芯耀
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之前給大家介紹了晶圓制備和芯片制造：晶圓是如何制造出來的？、從入門到放棄，芯片的詳細(xì)制造流程！
從今天開始，我們聊聊芯片的封裝和測試（通常簡稱“封測”）。
這一部分，在行業(yè)里也被稱為后道（Back End）工序，一般都是由OSAT封測廠（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，外包半導(dǎo)體封裝與測試）負(fù)責(zé)。
█ 封裝的目的
先說封裝。
封裝這個詞，其實我們經(jīng)常會聽到。它主要是指把晶圓上的裸芯片（晶粒）變成最終成品芯片的過程。
之所以要做封裝，主要目的有兩個。
一個是對脆弱的晶粒進(jìn)行保護(hù)，防止物理磕碰損傷，也防止空氣中的雜質(zhì)腐蝕晶粒的電路。
二是讓芯片更適應(yīng)使用場景的要求。
芯片有很多的應(yīng)用場景。不同的場景，對芯片的外型有不同的要求。進(jìn)行合適的封裝，能夠讓芯片更好地工作。
我們平時會看到很多種外型的芯片，其實就是不同的封裝類型
█ 封裝的發(fā)展階段
封裝工藝伴隨芯片的出現(xiàn)而出現(xiàn)，迄今為止已有70多年的歷史。
總的來看，封裝工藝一共經(jīng)歷了五個發(fā)展階段：
接下來，我們一個個來說。
傳統(tǒng)封裝
最早期的晶體管，采用的是TO（晶體管封裝）。后來，發(fā)展出了DIP（雙列直插封裝）。
我們最熟悉的三極管造型，就是TO封裝
再后來，由PHILIP公司開發(fā)出了SOP（小外型封裝），并逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
DIP內(nèi)部構(gòu)造
第一、第二階段（1960-1990年）的封裝，以通孔插裝類封裝（THP）以及表面貼裝類封裝（SMP）為主，屬于傳統(tǒng)封裝。
傳統(tǒng)封裝，主要依靠引線將晶粒與外界建立電氣連接。
這些傳統(tǒng)封裝，直到現(xiàn)在仍比較常見。尤其是一些老的經(jīng)典型號芯片，對性能和體積要求不高，仍會采用這種低成本的封裝方式。
第三階段（1990-2000年），IT技術(shù)革命加速普及，芯片功能越來越復(fù)雜，需要更多的針腳。電子產(chǎn)品小型化，又要求芯片的體積繼續(xù)縮小。
這時，BGA（球型矩陣、球柵陣列）封裝開始出現(xiàn)，并成為主流。
BGA仍屬于傳統(tǒng)封裝。它的接腳位于芯片下方，數(shù)量龐大，非常適合需要大量接點的芯片。而且，相比DIP，BGA的體積更為緊湊，非常適合需要小型化設(shè)備。
和BGA有些類似的，還有LGA（平面網(wǎng)格陣列封裝）和PGA（插針網(wǎng)格陣列封裝）。大家應(yīng)該注意到了，我們最熟悉的CPU，就是這三種封裝。
先進(jìn)封裝
20世紀(jì)末，芯片級封裝（CSP）、晶圓級封裝（WLP）、倒裝封裝（Flip Chip）開始慢慢崛起。傳統(tǒng)封裝開始向先進(jìn)封裝演變。
相比于BGA這樣的封裝，芯片級封裝（CSP）強(qiáng)調(diào)的是尺寸的更小型化（封裝面積不超過芯片面積的1.2倍）。
晶圓級封裝是芯片級封裝的一種，封裝的尺寸接近裸芯片大小。
下期我們講具體工藝的時候，會提到封裝包括了一個切割工藝。傳統(tǒng)封裝，是先切割晶圓，再封裝。而晶圓級封裝，是先封裝，再切割晶圓，流程不一樣。
晶圓級封裝
倒裝封裝（Flip Chip）的發(fā)明時間很早。1960年代的時候，IBM就發(fā)明了這個技術(shù)。但是直到1990年代，這個技術(shù)才開始普及。
采用倒裝封裝，就是不再用金屬線進(jìn)行連接，而是把晶圓直接反過來，通過晶圓上的凸點（Bump），與基板進(jìn)行電氣連接。
