一手新鮮,給你帶來最新的電子行業(yè)產(chǎn)品信息。本期帶來三款產(chǎn)品:下一代 Design Compiler、STM32L0 超值系列 MCU 以及全 SiC 功率模塊。
1、新思科技推出下一代 Design Compiler,進一步強化 Synthesis 領先地位
制造商:新思科技
描述:Design Compiler NXT 通過創(chuàng)新性的核心技術同時滿足了諸如人工智能(AI)、云計算、5G 和自動駕駛等半導體市場對更小體積、更高性能、更低功耗的集成電路(IC)的需求,以及對研發(fā)周期越來越高的要求。
特點:
Design Compiler NXT 采用創(chuàng)新、高效的優(yōu)化引擎,可將運行速度提升 2 倍,并提供基于云計算的分布式綜合(synthesis)技術,從而進一步加快運行速度。
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支持先進工藝節(jié)點,通過平臺化的通用庫以及與 IC Compiler II 校準的 RC 寄生參數(shù)提取,實現(xiàn)在 5nm 以及更先進工藝節(jié)點下極為緊密的相關一致性。
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全新的時序和功耗優(yōu)化擴展了 Design Compiler 的 QoR 優(yōu)勢,這對于高性能和低功耗設計至關重要。
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Design Compiler NXT 能夠即插即用,與 Design Compiler Graphical 具有用戶界面和腳本的兼容性。
適用范圍:用于開發(fā)先進 SoC 和 MCU 芯片的核心軟件。?
2、意法半導體全新 STM32L0 超值系列 MCU,讓市場領先的超低 功耗 MCU 產(chǎn)品家族更具親和力
制造商:意法半導體
描述:一款價格親民的入門級產(chǎn)品,為飽受成本、尺寸或功率限制的設計人員帶來超低功耗技術和高效的 32 位性能以及 Arm?Cortex?-M0 +內(nèi)核。
特點:
STM32L0x0 片上集成高達 128KB 的閃存、20KB SRAM 和 512B 硬件嵌入式 EEPROM,為客戶節(jié)省外部元器件的占用,減少電路板空間,降低物料清單成本;
低泄漏電流節(jié)能技術和各種產(chǎn)品功能特性,如低功耗 UART、低功耗定時器、41μA 10ksample/s ADC,以及僅為 5μs 的省電模式喚醒時間,讓宏偉的能源管理目標變得觸手可及。
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供貨情況:STM32L0x0 超值系列有六款新產(chǎn)品,為客戶提供多種存儲容量選擇,包括 16KB、64KB 或 128KB 的閃存,128B、256B 或 512B 的 EEPROM,還有多種封裝可選。目前,STM32 產(chǎn)品家族共有 800 多款產(chǎn)品,提供各種內(nèi)核性能和集成功能。
STM32L0x0 超值系列微控制器現(xiàn)已投產(chǎn),有 16 KB 閃存和 128B EEPROM 的配置。
3、ROHM 推出 1700V 250A 全 SiC 功率模塊
制造商:ROHM
描述:面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級可靠性的額定值保證 1700V 250A 的全 SiC 功率模塊“BSM250D17P2E004”。
特色:
1. 在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級的可靠性
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通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策,并引進新工藝方法,使新模塊通過了 HV-H3TRB 高溫高濕反偏試驗,從而使 1700V 耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場。
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比如在高溫高濕反偏試驗中,比較對象 IGBT 模塊在 1,000 小時以內(nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿,而 BSM250D17P2E004 在 85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下,即使施加 1360V 達 1,000 小時以上,仍然無故障,表現(xiàn)出極高的可靠性。
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2. 優(yōu)異的導通電阻性能,有助于設備進一步節(jié)能
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新模塊中使用的是 ROHM 產(chǎn)的 SiC SBD 和 SiC MOSFET。通過 SiC SBD 和 SiC MOSFET 的最佳組合配置,使導通電阻低于同等普通產(chǎn)品 10%,這將非常有助于應用進一步節(jié)能。
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<SiC 功率模塊的產(chǎn)品陣容>
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供貨情況:本模塊已于 2018 年 10 月開始投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為 ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡),后期工序的生產(chǎn)基地為 ROHM 總部工廠(日本京都)。