芯耀
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第 31 屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)將于 2019 年 5 月 19-23 日在上海寶華萬豪酒店舉辦，這是 ISPSD 會議舉辦 30 多年以來第一次在中國內(nèi)地召開。
ISPSD 2019 由浙江大學(xué)主辦，浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會主席（General Chair），電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會副主席（Vice General Chair）；香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會（Technical Program Committee，TPC）主席。
ISPSD 會議是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、影響力最強的頂級學(xué)術(shù)會議，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會議，一直以來都是國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。
為了讓大家對 ISPSD 有更全面的了解，筆者特別對前 30 年的 ISPSD 會議情況進行一個簡單回顧。如有不當(dāng)之處，敬請指正。
本文分三大部分：
一、ISPSD 的發(fā)展和成就
1、ISPSD 的起源
2、全球輪流舉辦讓 ISPSD 更具全球化
3、ISPSD 關(guān)注的重點領(lǐng)域
4、ISPSD 技術(shù)委員會
5、ISPSD 的成就
二、ISPSD 三十年的亮點
1、IGBT
2、BCDMOS 技術(shù)
3、超結(jié)器件（Super Junction devices）
三、中國內(nèi)地在 ISPSD 的表現(xiàn)
1、中國內(nèi)地論文發(fā)表情況
2、中國內(nèi)地專家在 ISPSD TPC 的影響
3、中國內(nèi)地在 ISPSD 的特邀報告情況
一、ISPSD 的發(fā)展和成就
1、ISPSD 的起源
為了滿足日益發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件和技術(shù)的需求，IEEE 旗下多個技術(shù)學(xué)會在 20 世紀(jì) 80 年代中后期舉辦了多個專題討論會。
1987 年 5 月，國際電子電氣工程師學(xué)會電化學(xué)學(xué)會（IEEE ECS，IEEE Electro Chemical Society）的電子分會（Electronics division）發(fā)起舉辦了“高壓和智能功率器件論壇（Symposium on High Voltage and Smart Power Devices）”，論壇在賓夕法尼亞州費城（Philadelphia）舉行。
1988 年 8 月，日本電氣工程師學(xué)會（IEE Japan）在日本東京舉辦了“國際功率半導(dǎo)體器件研討會（International Symposium on Power Semiconductor Devices）”。這次會議通常被業(yè)界認(rèn)為是 ISPSD 的首屆會議。
1989 年 5 月，國際電子電氣工程師學(xué)會電化學(xué)學(xué)會（IEEE ECS）在賓夕法尼亞州雷?。≧eading）發(fā)起舉辦了“高壓器件和智能功率集成電路（High Voltage & Smart Power ICs）”，會議得到國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會（IEEE EDS，IEEE Electron Devices Society）的支持。
1990 年 4 月，國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會（IEEE EDS）與日本電氣工程師學(xué)會（IEE Japan）在日本東京共同舉辦第二屆 ISPSD。本屆 ISPSD 會議在標(biāo)題中加入了“IC”，會議名稱改為“國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）”。但是英文縮寫沒有改變，還是縮寫為“ISPSD”。
這也表明功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的挑戰(zhàn)：將高壓大功率器件與集成功率器件和 IC 相結(jié)合。
