LAT1450 不斷電情況下修改RDP選項(xiàng)并生效的解決方案

1、前言

某客戶使用 STM32L4 開發(fā)一款產(chǎn)品，組裝外殼后通過脫機(jī)燒錄器進(jìn)行燒寫，燒好后放置到庫房，存放期間由電池進(jìn)行供電，出庫發(fā)貨時(shí)通過 UART_IR 紅外接口接收指令將 Option ByteRDP 設(shè)置為 RDP2 讀保護(hù)。但是，發(fā)現(xiàn)一旦執(zhí)行 RDP=2 指令后 STM32 立即出現(xiàn)死機(jī)變磚，即使進(jìn)行 NRST 引腳硬件復(fù)位也無效，必須拔下電池(斷電)后 MCU 才能恢復(fù)工作。

2、問題調(diào)研與復(fù)現(xiàn)

接到客戶反饋后立即與客戶進(jìn)行了溝通，并告知客戶修改 RDP 后需要斷開 SWD/JTAG 調(diào)試口與 MCU 之間的物理連接，并且需要復(fù)位一次后 RDP 才會(huì)生效?？蛻粼偃_認(rèn)他們使能RDP 是通過遠(yuǎn)程指令操作的，且外殼組裝后也沒辦法做斷電復(fù)位，即使 NRST 硬件也無效，該生產(chǎn)線流程是 STM32L151 一直沿用下來的，更改產(chǎn)線將增加生產(chǎn)成本。根據(jù)客戶描述及生產(chǎn)流程，在 NUCLEO-L476RG 上進(jìn)行了測試和驗(yàn)證。

(一)復(fù)現(xiàn)問題編寫測試程序，下載后將 NUCLEO-L476 ST-LINK 跳線帽斷開，在 Tera 串口終端輸入指令將 RDP 修改為 Lvel1(0xBB)，當(dāng)執(zhí)行 OB_Launch 指令后程序卡死，NRST 按鍵復(fù)位無效。

(二) 使用 STM32Cubeprogrammer 將選項(xiàng)字恢復(fù)到 Level0(RDP=0xAA)，斷開 ST-LINK 跳線帽斷電一次，可以看到在執(zhí)行完 HAL_FLASH_OB_Launch()后，MCU 立即復(fù)位并成功運(yùn)行。

也就證實(shí)了 STM32L4 在修改選項(xiàng)字后，必須對系統(tǒng)實(shí)施一次斷電操作，系統(tǒng)才能正常運(yùn)行。

3、問題分析與解決辦法

既然問題是由于 MCU 沒有斷電的情況下，執(zhí)行 HAL_FLASH_OB_Launch()后無法正常復(fù)位引起，那么我們能否通過軟件方式，讓 MCU 產(chǎn)生掉電從而實(shí)現(xiàn)與斷電同等的效果呢？STM32L4 在 Shutdown 模式下 CPU、SRAM、LPR 均處于掉電狀態(tài)。因此，能否在修改選項(xiàng)字 RDP 后使 MCU 進(jìn)入 Shutdown 模式，然后再喚醒從而使 RDP 生效呢？

按照上面的思路，對代碼做如下改動(dòng) :

1. 修改 RDP 后不再執(zhí)行 HAL_FLASH_OB_Launch()，不立即生效(不卡死).
2. MCU 進(jìn)入 shutdown 模式
3. 使用一個(gè)按鍵作為喚醒原觸發(fā) shutdown 喚醒，并產(chǎn)生復(fù)位。

4、小結(jié)

對于早期的 STM32F0xx/ STM32F1xx/ STM32F2xx/ STM32F4xx 在修改讀保護(hù)(RDP)后，只需要執(zhí)行 HAL_FLASH_OB_Launch()后 MCU 會(huì)自動(dòng)復(fù)位 RDP 生效。但是，對于STM32F4 以后量產(chǎn)的型號，修改選項(xiàng)字后必須重新斷電一次，MCU 才能正常運(yùn)行。對于此方法，筆者使用的是 GPIO 作為喚醒源來使 MCU 從 shutdown 模式喚醒。其實(shí)，若使用 RTC 作為喚醒源稍作配置，就可以無需手動(dòng)操作實(shí)現(xiàn) RDP 不斷電的修改生效。