又一家華為投資的企業(yè)上市，市值近百億

2月10日，國產(chǎn)功率半導體廠商東微半導登陸科創(chuàng)板。

開市后，東微半導漲至148元/股，之后有所回落。截至成文，東微半導報132元/股，總市值90億元。

Source：同花順截圖

募資9.39億，加碼功率半導體！

據(jù)悉，東微半導本次募集資金投資項目如下：

Source：公告截圖

超級結與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目

項目投資額為 20,414.58 萬元。項目是對高壓超級結 MOSFET 產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品的設計及工藝技術等方面進行改進和提升。

高壓超級結 MOSFET 產(chǎn)品升級具體包括 8 英寸第三代超級結 MOSFET 產(chǎn)品及 12 英寸先進工藝超級結 MOSFET 產(chǎn)品的設計及工藝技術提升；中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品升級具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓 MOSFET 及高魯棒性中低壓 MOSFET 產(chǎn)品的涉及工藝技術提升。

新結構功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目

項目投資10,770.32 萬元，本項目擬在未來三年陸續(xù)推出高速率 IGBT、超級硅 MOSFET 以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品?？蓮V泛應用于 5G 基站、新能源汽車直流充電樁、光伏逆變器等細分領域。

其中，IGBT 產(chǎn) 品研發(fā)涉及 900V 以下三柵 IGBT、900V 及以上三柵 IGBT、車規(guī)級高可靠性 IGBT 及 12 英寸先進制程 IGBT 產(chǎn)品系列的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；超級硅 MOSFET 產(chǎn)品研發(fā)涉及第一 代及第二代超級硅 MOSFET 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；新一代高速大電流功率器件系列主要為 600V/650V Hybrid-FET 器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

研發(fā)工程中心建設項目

項目總投資額為 16,984.20 萬元，項目是圍繞 SiC 器件、新型硅基高壓功率器件方向進行產(chǎn)品技術的創(chuàng)新研發(fā)，開發(fā)新的技術方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定資產(chǎn)投入，優(yōu)化實驗環(huán)境，提升測試效率，進一步保障產(chǎn)品質量。

東微半導計劃在超薄晶圓背面加工技術和高功率密度芯片及模塊封裝技術方向進行持續(xù)研發(fā)投入，提高工藝技術，進一步提升產(chǎn)品性能。

科技與發(fā)展儲備資金

項目是結合公司戰(zhàn)略發(fā)展的目標，在產(chǎn)業(yè)并購及整合的用途中，公司考慮重點在汽車級 功率器件設計、SiC 功率器件設計以及模塊設計應用等方向投資并購國內(nèi)外優(yōu)質企業(yè)。

Source：公告截圖

華為哈勃投資

值得注意的是，2020年7月，東微半導獲得了華為哈勃的投資。

Source：企查查

同年12月，江蘇監(jiān)管局披露了東微半導輔導備案信息。其保薦機構為中金公司，于2020年12月18日進行上市輔導備案。

Source：江蘇監(jiān)管局截圖

關于東微半導

據(jù)悉，東微半導成立于2008年，是一家技術驅動型的國產(chǎn)功率半導體廠商。產(chǎn)品主要有高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列、IGBT系列三大系列產(chǎn)品，公司的產(chǎn)品廣泛應用于以新能源汽車直 流充電樁、5G 基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器電源和工業(yè)照明電源為代表的工 業(yè)級應用領域，以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機快速充電器為代表的消費 電子應用領域。同時，公司不斷進行技術創(chuàng)新，進一步開發(fā)了超級硅 MOSFET、 TGBT 等新產(chǎn)品。

據(jù)6月17日，東微半導發(fā)布招股說明書中顯示，公司主營業(yè)務收入構成情況如下：

Source：公告截圖

東微半導表示，未來，公司將持續(xù)開發(fā)更多新型高性能功率半導體產(chǎn)品，致力于成為國際領先的功率半導體廠商。

（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究 Amber）