2、全球輪流舉辦讓 ISPSD 更具全球化
1991 年，第三屆 ISPSD 在美國巴爾的摩舉行，會議得到國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會（IEEE EDS）全力支持。
1994 年，第六屆 ISPSD 在瑞士達沃斯舉行，這是 ISPSD 會議首次在歐洲舉辦。會議得到蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)（ETH）、國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會（IEEE EDS）、日本電氣工程師學(xué)會（IEE Japan）和歐洲電力電子學(xué)會（European Conf. on Power Electronics，EPE）的支持。
從 1994 年開始，ISPED 在日本（亞洲地區(qū)）、美國（北美地區(qū)）和歐洲三地輪流主辦，ISPSD 成為全球最重要的功率半導(dǎo)體器件研討會。
要注意的是，1999 年 ISPSD 會議在加拿大多倫多舉行；2007 年 ISPSD 會議在韓國濟州島舉行。
隨著 2010 年以后“其他地區(qū)”提交的論文數(shù)量增加，ISPSD 咨詢委員會決定，2012 年開始從美國、日本和歐洲以外的其他地區(qū)進行遴選，進行四年輪換制。于是 2015 年 ISPSD 會議在中國香港舉行。
2019 年 ISPSD 會議將在中國上海舉辦。這是 30 多年以來，ISPSD 會議第一次在中國內(nèi)地舉辦，標(biāo)志著中國內(nèi)地的功率半導(dǎo)體器件和集成電路的研究和產(chǎn)業(yè)化在國際上產(chǎn)生著越來越重要的影響。
3、ISPSD 關(guān)注的重點領(lǐng)域
ISPSD 關(guān)注的重點領(lǐng)域包括高壓大功率分立器件、低壓功率器件、集成功率器件（LV 和 HV）和 IC、雙極和 MOS 控制器件和技術(shù)、射頻功率器件、非硅基器件、具有寬安全工作區(qū)的新型器件。
4、ISPSD 技術(shù)委員會
從 1988 年至 2004 年，大會的程序委員會不分組審查所有提交的論文。
從 2005 年起設(shè)立了技術(shù)程序委員會（TPC），并分成“低壓和射頻（Low Voltage and RF）、高壓（High Voltage）、集成功率（Integrated Power）”三個小組，分組審查論文。
2008 年增加了寬禁帶（Wide Bandgap）小組；2010 年增加了模塊和封裝（Module & Package）小組；2016 年寬禁帶（Wide Bandgap）小組一分為二，分別是：氮化鎵和其他氮化物（GaN and Other Nitrides）、碳化硅和其他（SiC and Other）。
經(jīng)過多次調(diào)整，目前技術(shù)程序委員會（TPC）設(shè)有六個小組：
高壓功率器件 High Voltage Power Devices (HV)；
低壓功率器件 Low Voltage Devices and Power IC Device Technology (LVT)；
功率集成電路 Power IC Design (ICD)；
氮化鎵與氮化物器件 GaN and Nitride Base Compound Materials (GaN)；
碳化硅和其他材料 SiC and Other Materials (SiC)；
模塊和封裝工藝 Module and Package Technologies (PK)。
本屆技術(shù)程序委員會（TPC）共有 61 人，其中中國共有 14 位，占 23%。香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任 TPC 主席。
其他 13 人分布在六個小組：羅小蓉（電子科技大學(xué)）、湯藝（Yi Tang，嘉興斯達半導(dǎo)體副總經(jīng)理）、張帥（Shuai (Simon) Zhang，臺積電 TSMC，原華虹宏力）；David Tsung-Yi Huang（瑞昱 Richtek）；游步東（矽力杰首席技術(shù)官及首席運營官）、祝靖（東南大學(xué)）；蔡志強（Tom Tsai，臺積電，氮化鎵與氮化物器件小組主席）、劉揚（中山大學(xué)）、楊樹（浙江大學(xué)）；黃智方（Chih-Fang Huang，中國臺灣清華大學(xué)）、李傳英（Chwan Ying Lee，瀚薪科技總經(jīng)理）、李坤彥（Kung-Yen Lee，中國臺灣大學(xué)）；趙振清（Zhenqing Zhao，臺達電子上海）。
5、ISPSD 的成就
