英飛凌新的600V CoolMOS? C7 產品系列將硬開關拓撲(PFC/TTF)的效率提高到一個新的級別,與650V CoolMOS? C7不同,600V CoolMOS? C7 也可以應用在高性能諧振拓撲(LLC)中。該600 V系列相比CoolMOS? CP可減少50%的開關損耗,在PFC、TTF和其他硬切換拓撲結構中可實現和GaN類似的性能水平。
CoolMOS C7在業(yè)內率先實現1 Ω/mm
2的面比電阻(RDS(ON)*A),它進一步擴展了英飛凌的最低每封裝RDS(ON)產品組合,可支持進一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具備超低開關損耗,適合大功率開關電源(SMPS)應用——比如服務器、電信、太陽能以及需要提高效率、降低組件成本(BoM)和總擁有成本(TCO)的工業(yè)應用。
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