高壓離散硅MOSFET及其應(yīng)用（≥2kV）

2023/10/03 作者：力特奧維斯Littelfuse

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高壓離散硅MOSFET及其應(yīng)用（≥2kV）

高壓(HV)分立功率半導(dǎo)體器件的作用在當(dāng)今世界的電力電子中變得越來(lái)越重要。Littelfuse通過(guò)廣泛的分立高壓硅(Si) mosfet產(chǎn)品組合來(lái)解決這一發(fā)展問(wèn)題，這些產(chǎn)品具有提高整體器件性能，降低損耗，提高雪崩穩(wěn)健性和可靠的操作。本文的重點(diǎn)是Littelfuse提供的高壓分立硅mosfet≥2kv。

分立高壓硅MOSFET組合的市場(chǎng)比較

圖1代表了Littelfuse在高壓分立硅MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700 V以上。作為唯一一家開發(fā)高達(dá)4700 V的行業(yè)最高電壓阻斷能力的制造商，Littelfuse是唯一一家供應(yīng)商，因此是1700 V以上高壓分立Si mosfet的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。沒(méi)有其他制造商提供這種高壓水平的分立硅mosfet。擁有堅(jiān)固可靠的設(shè)備，具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能，專利包裝技術(shù)和領(lǐng)先的技術(shù)專長(zhǎng)的產(chǎn)品組合使Littelfuse能夠成功地支持客戶開發(fā)苛刻的應(yīng)用程序。

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EEEFT1H221AP	1	Panasonic Electronic Components	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 220uF, Surface Mount, 3333, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$1.21	查看
CL05A106MP5NUNC	1	Samsung Electro-Mechanics	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 10V, ±20%, X5R, 0402 (1005 mm), 0.020"T, -55o ~ +85oC, 7" Reel		$0.16	查看

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在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測(cè)領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長(zhǎng)和戰(zhàn)略并購(gòu)公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場(chǎng)擴(kuò)張。這些市場(chǎng)包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。