第一是在一個會議中結(jié)合高壓大功率器件和集成功率器件和 IC。
第二是 ISPSD 作為國際功率半導(dǎo)體器件和 IC 首要會議的地位不可撼動。
第三是建立了一個國際功率半導(dǎo)體器件和 IC 相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜疑鐓^(qū)，每年舉行一次會議，交流該領(lǐng)域的理論、研究、應(yīng)用和發(fā)展。
第四是通過提供最新研究、課程、研討會和評論文章，提供定期論壇，促進國際功率半導(dǎo)體器件和 IC 的發(fā)展。
二、ISPSD 三十年的亮點
從 1988 年至今，ISPSD 已經(jīng)有 30 多年的歷史。30 多年來，ISPSD 極大的推動了全球功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的發(fā)展。
筆者雖然無緣參加 ISPSD，但是對 ISPSD 自 1988 年舉辦以來的情況非常關(guān)注，查閱了有關(guān) 30 年來 ISPSD 的文章。以下是筆者對 ISPSD 的一點心得，歡迎拍磚。
1、IGBT
絕緣柵晶體管（IGBT）是在 MOSFET 和 Bipolar 基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型復(fù)合功率器件。具有 MOS 輸入、雙極輸出功能，集 Bipolar 通態(tài)壓降小、載流密度大、耐壓高和功率 MOSFET 驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點于一身。
IGBT 概念形成是在 1978 年。1983 年世界首款 IGBT 芯片由美國通用公司和 RCA 公司研制成功的，當(dāng)時容量為 500V/20A。1984 年第一代 IGBT 產(chǎn)品正式形成，是穿通型平面柵(PT-Planar，Punch Through），采用 DMOS 工藝制造，1986 年正式商業(yè)化。
之后，IGBT 經(jīng)過改進的穿通型平面柵（PT-Planar）、非穿通型平面柵（NPT，Non-Punch Through）、穿通型溝槽（PT-Trench）、場截止型（Field Stop，F(xiàn)S）、溝槽型場截止型（FS-Trench）等技術(shù)升級，以及新材料的出現(xiàn)（如氮化鎵 GaN、碳化硅 SiC 等）。
在 ISPSD 三十年中，幾乎每年都有 IGBT 相關(guān)的論文入選。
1988 年舉辦的第一屆 ISPSD 中，東芝、三菱、三洋、日立、AT&T 等公司都提及了 IGBT。
1992 年在日本東京舉辦的第四屆 ISPSD 上，入選的有關(guān) IGBT 論文超過 10 篇，并專門設(shè)立“Session 2：IGBT”。此后，每年 ISPSD 會議上至少有一個 IGBT 的 Session。
1994 年在瑞士達沃斯舉辦的第六屆 ISPSD 上，為 IGBT 設(shè)立了三個 Session，分別是“Session 2: IGBT 1、Session 4: IGBT 2、Session 9: IGBT 3”。當(dāng)年入選的有關(guān) IGBT 的文章近 30 篇。
而 IGBT 的未來發(fā)展趨勢將表現(xiàn)為：1、薄片工藝，為減少熱阻，晶圓厚度將越來越薄，英飛凌已經(jīng)可以減薄至 50µm；2、小管芯，管芯越小，越能提高電流密度，據(jù)稱，目前管芯面積不足 20 年前的 1/3；3、大硅片，以英飛凌為代表的已經(jīng)在 12 英寸晶圓上生產(chǎn) IGBT；4、新材料，主要是以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶材料。
2、BCDMOS 技術(shù)
BCDMOS 是一種單芯片功率集成電路技術(shù)。1986 年由意法半導(dǎo)體（STM）率先研制成功，使得能夠在同一芯片上制作雙極（Bipolar）、CMOS 和 DMOS 器件。
筆者發(fā)現(xiàn)，從 1988 年到 2019 年，每年都有 BCD 工藝相關(guān)的論文入選。
1988 年在日本舉行的第一次 ISPSD 會議上，特別邀請意法半導(dǎo)體到場演講有關(guān) BCD 技術(shù)的報告。
BCD 工藝向小尺寸發(fā)展，并采用多層金屬結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電阻大幅降低，提高電流密度和效率，同時增加 CMOS 電路的集成度。
BCD 工藝今后將朝高壓、高功率、高密度等方向發(fā)展。
