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MOSFET關斷過程中的開關損耗如何計算？800字手把手教你搞定這個電路知識點

上一篇文章我們介紹了MOSFET導通過程中的開關損耗的計算方法，接下來就講一下MOSFET在關斷過程中的交叉損耗計算，主要是要估算關斷時的交叉時間，然后算出功耗。

硬件那點事兒

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04/26 10:25

MOSFET 開關損耗

MOSFET導通過程中的開關損耗如何計算？1200字手把手教你搞定這個電路知識點

MOSFET導通過程中的開關損耗這部分內(nèi)容是關于MOSFET在開關過程中的交叉損耗Cross Loss計算，主要涉及導通時間的估算和功耗分析。公式是什么？如何計算呢？設計中又有哪些需要注意的地方？接下來就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動感性負載哦，如果是驅(qū)動阻性負載，算法是不一樣的，大家注意！

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04/21 10:25

MOSFET 開關損耗

開關損耗

開關損耗是指在電力電子開關器件（如MOSFET、IGBT）中，由于電路開關動作引起的能量損耗。開關損耗是電力電子裝置效率低下的主要原因，因此如何有效減小開關損耗一直是電力電子領域研究的重點。

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2023/05/11

開關損耗

開關電源的主要損耗有哪些導通損耗和開關損耗的關系

開關電源是一種高效率、可靠性較高的電源，但在實際使用中仍然存在一定的損耗。