Littelfuse電源半可能的故障模式按包應用說明

2024/01/03 作者：力特奧維斯Littelfuse

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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應用說明

由于IGBT模具的結構，壓包式IGBT對壓力和靜電放電(ESD)都敏感。器件上的非均勻夾緊或過夾緊壓力可能導致硅的直接損壞或器件操作能力的惡化。其次，由于MOSFET 柵極結構，IGBT對ESD很敏感。在操作設備時，如果不采取適當?shù)姆漓o電措施，可能會由于不受控制的靜電放電/感應高壓對設備造成災難性的損壞。

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在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設施的使用電能的應用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測領域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關、磁性、光學、機電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。