有專家表示，未來 BCD 與 SOI 相結(jié)合是大勢所趨。事實上，早在 1991 年就有討論 BCD 與 SOI 相結(jié)合的論文入選。
3、超結(jié)器件（Super Junction devices）
超結(jié)結(jié)構(gòu)突破了傳統(tǒng)功率 MOS 器件的理論極限,被譽為功率 MOS 器件的里程碑器件。
1988 年飛利浦（Philips）的 D.J. Coe 在其專利中首次提出在橫向高壓 MOSFET 中采用交替的 PN 結(jié)構(gòu)提高漂移層耐壓的方法。1993 年中國內(nèi)地的陳星弼教授提出的“復(fù)合緩沖層 Composite Buffer Layer，CB-Layer）”結(jié)構(gòu)，在縱向功率器件中采用多個 PN 結(jié)作為耐壓層。1995 年西門子（Siemens）的 J.Tihany 在其美國專利中也提出類似思路。1997 年富士電機（Fuji Electric）的 Tatsuhiko Fujihira 等在前人的研究基礎(chǔ)上，正式提出超結(jié)（Super Junction）理論。之后 ，陳星弼教授對導(dǎo)通電阻和擊穿電壓之間的關(guān)系進行了嚴(yán)格的理論推導(dǎo)，并提出公式：
超結(jié)主要是將傳統(tǒng)的 VDMOS 的 N 型漂移區(qū)替換為 N 區(qū)和 P 區(qū)交替形成的漂移區(qū)。D.J.Coe 和陳星弼教授分別申請了美國專利。早期的研究工作奠定了超結(jié)理論的基石，為后來一系列基于此理論而設(shè)計的新型器件器件提供了基礎(chǔ)。
1998 年西門子推出第一款商用 600V 超結(jié) VDMOS 器件“CoolMOSTM”，1999 年西門子半導(dǎo)體部門分拆成立英飛凌，現(xiàn)在，英飛凌已經(jīng)將 CoolMOSTM 發(fā)展到了第七代。東芝、安森美、意法半導(dǎo)體等公司都采用基于超結(jié)理念的新技術(shù)生產(chǎn)低功耗 VDMOS 器件。
2001 年在日本大阪舉行的第 13 屆 ISPSD 會議上，特別設(shè)立“Session 10：Super Junction”。
由于在超結(jié)功率半導(dǎo)體器件的卓越貢獻，陳星弼教授于 2015 年 5 月獲得 ISPSD 大會頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”，是亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家；2018 年 5 月他又成為中國首位入選 ISPSD 首屆全球名人堂的科學(xué)家，全球一共 32 位；并當(dāng)選 2019 年度 IEEE Fellow。
4、寬禁帶（Wide Bandgap）：碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）
寬禁帶（Wide Bandgap）材料包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。寬禁帶材料在 ISPSD 受到了廣泛的重視。
1990 在日本東京舉行的第 2 屆 ISPSD 會議上，特別邀請日本京都大學(xué) H. Matsunami 教授做了題為《碳化硅半導(dǎo)體：功率器件的未來 Semiconductor Silicon Carbide -Expectation for Power Devices》的報告。
之后，隨著 SiC 領(lǐng)域的文章增多，1995 年在日本橫浜舉行的第 7 屆 ISPSD 會議上，首次設(shè)立了“Session 5: SiCs”。
從開始發(fā)表的年份上比較，氮化鎵（GaN）研究領(lǐng)域的文章要比碳化硅（SiC）晚上不少。
2003 年在英國劍橋舉行的第 15 屆 ISPSD 會議上，才首次收到有關(guān) GaN 領(lǐng)域研究的文章，并有兩篇文章入選大會做口頭報告。
2004 年在日本北九州市舉行的第 16 屆 ISPSD 會議上，在原有的碳化硅（SiC）專場加上了氮化鎵（GaN），變成“Session 5：SiC and GaN（WBG）”。
2005 年在美國圣巴巴拉市舉行的第 17 屆 ISPSD 會議上，設(shè)立“Session 11（HV6）：GaN and Diamond Devices”。
2006 年在意大利那不勒斯舉行的第 18 屆 ISPSD 會議上，設(shè)立“Session 10：GaN Devices”。
一系列的情況都表明，寬禁帶半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體器件的未來。
三、中國內(nèi)地在 ISPSD 的表現(xiàn)
1、中國內(nèi)地論文發(fā)表情況
