芯耀
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集微網(wǎng)消息，據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道援引上述人士稱(chēng)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的17nm制程成品率初步達(dá)到40%，預(yù)計(jì)將在2022年晚些時(shí)候逐步提高。據(jù)其計(jì)劃，將在2022年下半年將月產(chǎn)量提高到6萬(wàn)至8萬(wàn)片12英寸晶圓。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將17nm工藝節(jié)點(diǎn)作為下一代主流制造技術(shù)。該人士認(rèn)為，當(dāng)其17nm制程成品率提高到成熟水平時(shí)，將能夠提高DDR3和DDR4產(chǎn)能，并將在專(zhuān)業(yè)DRAM領(lǐng)域與包括南亞科技和華邦電子在內(nèi)的中國(guó)臺(tái)灣同行展開(kāi)直接競(jìng)爭(zhēng)。
南亞科技和華邦電子均計(jì)劃建立各自的12英寸晶圓廠，用于生產(chǎn)專(zhuān)業(yè)DRAM芯片，新晶圓廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)。在規(guī)模較大的國(guó)際同行紛紛退出低密度DRAM市場(chǎng)之際，兩家公司都做出了興建新晶圓廠的決定。
華邦電子于2018年在中國(guó)臺(tái)灣南部的高雄破土動(dòng)工興建新的12英寸晶圓廠。該工廠的第一階段將在2022年底準(zhǔn)備好批量生產(chǎn)使用其第二代25nm工藝技術(shù)制造的芯片，即25S。
這家芯片制造商還開(kāi)始推進(jìn)工廠第二階段的設(shè)施建設(shè)。據(jù)其預(yù)計(jì)，到2022年第四季度，高雄新晶圓廠的月產(chǎn)量將增至1萬(wàn)片12英寸晶圓，一年后將再投入生產(chǎn)1萬(wàn)片，進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓廠的產(chǎn)量。
南亞科技此前則透露，計(jì)劃建立一個(gè)新的12英寸晶圓廠，用于該公司內(nèi)部開(kāi)發(fā)的10nm級(jí)和基于EUV的工藝制造。該芯片制造商預(yù)計(jì)2024年在新工廠的一期工廠開(kāi)始批量生產(chǎn)，初步產(chǎn)能預(yù)計(jì)為每月1.5萬(wàn)個(gè)晶圓。
消息人士指出，由于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在準(zhǔn)備提高產(chǎn)量，市場(chǎng)是否會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求仍有待觀察。
(校對(duì)/隱德萊希)