和傳統(tǒng)金屬線方式相比，倒裝封裝的I/O（輸入/輸出）通道數(shù)更多，互連長度縮短，電性能更好。另外，在散熱和封裝尺寸方面，倒裝封裝也有優(yōu)勢。
先進(jìn)封裝的出現(xiàn)，迎合了當(dāng)時時代發(fā)展的需求。
它采用先進(jìn)的設(shè)計和工藝，對芯片進(jìn)行封裝級重構(gòu)，帶來了更多的引腳數(shù)量、更小的體積、更高的系統(tǒng)集成度，能夠大幅提升系統(tǒng)的性能。
進(jìn)入21世紀(jì)后，隨著移動通信和互聯(lián)網(wǎng)革命的進(jìn)一步爆發(fā)，促進(jìn)芯片封裝進(jìn)一步朝著高性能、小型化、低成本、高可靠性等方向發(fā)展。先進(jìn)封裝技術(shù)開始進(jìn)入高速發(fā)展的階段。
這一時期，芯片內(nèi)部布局開始從二維向三維空間發(fā)展（將多個晶粒塞在一起），陸續(xù)出現(xiàn)了2.5D/3D封裝、硅通孔（TSV）、重布線層（RDL）、扇入（Fan-In）/扇出（Fan-Out）型晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝（SiP）等先進(jìn)技術(shù)。
當(dāng)芯片制程發(fā)展逐漸觸及摩爾定律的底線時，這些先進(jìn)的封裝技術(shù)，就成了延續(xù)摩爾定律的“救命稻草”。
█ 先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)
2.5D/3D封裝
2.5D和3D封裝，都是對芯片進(jìn)行堆疊封裝。
2.5D封裝技術(shù)，可以將兩種或更多類型的芯片放入單個封裝，同時讓信號橫向傳送，這樣可以提升封裝的尺寸和性能。
最廣泛使用的2.5D封裝方法，是通過硅中介層（Interposer）將內(nèi)存和邏輯芯片（GPU或CPU等）放入單個封裝。
2.5D封裝需要用到硅通孔（TSV）、重布線層（RDL）、微型凸塊等核心技術(shù)。
3D封裝是在同一個封裝體內(nèi)，于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù)。
2.5D和3D封裝的主要區(qū)別在于：
2.5D封裝，是在Interposer上進(jìn)行布線和打孔。而3D封裝，是直接在芯片上打孔和布線，連接上下層芯片堆疊。相對來說，3D封裝的要求更高，難度更大。
2.5D和3D封裝起源于FLASH存儲器（NOR/NAND）及SDRAM的需求。大名鼎鼎的HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器），就是2.5D和3D封裝的典型應(yīng)用。將HBM和GPU進(jìn)行整合，能夠進(jìn)一步發(fā)揮GPU的性能。
HBM通過硅通孔等先進(jìn)封裝工藝，垂直堆疊多個DRAM，并在Interposer上與GPU封裝在一起。HBM內(nèi)部的DRAM堆疊，屬于3D封裝。而HBM與GPU合封于Interposer上，屬于2.5D封裝。
現(xiàn)在業(yè)界很多廠商推出的新技術(shù)，例如CoWoS、HBM、Co-EMIB、HMC、Wide-IO、Foveros、SoIC、X-Cube等，都是由2.5D和3D封裝演變而來的。
系統(tǒng)級封裝（SiP）
大家應(yīng)該都聽說過SoC（System on Chip，系統(tǒng)級芯片）。我們手機(jī)里面那個主芯片，就是SoC芯片。
SoC，簡單來說，是將多個原本具有不同功能的芯片整合設(shè)計到一顆單一的芯片中。這樣可以最大程度地縮小體積，實現(xiàn)高度集成。
但是，SoC的設(shè)計難度很大，同時還需要獲得其他廠商的IP（intellectual property）授權(quán)，增加了成本。
