芯耀
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5月16日，愛思開海力士·英特爾DMTM半導體（大連）有限公司非易失性存儲器項目在大連保稅區(qū)正式開工。
據(jù)介紹，該項目是遼寧省、大連市重點推進項目，位于大連金普新區(qū)，將建設一座新的晶圓工廠，用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品。
這是SK海力士繼2021年12月底順利完成收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務第一階段交割后，時隔4個月宣布在大連繼續(xù)擴大投資并建設新工廠。
1、“缺芯”促進廠商加速擴產(chǎn)
近年來，受新冠疫情、俄烏沖突等因素影響，全球半導體產(chǎn)業(yè)都面臨產(chǎn)能不足的問題，缺芯、漲價等詞匯成了業(yè)界老生常談的話題，隨之而來的就是企業(yè)大規(guī)模建廠、擴產(chǎn)。
例如，在晶圓代工領域，臺積電、英特爾、格芯、中芯國際等廠商都宣布了擴產(chǎn)計劃，但各方都是“單打獨斗”。而在存儲領域，國際廠商之間似乎更愿意“抱團取暖”，以合作、合并的形式加速產(chǎn)能擴充，其中以SK海力士和英特爾、鎧俠和西數(shù)這兩大組合最為業(yè)界所熟知。
SK海力士&Solidigm(原英特爾NAND閃存業(yè)務部門)
眾所周知，SK海力士和英特爾原本都是全球前十強的閃存企業(yè)，雙方在該領域的競爭也是你追我趕。但在2020年，SK海力士宣布收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務（包括英特爾大連工廠），雙方的關系也悄然發(fā)生改變。
目前，SK海力士已經(jīng)完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段交割。與此同時，SK海力士在美國設立了一家名為“Solidigm”的子公司，負責運營此次收購的英特爾SSD業(yè)務。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2021年第四季度，SK海力士和Solidigm分別以26.15億美元和9.96億美元的營收位居全球NAND Flash品牌廠商第四和第六。
除了共同攜手拓展市場之外，SK海力士與Solidigm還展開了包括NAND產(chǎn)品研發(fā)在內的全面合作。今年4月5日，雙方首次公開了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。
至于此次非易失性存儲器項目落戶大連，SK海力士半導體（中國）有限公司總裁鄭銀泰表示，后續(xù)，SK海力士將與大連市政府、英特爾大連團隊緊密合作，按計劃完成新工廠建設，將大連工廠打造成具有國際競爭力的NAND閃存生產(chǎn)基地。
鎧俠&西數(shù)
除了“SK海力士&Solidigm”這對新組合之外，在NAND市場，還有一對由來已久且實力同樣強勁的“CP”——鎧俠和西數(shù)。
據(jù)悉，鎧俠與西數(shù)的合作關系已保持長達20年的時間。在此基礎上，兩家公司定期在工廠運營方面進行合作。甚至有外媒曾在2021年報道，全球第三大閃存芯片廠商西數(shù)打算并購排名第二的鎧俠，但截至目前，尚未有確切消息和官方回應證實該報道的真實性。
2022年以來，鎧俠與西數(shù)的合作似乎更加緊密與頻繁。
今年3月，鎧俠宣布，將在日本巖手縣北上工廠建設新的NAND Flash生產(chǎn)線（Fab2）。鎧俠表示，計劃與西數(shù)進行討論，將閃存合資企業(yè)擴展至Fab2投資。
4月，鎧俠和西數(shù)再次宣布，雙方將共同投資位于日本三重縣四日市的Fab7（Y7）制造工廠的第一階段工程，合資工廠將在今年秋季開始實現(xiàn)初步生產(chǎn)。Y7廠的第一階段將生產(chǎn)3D快閃存儲器，包括112層、162層生產(chǎn)及未來制程。
2、NAND市場前景依然可觀
自1987年鎧俠的前身東芝存儲發(fā)明NAND閃存以來，全球NAND閃存市場規(guī)模已達700億美元，容量也從最初的4Mb增加到1.33Tb，實現(xiàn)了333,000倍的增長，并且實現(xiàn)了從2D NAND向3D NAND的技術演變。
經(jīng)過35年跌宕起伏的發(fā)展后，隨著近年來大數(shù)據(jù)、云計算、元宇宙等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，巨大的市場需求無疑對NAND產(chǎn)品的容量、性能、及功耗提出了更高的要求。
盡管近年來受俄烏沖突、高通脹、疫情等影響，全球NAND Flash市場銷售增長較慢，但廠商和業(yè)界依然樂觀看待未來發(fā)展。
鎧俠預計，在云計算和企業(yè)IT投資不斷增加的環(huán)境下，數(shù)據(jù)中心/企業(yè)SSD的需求預計將保持穩(wěn)定；同時，未來隨著5G推廣以及存儲容量提升，智能手機市場存儲需求也將長期增長。
集邦咨詢此前總結2021年NAND Flash市場銷售表現(xiàn)則認為，盡管自下半年開始有轉弱跡象，但全年受惠于疫情所帶動的遠距服務與云端需求，營收表現(xiàn)仍較2020年顯著增長，產(chǎn)業(yè)營收達686億美元，年增21.1%，上升幅度自2018年以來位居第二高。
3、堆疊層數(shù)競爭日趨白熱化
TrendForce集邦咨詢此前曾預計，隨著110＋層閃存芯片的推出，2023年市場總產(chǎn)出的72.5%會被110+層3D NAND閃存占據(jù)。
當前，各大廠商在NAND層數(shù)堆疊上的競爭日趨白熱化。美光、SK海力士、三星等頭部廠商都已突破176層3D NAND技術，進入200層以上的的堆疊層數(shù)比拼。
目前，三星正在加快200層以上NAND閃存的量產(chǎn)步伐，韓國媒體《BusinessKorea》 曾報道，三星將在今年底明年初推出200層以上的NAND產(chǎn)品，并計劃在2023年上半年開始量產(chǎn)。
美光更是在近期的投資者日活動上宣布，將在2022年底開始推出232層NAND產(chǎn)品，并公布之后的工藝節(jié)點依次為2YY、3XX與4XX。
與此同時，西數(shù)也在近期公布的閃存技術路線圖顯示，其計劃與合作伙伴鎧俠于2022年底前開始量產(chǎn)162層NAND產(chǎn)品。西數(shù)還透露，2032年之前將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術。
至于SK海力士，最新的3D NAND層數(shù)是176層，但其前CEO李錫熙在去年的IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上展望SK海力士產(chǎn)品的未來計劃時曾預測，未來有可能實現(xiàn)600層以上的NAND產(chǎn)品。
文 | 全球半導體觀察 禾忍
