半導(dǎo)體晶圓

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  • 未來十年，半導(dǎo)體晶圓將需求大增
    在本系列的最近兩篇文章中，我們探討了2025-2030年間半導(dǎo)體市場(chǎng)的趨勢(shì)以及晶圓需求預(yù)測(cè)（見圖1、圖2）。不過，有部分讀者，尤其是在圖表的解讀方面，反饋稱“難以理解”。此外，還有讀者希望我們不僅預(yù)測(cè)5年后的2030年，也能延伸至10年后的2035年。
    未來十年，半導(dǎo)體晶圓將需求大增
  • 碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
    ??一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而，修邊過程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及工藝參數(shù)的精確控制難度，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。?二、影響修邊處理后TTV變化的關(guān)鍵因素修邊工藝：修邊工藝的選擇直接影響TTV的變化。不同的修邊工藝，如機(jī)械
    碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
  • 降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
    一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨：去除切割過程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復(fù)變形。此過程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石粉，以達(dá)到穩(wěn)定的去除速率。 精磨：進(jìn)一步降
    降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
  • 激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
    一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導(dǎo)電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響激光退火后TTV變化的關(guān)
    激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
  • 優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控
    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時(shí)間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的增加，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響濕法腐蝕后TTV的關(guān)鍵因素 腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐蝕速率和均勻性。不同的腐蝕液對(duì)碳化硅的腐蝕
    優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控