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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標準

2022/03/14
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英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標準。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器無線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機中,應(yīng)用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件

這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻,能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進一步提高終端應(yīng)用的功率密度,縮小外形尺寸。同時,系統(tǒng)溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實現(xiàn)更小巧的客戶應(yīng)用,充分節(jié)省空間、降低系統(tǒng)成本,打造易于設(shè)計的產(chǎn)品。

供貨情況
采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市:?

  • PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)
  • PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)
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英飛凌

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。收起

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