1990 在日本東京舉行的第 2 屆 ISPSD 會議上，西安交通大學(xué)的徐傳驤、張少云、馮玉柱、劉迪的論文《The Study of Deterioration Mechanism and Stability Technique of Surface Sustained Voltage of Power Electronic Devices 》入選，并在“Session 6-1: Modeling & Simulation of Devices”進行口頭報告。
這是中國內(nèi)地學(xué)者首次在 ISPSD 以第一作者單位發(fā)表論文。之后，沉寂了好長時間。
1999 年在加拿大多倫多舉行的第 11 屆 ISPSD 會議上，北京工業(yè)大學(xué)亢寶衛(wèi)教授團隊提交的論文《Monolithically Integrated Power Device Consisting of a GAT and a MPS Diode with Increased Switching Speed》入選，并在“SESSION 11:HV - Controlled Switches”進行口頭報告。
2000 年在法國圖盧茲舉行的第 12 屆 ISPSD 會議上，電子科技大學(xué)的李平教授團隊提交的論文《Novel Power MOS Devices with SiGe/Si Heterojunctions》入選，并在“Session: SiC”進行報告。
2003 年在英國劍橋舉行的第 15 屆 ISPSD 會議上，北京工業(yè)大學(xué)的亢寶衛(wèi)教授團隊提交的論文《Improving the CoolMOS Body-Diode Switching Performance with Integrated Schottky Contacts》入選，列入“Poster Session Group 6: Charge Compensation - 'superjunction' MOSFETs”。
2005 年在美國圣巴巴拉舉行的第 17 屆 ISPSD 會議上，東南大學(xué)時龍興教授團隊提交的論文《PDP scan driver with NVDMOS and RESURF PLDMOS》入選。
2006 年在意大利那不勒斯舉行的第 18 屆 ISPSD 會議上，電子科技大學(xué)張波教授團隊提交的論文《Design and Optimization of a Versatile 700 V SPIC Process Using a Fully Implanted Triple-well Technology》入選。
從 2008 年開始，中國內(nèi)地每年都有論文入選 ISPSD，且每年的入選論文數(shù)量都有所提升。
據(jù)芯思想研究院（ChipInsights）統(tǒng)計，從 1990 年中國內(nèi)地第一篇文章入選，至 2018 年已經(jīng)有 120 篇文章入選。其中高校 116 篇，產(chǎn)業(yè)界 4 篇。其中電子科技大學(xué)以 53 篇雄霸第一（其中張波教授團隊 45 篇，陳星弼院士團隊 7 篇，李平教授團隊 1 篇），東南大學(xué)以 26 篇排第二，浙江大學(xué)以 15 篇排第三，其他分別是北京大學(xué) 6 篇，中科院 5 篇，北京工業(yè)大學(xué) 4 篇，華虹宏力、華中科技大學(xué)，西安電子科技大學(xué)、中山大學(xué)各為 2 篇，西安交通大學(xué)、株洲中車時代電氣、英諾賽科各有一篇。
目前，中國內(nèi)地高校有三大高產(chǎn)團隊，分別是電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（PITEL）、東南大學(xué)功率集成電路研發(fā)部（PIC）、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團隊（PEDL），三大團隊共有 86 篇文章入選，占中國大陸總?cè)脒x數(shù)的 71.7%。
不過三大高產(chǎn)團隊各有特色，各有側(cè)重。
電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（PITEL）專注于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究，進行功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路設(shè)計研發(fā)，包括分立器件（從高性能功率二極管、雙極型功率晶體管、功率 MOSFET、IGBT、MCT 到 RF LDMOS，從硅基到 SiC 和 GaN）、可集成功率半導(dǎo)體器件（包括含硅基、SOI 基和 GaN 基）和功率高壓集成電路（含、高低壓工藝集成、電源管理集成電路、功率集成電路、數(shù)字輔助功率集成以及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）設(shè)計研發(fā)工作。