SiP（System In Packet，系統(tǒng)級封裝），和SoC就不一樣。
SiP將多個芯片直接拿來用，以并排或疊加的方式（2.5D/3D封裝），封裝在一個單一的封裝體內(nèi)。
盡管SiP沒有SoC那樣高的集成度，但也夠用，也能減少尺寸，最主要是更靈活、更低成本（避免了繁瑣的IP授權(quán)步驟）。
業(yè)界常說的Chiplet（小芯粒、小芯片），其實就是SiP的思路，將一類滿足特定功能的裸片（die），通過die-to-die的內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)，互聯(lián)形成大芯片。
硅通孔（TSV）
前面反復(fù)提到了硅通孔（through silicon via，TSV，也叫硅穿孔）。
所謂硅通孔，其實原理也挺簡單，就是在硅介質(zhì)層上刻蝕垂直通孔，并填充金屬，實現(xiàn)上下層的垂直連接，也就實現(xiàn)了電氣連接。
由于垂直互連線的距離最短、強(qiáng)度較高，所以，硅通孔可以更容易實現(xiàn)小型化、高密度、高性能等優(yōu)點，非常適合疊加封裝（3D封裝）。
硅通孔的具體工藝，我們下期再做介紹。
重布線層（RDL）
RDL是在芯片表面沉積金屬層和相應(yīng)的介電層，形成金屬導(dǎo)線，并將IO端口重新設(shè)計到新的、更寬敞的區(qū)域，形成表面陣列布局，實現(xiàn)芯片與基板之間的連接。
RDL技術(shù)
說白了，就是在硅介質(zhì)層里面重新連線，確保上下兩層的電氣連通。在3D封裝中，如果上下堆疊的是不同類型的芯片（接口不對齊），則需要通過RDL重布線層，將上下層芯片的IO進(jìn)行對準(zhǔn)。
如果說TSV實現(xiàn)了Z平面的延伸，那么，重布線層（RDL）技術(shù)則實現(xiàn)了X-Y平面進(jìn)行延伸。業(yè)界的很多技術(shù)，例如WLCSP、FOWLP、INFO、FOPLP、EMIB等，都是基于RDL技術(shù)。
扇入（Fan-In）/扇出（Fan-Out）型晶圓級封裝
WLP（晶圓級封裝）可分為扇入型晶圓級封裝（Fan-In WLP）和扇出型晶圓級封裝（Fan-Out WLP）兩大類。
扇入型直接在晶圓上進(jìn)行封裝，封裝完成后進(jìn)行切割，布線均在芯片尺寸內(nèi)完成，封裝大小和芯片尺寸相同。
扇出型則基于晶圓重構(gòu)技術(shù)，將切割后的各芯片重新布置到人工載板上。然后，進(jìn)行晶圓級封裝，最后再切割。布線可在芯片內(nèi)和芯片外，得到的封裝面積一般大于芯片面積，但可提供的IO數(shù)量增加。
目前量產(chǎn)最多的，是扇出型產(chǎn)品。
以上，小棗君盡可能簡單地介紹了一些封裝的背景知識。
下一期，我要開始介紹封裝的主要工藝。敬請關(guān)注！
參考文獻(xiàn)：1、《芯片制造全工藝流程》，半導(dǎo)體封裝工程師之家；2、《一文讀懂芯片生產(chǎn)流程》，Eleanor羊毛衫；3.、《不得不看的芯片制造全工藝流程》，射頻學(xué)堂；4、《什么是先進(jìn)封裝？和傳統(tǒng)封裝有什么區(qū)別？如何分類？》，失效分析工程師趙工；5、《一文了解先進(jìn)封裝之倒裝芯片(FlipChip)技術(shù)》，圓圓的圓，半導(dǎo)體全解；6、《一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技術(shù)》，圓圓的圓，半導(dǎo)體全解；7、《先進(jìn)封裝發(fā)展充要條件已具，關(guān)鍵材料國產(chǎn)替代在即》，國金證券；8、《Chiplet先進(jìn)封裝大放異彩》，民生證券；9、維基百科、百度百科、各廠商官網(wǎng)。
