驍龍810過熱問題元兇，都是臺積電20nm工藝鬧的？

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早有消息顯示三星將在其手機中棄用高通芯片，改用自家的Exynos芯片，三星這樣做是有原因的。坊間傳聞三星Galaxy S6和S6 Edge采用高通驍龍810會出現(xiàn)過熱現(xiàn)象。

有國外科技媒體報道驍龍810芯片的過熱現(xiàn)象確實存在，這是在一款高端芯片中不該出現(xiàn)的。該媒體為驗證此事甚至找到專業(yè)實驗室Primate Labs，對采用了驍龍810的HTC M9和LG G Flex 2手機進行測試。驍龍810推出時稱較前幾代產(chǎn)品包括800、801和805的處理速度都要快。

在外行看來，智能手機和平板電腦過熱時就會出現(xiàn)節(jié)流。但是在驍龍810這個案例上，節(jié)流現(xiàn)象出現(xiàn)的過早，讓處理器迅速變熱。

根據(jù)Primate Labs的測試，把Galaxy S6和HTC的手機做比較，采用Exynos芯片的三星手機明顯性能更好。該組織比較了Exynos 7420中采用的大核ARM Cortex A57和驍龍810種對應的大核的性能，差異相當明顯。

當兩個手機都出現(xiàn)節(jié)流的時候，驍龍810頻率在幾分鐘內(nèi)迅速降到900MHz以下。而另一邊，Exynos芯片依然表現(xiàn)良好，因為它沒有啟用小核，在測試的15分鐘內(nèi)一直保持良好散熱和始終速度。

因為驍龍810的過熱和節(jié)流問題，可能導致HTC One M9和LG G Flex 2的電池使用壽命縮短，性能表現(xiàn)更差。而高通芯片過熱的原因在于其采用了臺積電20nm制造工藝。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工藝。

有媒體稱三星在如何利用Cortex CPU內(nèi)核來實現(xiàn)智能手機和其他終端設備的設計方面更有經(jīng)驗。高通很可能在現(xiàn)代產(chǎn)品驍龍820上改善現(xiàn)有問題，包括更加高效并采用更低的14nm工藝。芯片也會采用定制化的64位Kryo架構，徹底解決810出現(xiàn)的問題。

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