限公司作為出資平臺，與北京電子控股有限責任公司（以下簡稱“北京電控”）各出資4億元人民幣，以非公開協(xié)議方式向北京電控控股子公司北京電控產業(yè)投資有限公司增資。
據(jù)悉，電控產投將主要通過基金和股權投資方式，圍繞集成電路、人工智能、物聯(lián)網等應用領域，投資布局發(fā)展?jié)摿Υ蟆⒓夹g或產品好的標的企業(yè)。此次增資總額為8億元，其中北方華創(chuàng)出資4億元，北京電控出資4億元。增資完成后，電控產投注冊資本將增至18.57億元，北方華創(chuàng)持股比例為17.6847%。
資料顯示，電控產投成立于2008年10月30日，注冊資本12億元，股權結構上，北京電控持有50%的股權、京東方持有33.3%股權、電子城持有16.7%股權。
值得注意的是，當前北方華創(chuàng)持續(xù)擴大業(yè)務布局。今年3月31日，北方華創(chuàng)公告，受讓沈陽中科天盛自動化技術有限公司（下稱“中科天盛”）持有的芯源微股份1690萬股，占芯源微總股本的8.41%。更早前的3月10日，北方華創(chuàng)與沈陽先進制造技術產業(yè)有限公司（下稱“先進制造”）簽署了股份轉讓協(xié)議，北方華創(chuàng)擬受讓先進制造持有的芯源微9.49%股份，合計1906.49萬股，交易金額為16.87億元。
受益于半導體行業(yè)回暖，北方華創(chuàng)業(yè)績亮眼。2024年，北方華創(chuàng)實現(xiàn)營業(yè)收入298.38億元，同比增長35.14%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為56.21億元，同比增長44.17%。該公司還發(fā)布了2025年一季度業(yè)績預告顯示，預計實現(xiàn)營收73.4億元至89.8億元，同比增長23.35%-50.91%；預計實現(xiàn)歸母凈利潤14.2億元至17.4億元，同比增長24.69%-52.79%。
北方華創(chuàng)表示，2024年公司深耕半導體基礎產品領域，經營業(yè)績穩(wěn)定增長。公司集成電路裝備領域多款新產品取得突破，工藝覆蓋度及市場占有率顯著增長，產品銷量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成電路裝備領域電容耦合等離子體刻蝕設備（CCP）、原子層沉積設備（ALD）、高端單片清洗機等多款新產品實現(xiàn)關鍵技術突破，工藝覆蓋度顯著增長，同時多款成熟產品市場占有率穩(wěn)步提升。憑借優(yōu)良的產品、技術和服務優(yōu)勢，公司市場份額持續(xù)擴大，營業(yè)收入同比提升。
中國半導體設備國產化進程飆升
據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，中國作為全球最大的半導體消費市場，強勁的市場需求為半導體設備產業(yè)的發(fā)展提供了強大動力。近年來，國內半導體設備企業(yè)在技術突破和國產替代方面持續(xù)發(fā)力并取得顯著進展。以北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海等為代表的設備公司，在技術研發(fā)和市場拓展上成果斐然，逐步成為市場競爭中的重要力量。截至2024年，中國半導體設備國產化率提升至13.6%，在刻蝕、清洗、去膠和CMP設備市場，國產化率已突破雙位數(shù)。盡管光刻設備與國際先進水平仍存在差距，但也取得了部分突破。
全球前五大半導體設備廠商均專注于前道設備應用，分別是應用材料、ASML、東京電子、Lam?Research和科磊（KLA）。其中，應用材料、東京電子、泛林半導體是平臺型企業(yè)，業(yè)務橫跨刻蝕、薄膜、清洗、離子注入等多個領域，而ASML和KLA屬于細分領域龍頭。從行業(yè)發(fā)展趨勢來看，向平臺型企業(yè)發(fā)展是進入全球設備第一梯隊的關鍵路徑。
由上表可知，在中國大陸，我國目前在發(fā)展平臺型設備廠商方面卓有成效的主要有北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海和萬業(yè)企業(yè)，而在各細分領域也出現(xiàn)了諸如拓荊科技、芯源微、華海清科、長川科技、精測電子、中科飛測等代表性企業(yè)。
我國設備平臺型企業(yè)發(fā)展情況各有不同，北方華創(chuàng)發(fā)展較早，已形成規(guī)模，是國內唯一成型的平臺型設備企業(yè)；中微公司和盛美上海處于加速成長階段，具備一定規(guī)模；萬業(yè)企業(yè)雖處于發(fā)展初期，但明確朝著“平臺型”企業(yè)的目標邁進。從企業(yè)發(fā)展體量來看，自2022年起，設備行業(yè)誕生了北方華創(chuàng)和晶盛機電兩個百億設備巨頭。
