3D NAND

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。

3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。收起

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    對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，此次向三星等頂尖存儲(chǔ)技術(shù)企業(yè)授予專利許可，標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)歷史上的一個(gè)里程碑。深入分析此次合作的背景，可以發(fā)現(xiàn)這并非僅僅是[巨頭的屈服]，而是一次對(duì)技術(shù)定義權(quán)進(jìn)行重新分配的重要變革。
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    最近，鎧俠首席技術(shù)官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計(jì)劃將在2031年批量生產(chǎn)超過 1,000 層的 3D NAND 存儲(chǔ)器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實(shí)，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類似的觀點(diǎn)，預(yù)測(cè)到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。
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    2024/03/25
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    從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？
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