sdram和sram的區(qū)別 sdram和dram的主要區(qū)別

1.sdram和sram的區(qū)別

SDRAM是同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的縮寫，而SRAM是同步隨機(jī)存取存儲器的縮寫。它們的最大區(qū)別在于，SDRAM必須被外部時鐘同步刷新，而SRAM則不需要刷新。

雖然SRAM速度更快，讀寫時間也更短，但SRAM的成本較高，所以在存儲器容量較小的情況下，通常使用SRAM，而對于大容量存儲器，則使用SDRAM。

2.sdram和dram的主要區(qū)別

DRAM是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的縮寫，與SDRAM的最大區(qū)別在于，在DRAM中必須定期刷新電容，否則數(shù)據(jù)就會丟失。而SDRAM擁有內(nèi)置的刷新機(jī)制，無需外部干預(yù)。

此外，由于DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，訪問速度比SDRAM慢得多。盡管如此，DRAM仍然是一種流行的內(nèi)存類型，主要是因?yàn)樗某杀颈萐DRAM更低，而且能夠滿足許多基本應(yīng)用程序的需求。