芯耀
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“抱歉我不會講中文，我的英文也不是很標(biāo)準(zhǔn)，但是我相信臺下的同學(xué)們的能力，應(yīng)該聽得懂接下來我要講的內(nèi)容?！?月28日在英飛凌高校日南航站的演講中，來自德國的英飛凌功率器件技術(shù)專家，IEEE協(xié)會顧問Leo Lorenz以上面一段話作為他的開場白。從稍后提問環(huán)節(jié)的熱烈程度可知Leo說的沒錯，這和Leo深入淺出的演講內(nèi)容有關(guān)，而能和如此資深的技術(shù)專家面對面交流，同學(xué)們當(dāng)然也不會錯過這樣難得的機(jī)會。
Leo Lorenz在英飛凌高校日南航站為同學(xué)們帶來精彩技術(shù)演講
同學(xué)們深深被吸引
互動很踴躍
演講結(jié)束后與非網(wǎng)記者又和Leo做了深入的溝通，這位謙和而嚴(yán)謹(jǐn)?shù)睦险吒覀兎窒砹怂麑β势骷夹g(shù)當(dāng)前熱點(diǎn)以及未來發(fā)展路徑的想法，包括：
1. 隨著全面電子化、智能化社會的飛速發(fā)展，能耗問題已經(jīng)顯得刻不容緩，由此將給功率器件帶來極樂觀的發(fā)展機(jī)遇，這點(diǎn)應(yīng)該屬于共識；
2. 功率器件技術(shù)同樣面臨4大挑戰(zhàn)—高精度的控制以及高效率、高功率密度、系統(tǒng)可靠性以及高溫散熱處理；
3. Leo對目前市場上的混合功率器件，即一些廠商推出的號稱融合IGBT和MOSFET性能優(yōu)勢的Hybrid產(chǎn)品并不看好，Leo稱這類產(chǎn)品設(shè)計復(fù)雜度提高，因?yàn)槭峭瑫r采用Bipolar和MOS工藝實(shí)現(xiàn)，且在高頻和低頻時需要在兩種模式間切換，會給系統(tǒng)設(shè)計的性能帶來很大的問題。另外，Leo對現(xiàn)有SiC BJT器件的前景也并不看好，因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/512433.html">二極管的特性決定，這些器件始終需要一個基準(zhǔn)電流才能啟動，這一點(diǎn)不能滿足未來嚴(yán)苛的能效要求，因此會逐漸被淘汰；
4. 未來10到20年，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET將大有作為，在低壓應(yīng)用領(lǐng)域，GaN MOSFET將大展拳腳，而現(xiàn)階段二者面臨的共同問題是要提高良率和可靠性，在SiC MOSFET和GaN MOSFET之外，IGBT也將發(fā)揮越來越重要的作用；
未來10年，功率器件的主流工藝
5. 在一些低壓和便攜式的應(yīng)用領(lǐng)域，因?yàn)槌叽绲囊?，PMU即高集成度的電源管理產(chǎn)品將成為一種趨勢，而對于高壓應(yīng)用而言，PMU還有不可克服的技術(shù)難題，同時來自應(yīng)用的高集成度的需求也并不那么明顯；
6. 封裝技術(shù)方面，3D封裝因能大大提高電源產(chǎn)品的集成度、降低系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度而成為一種重要的技術(shù)研發(fā)方向，而與數(shù)字類芯片不同，模擬和電源芯片因其設(shè)計的復(fù)雜度更高，對3D封裝技術(shù)提出更高要求，因此，Leo預(yù)計，用于功率產(chǎn)品的3D封裝技術(shù)至少要在5年后才能進(jìn)入量產(chǎn)。
短短3個小時的活動時間畢竟太短，相信很多同學(xué)學(xué)習(xí)中積累下來的問題也沒辦法在這么短的時間內(nèi)得到充分解答，而正如英飛凌集成電路（北京）有限公司執(zhí)行董事劉魯偉所說，英飛凌高校日活動的初衷，是希望通過這種方式和國內(nèi)更多的高校建立緊密的聯(lián)系，這一活動只是一個開始，英飛凌將通過多種形式的校企合作，為國內(nèi)高校帶來更多的前沿技術(shù)資訊以及和更多技術(shù)專家的互動交流機(jī)會，從而讓越來越多的工科學(xué)子從中受益。
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英飛凌高校日同濟(jì)站報道：未來汽車靠我們共同打造
