創(chuàng)業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄，SK 海力士成功開發(fā) 1Znm DDR4 DRAM

與非網(wǎng) 10 月 22 日訊，SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16Gb DDR4 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

此外，新型 1Z nm DRAM 還支持高達(dá) DDR4-3200 的數(shù)據(jù)傳輸速率。與使用 1Y nm 工藝打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模塊相比，其能耗更是降低了 40% 。

什么是 1Xnm，1Ynm 和 1Znm

在內(nèi)存工藝進(jìn)入 20nm 之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代 1Xnm 節(jié)點(diǎn)去升級 DRAM，由此稱為 1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上 1Xnm 工藝相當(dāng)于 16-19nm 級別、1Ynm 相當(dāng)于 14-16nm，1Znm 工藝相當(dāng)于 12-14nm 級別。

重要的是，第三代產(chǎn)品使用了上一代生產(chǎn)過程中未使用的新材料來增加電容，電容是指存儲電荷的數(shù)量 / 容量。隨著 DRAM 電容的增加，數(shù)據(jù)的保留時(shí)間和一致性也會增加，這是 DRAM 的關(guān)鍵要素。另外，已經(jīng)引入了新的設(shè)計(jì)技術(shù)以提高穩(wěn)定性。

SK Hynix 表示：第三代 10nm 級 DDR4 是滿足行業(yè)客戶尋求高性能 / 大容量 DRAM 的最佳產(chǎn)品，我們將在今年內(nèi)做好批量生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并于 2020 年開始全面供應(yīng)，并將積極響應(yīng)市場需求。

同時(shí)，SK 海力士計(jì)劃將第三代 10nm 級技術(shù)擴(kuò)展到各種應(yīng)用，例如下一代移動 LPDDR5 和 HBM3。HBM 是一種高性能產(chǎn)品，使用 TSV 技術(shù)作為高帶寬存儲器，比傳統(tǒng) DRAM 數(shù)據(jù)處理速度更快。