東南大學(xué)功率集成電路（PIC）研發(fā)部是國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心的重要組成部分，在南京、無錫和蘇州設(shè)有三個實驗室。功率集成電路研發(fā)部專注于功率器件與功率集成技術(shù)研究，開展了功率半導(dǎo)體器件與可靠性（包括超結(jié) DMOS、IGBT、SiC 功率器件和 GaN 功率器件等）、高低壓集成工藝（包括硅基 BCD 和 SOI BCD 等）、功率集成電路（包括數(shù)字電源芯片、柵驅(qū)動芯片等）和高功率密度電源模塊等方向的研發(fā)工作。
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團隊（PEDL）一直以來致力于開展碳化硅和氮化鎵等寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的研究，已經(jīng)成功自主研制出了碳化硅超級結(jié)肖特基二極管、結(jié)勢壘肖特基二極管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、常關(guān)型氮化鎵晶體管和垂直型氮化鎵二極管，開發(fā)出了容量領(lǐng)先的碳化硅肖特基二極管模塊、碳化硅結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管模塊以及碳化硅 MOSFET 功率模塊，同時還基于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的電力電子變壓器、DC-DC 變換器、PFC、充電樁等應(yīng)用方向開展了一系列研究工作。
據(jù)最新消息，中國內(nèi)地在 ISPSD 2019 會議上一共入選了 36 篇論文。三大高產(chǎn)團隊總計入選 24 篇，其中電子科技大學(xué)入選 13 篇，數(shù)量居全球第一，文章主要集中在功率集成電路（4 篇），高壓器件（3 篇）和低壓器件（3 篇）領(lǐng)域，在 GaN 器件和 SiC 器件領(lǐng)域則分別有 2 篇和 1 篇。浙江大學(xué)今年一共有 6 篇文章入選，文章全部集中在碳化硅和氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，浙江大學(xué)的論文數(shù)量排名全球第一。東南大學(xué)今年則有 5 篇文章入選，包括低壓器件 2 篇，高壓器件 1 篇，功率集成電路 1 篇和 GaN 器件 1 篇。
》》》有關(guān)中國入選 ISPSD 論文的更多情況請點擊閱讀《ISPSD 即將首次在中國大陸舉辦，凸顯中國大陸在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位》
2、中國內(nèi)地專家在 ISPSD TPC 的影響
ISPSD2019 技術(shù)程序委員會（Technical Program Committee，TPC）共有 61 人，其中中國共有 14 位，占 23%。其中中國內(nèi)地 8 人（劉揚、羅小蓉、湯藝、楊樹、游步東、張帥、趙振清、祝靖），中國香港 1 人（陳敬），中國臺灣 5 人（瑞昱 Tsung-Yi Huang、臺積電蔡志強 Tom Tsai、中國臺灣清華大學(xué)黃智方 Chih-Fang Huang、瀚薪科技李傳英 Chwan Ying Lee、中國臺灣大學(xué)李坤彥 Kung-Yen Lee）。
中國內(nèi)地 8 人中來自高校的有 4 人，分別是中山大學(xué)劉揚教授、電子科技大學(xué)羅小蓉教授、浙江大學(xué)楊樹教授、東南大學(xué)祝靖副教授；來自產(chǎn)業(yè)界的 4 人分別是斯達半導(dǎo)體副總湯藝、臺積電上海研發(fā)副總監(jiān)張帥、臺達電子趙振清、矽力杰首席技術(shù)官游步東。
下面我們看看中國內(nèi)地專家在歷年 TPC 的情況。
2010 年，中國內(nèi)地學(xué)者正式進入 ISPSD2011 的技術(shù)程序委員會。當(dāng)年電子科技大學(xué)（微電子與固體電子學(xué)院）的張波教授進入高壓（High Voltage）小組委員會，浙江大學(xué)（電氣工程學(xué)院）的盛況教授進入寬禁帶（Wide Bandgap）小組委員會。