據(jù)全球半導體觀察綜合中國半導體產業(yè)協(xié)會、企業(yè)財報、半導體行業(yè)咨詢公司等行業(yè)各方消息可知，我國在去膠、清洗、刻蝕設備方面國產化率較高；在CMP、熱處理、薄膜沉積領域，近幾年國產化取得明顯突破；然而在量測、涂膠顯影、光刻、離子注入等設備領域，仍較為薄弱。
去膠設備領域來看，中國半導體國產化率在2023-2024年顯著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市場已實現(xiàn)較高替代率。綜合行業(yè)多方數(shù)據(jù)顯示，在中低端市場，國產化率約75%-90%，主要覆蓋成熟制程、功率半導體、先進封裝等領域；而在高端市場上，在先進邏輯芯片（14nm以下，下同）和高端存儲芯片（3D NAND/DRAM）中，國產化率仍低于30%，這部分主要依賴東京電子、Lam Research等國際廠商。目前，我國在去膠設備領域的代表企業(yè)主要有屹唐半導體、浙江宇謙、上海稷以、北方華創(chuàng)、盛美上海等，總體來看國產設備在“去膠+清洗”集成設備中占優(yōu)。
清洗設備領域，我國國產化率已不斷提高至50-60%，代表企業(yè)主要有北方華創(chuàng)、盛美上海、至純科技、芯源微、屹唐半導體等。
在刻蝕設備領域，我國在成熟制程國產化率約為50%-60%，主要應用于邏輯芯片、功率半導體和存儲芯片（如3D NAND）；而在先進制程，國產化率不足15%，高端市場被Lam?Research、東京電子、應用材料等壟斷。在該領域我國主要代表企業(yè)有中微公司、北方華創(chuàng)、嘉芯半導體、屹唐半導體等，另外拓荊科技、盛美上海、芯源微雖然沒有專門推出轉有的刻蝕設備，但其部分領域設備均有涉及刻蝕工藝。
在熱處理設備領域，我國國產化率約為30%-40%，主要代表企業(yè)有北方華創(chuàng)、晶盛機電、中微公司、拓荊科技、嘉芯半導體等，另外華海清科、拓荊科技、芯源微部分領域設備均有涉及熱處理工藝，占據(jù)一定市場份額。
PVD設備領域則是北方華創(chuàng)、捷佳偉創(chuàng)、嘉芯半導體、中電科、科睿設備有限公司、中科院沈陽科學儀器、合肥科晶材料、晶盛機電、中微公司、盛美上海、拓荊科技。該領域設備國產化率還處于較低水平，約為15%-20%，其中在先進制程領域，國產化率僅為10%左右，主要依賴進口。
半導體CMP設備領域，我國在成熟制程國產化率約15%-25%，主要應用于功率半導體、MEMS傳感器等領域；而在先進制程上國產化率不足10%，高端市場由應用材料、荏原制作所等壟斷。我國在該領域上的代表企業(yè)主要有盛美上海、華海清科、中國電科、鼎龍控股、爍科精微等。
涂膠顯影設備是光刻工藝的核心設備之一，主要用于晶圓的光刻膠涂覆、顯影等步驟。在該領域，我國國產化率約為10%-15%（主要集中在封裝和成熟制程），前道設備國產化率不足10%。行業(yè)消息顯示，涂膠顯影設備的主要挑戰(zhàn)在于設備穩(wěn)定性、工藝精度（如均勻性控制）、與光刻機的協(xié)同適配方面。我國涂膠顯影設備主要代表企業(yè)則是盛美上海、芯源微、北方華創(chuàng)、中微公司、華峰測控等。
在離子注入設備領域，我國在成熟制程上的國產化率約10%-20%，主要應用于功率半導體、MEMS傳感器等非先進邏輯芯片領域；而在先進制程國產化率不足5%，市場由應用材料、Axcelis、日立國際電氣主導。目前，國產設備在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）離子注入領域仍落后，束流均勻性（±3%vs國際±1%）和穩(wěn)定性待提升。而在晶圓尺寸適配上，12英寸設備成熟度低，8英寸設備逐步替代進口。此外在相關重要配件上如離子源、質量分析器等長期依賴進口。該領域我國主要代表企業(yè)為凱世通、中國電科、爍科中信科、北方華創(chuàng)、中微公司等。
半導體量測設備包括晶圓缺陷檢測、關鍵尺寸測量（CD-SEM）、膜厚測量（橢偏儀）、套刻精度測量等，技術門檻極高。該領域整體國產化率約為10%-15%，我國主要在中低端設備和部分細分領域取得突破，其中前道高端設備（如EUV相關檢測）國產化率不足5%。目前該領域的主要發(fā)展瓶頸在于核心光學部件（如高精度激光器）、算法軟件（缺陷分類與數(shù)據(jù)分析）依賴進口，設備穩(wěn)定性與海外巨頭存在差距。在量測領域我國主要代表企業(yè)為上海微電子、中科飛測、精測電子、華海清科、北方華創(chuàng)等。
在半導體光刻設備前道制造（EUV/ArF浸沒式）領域，國產化率約為0%-1％。而在成熟制程光刻機（KrF/i-line，90nm及以上），國產化率約10%-15%，主要用于功率半導體、MEMS、分立器件等領域。而在封裝光刻機（后道先進封裝），在上海微電子主導下，國產化率不斷提升。在該領域我國的主要代表企業(yè)有上海微電子、中國電科、北方華創(chuàng)等。據(jù)悉，上海微電子計劃推出支持55nm制程的KrF光刻機，并推進28nm光刻機量產驗證。
