芯耀
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目前，本土晶圓大廠與臺(tái)積電在技術(shù)水平上的差距是非常明顯的。
就市場(chǎng)份額來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額超過(guò) 50%，而本土晶圓大廠的市場(chǎng)份額大約是臺(tái)積電的十分之一。
在技術(shù)水平上，本土晶圓大廠也和臺(tái)積電這樣的大廠有一定差距。目前臺(tái)積電 7nm 工藝早已量產(chǎn)，正在研發(fā) 5nm 工藝，而本土晶圓大廠剛剛掌握 14nm 工藝，正在研發(fā) 10/12nm 工藝。
目前，歐美科技公司要么采用 IDM 模式自己設(shè)計(jì)、自己制造，比如英特爾、TI 等，要么找臺(tái)積電流片，比如 AMD、英偉達(dá)、蘋(píng)果等。鮮有主動(dòng)找本土晶圓大廠流片的，只有高通在被相關(guān)單位反壟斷調(diào)查后，把部分訂單交給本土晶圓大廠，此舉令張忠謀感到震驚，認(rèn)為政治因素壓倒商業(yè)因素。
面對(duì)這種情況，有觀點(diǎn)認(rèn)為應(yīng)該發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料彎道超車。一些證券機(jī)構(gòu)的分析文章甚至給相關(guān)企業(yè)發(fā)鼓手文章，有炒股價(jià)的嫌疑。
鐵流認(rèn)為，這種觀點(diǎn)是不可取的。
半導(dǎo)體材料發(fā)展至今已歷三代。
第一代半導(dǎo)體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運(yùn)用于集成電路制造領(lǐng)域，比如現(xiàn)在大家電腦和手機(jī)中的 CPU 和 GPU 就是采用硅材料制造的，美國(guó)硅谷也因“硅”而得名。
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應(yīng)用于以光發(fā)射器件為基礎(chǔ)的光顯示、光通信和光存儲(chǔ)等光電子系統(tǒng)，比如高通最近就打算讓自家的射頻芯片采用砷化鎵材料。
第三代半導(dǎo)體材料則以氮化鎵、金剛石、碳化硅等為代表，氮化鎵化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，具有有寬的帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，熔點(diǎn)高達(dá) 1700 攝氏度，擊穿電壓高，抗輻射能力強(qiáng)。
誠(chéng)然，在軍工等對(duì)成本不敏感的領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)被運(yùn)用，比如國(guó)產(chǎn)新銳裝備上就搭載了采用氮化鎵元器件的雷達(dá)。但在民用市場(chǎng)，第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)前景有限。一方面是因?yàn)槌杀締?wèn)題，用第三代半導(dǎo)體材料過(guò)于昂貴，另一方面，基于第三代半導(dǎo)體材料的特性，在功率器件等方面優(yōu)勢(shì)明顯，在光電子和高頻微波器件等方面具有應(yīng)用潛力，但在邏輯器件上相對(duì)于硅而言是沒(méi)有任何性價(jià)比的。在硅材料成本低廉且產(chǎn)業(yè)鏈成熟的情況下，商家沒(méi)有動(dòng)力去使用新材料。事實(shí)上，即便是民用器件，一些商家也都在玩“材料降級(jí)”，比如一些公司就把原本采用第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵的射頻芯片換成 SOI 工藝以降低成本。
總之，就氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料而言，在功率器件等方面可以去試一試，但在邏輯器件方面，從技術(shù)成熟度、產(chǎn)業(yè)成熟度、性價(jià)比等多個(gè)方面來(lái)看，暫時(shí)看不到徹底淘汰硅材料的新選擇。就軍用等對(duì)性能有較高要求，且成本不敏感的特定行業(yè)而言，氮化鎵材料是必然的選擇，而且相關(guān)企業(yè)還有一整套完整生產(chǎn)線，不會(huì)受外部因素的影響。但就民用市場(chǎng)而言，一些企業(yè)可以試一試，摸著石頭過(guò)河，但過(guò)度炒作第三代半導(dǎo)體材料，甚至借用官方發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料的消息誤導(dǎo)大眾新材料將會(huì)徹底淘汰硅材料進(jìn)而顛覆整個(gè)行業(yè)，并以這種基調(diào)去給相關(guān)企業(yè)炒股價(jià)，就不太合時(shí)宜了。