2013 年公布的 ISPSD2014 技術(shù)程序委員會名單中，來自東南大學(xué)（電子科學(xué)與工程學(xué)院、微電子學(xué)院）的孫偉鋒教授進入集成功率（Integrated Power）小組委員會，來自西安交通大學(xué)（電信學(xué)院）的張安平教授進入寬禁帶（Wide Bandgap）小組委員會。
2015 年 ISPSD 在中國香港舉行，浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任 TPC 主席，電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任 TPC 共同主席。在 TPC 名單中，我們看到作為新生力量，來自臺積電的張帥（Shuai Zhang，原華虹宏力）進入高壓（High Voltage）小組委員會。
2015 年，來自電子科技大學(xué)（微電子與固體電子學(xué)院）的羅小蓉教授進入 ISPSD2016 技術(shù)程序委員會高壓（High Voltage）小組委員會。張波教授和盛況教授由于任期時間限制，不再擔(dān)任 TPC 委員。
2016 年公布的 ISPSD2017 技術(shù)程序委員會名單中，中國內(nèi)地專家名單沒有變化。
2017 年公布的 ISPSD2018 技術(shù)程序委員會名單中，來自中山大學(xué)（物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院）的劉揚教授進入氮化鎵與氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）小組委員會。
2018 年公布的 ISPSD2019 技術(shù)程序委員會名單中，來自東南大學(xué)（電子科學(xué)與工程學(xué)院、微電子學(xué)院）的祝靖副教授進入集成功率（Integrated Power）小組委員會，孫偉鋒教授由于任期時間限制，不再擔(dān)任 TPC 委員；來自浙江大學(xué)（電氣工程學(xué)院）的楊樹教授進入氮化鎵與氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）小組委員會。
3、中國內(nèi)地在 ISPSD 的特邀報告情況
近幾年來，隨著政府支持和社會投入力度的不斷加大，我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進步，并得到國際同行的認(rèn)可。從 2015 年到 2017 年連續(xù)三年有中國內(nèi)地公司作為特邀報告單位，表明中國內(nèi)地在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要性。
2015 年，中車株洲電力機車研究所有限公司（原南車株洲研究所）作為特邀報告單位，在 ISPSD2015 上作了題了《電力電子器件在鐵路運輸牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用 Application of Power Electronic Devices in Rail Transportation Traction System》的報告，其他三個特邀報告分別來自美國 Efficient Power、 日本松下（Panasonic）和法國 Yole Développement。
2016 年，國家電網(wǎng)公司旗下全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院作為特邀報告單位，在 ISPSD2016 上作了題了《功率器件發(fā)展對電網(wǎng)的影響 Impact of Power Electronic Device Development on Power Grids》的報告，其他三個特邀報告分別來自美國 KKR、日本日產(chǎn)汽車（Nissan Motor）、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院（ETH Zürich）。
2017 年，臺達電子（上海）作為特邀報告單位，在 ISPSD2017 上作了題了《寬禁帶功率器件在電源中的應(yīng)用機遇與展望 Application Opporunities and Expectation for Wide Bandgap Power Device In Power Supply》，其他三個特邀報告分別來自比利時魯汶大學(xué)（Katholieke Universiteit Leuven）、日本安川電機（Yaskawa Electric）、美國納微（Navitas）。
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