晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。收起

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  • 4年900億——英特爾代工打造全球供應鏈韌性、實現(xiàn)18A關(guān)鍵技術(shù)布局
    2025英特爾代工大會（Intel Foundry Direct Connect）在美國加州圣何塞開幕。剛剛上任5周的英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武在大會上發(fā)表開幕演講，強調(diào)英特爾正在推動其代工戰(zhàn)略進入下一階段，以及英特爾打造世界一流代工廠的愿景，體現(xiàn)了對代工業(yè)務的重視和信心。
  • 如何正確認識射頻集成電路？
    RFIC，全稱射頻集成電路（Radio Frequency Integrated Circuit） ，是一種集成了射頻電路和模擬電路的集成電路，專門用于處理射頻信號。這里的射頻，通常指的是 300KHz - 300GHz 的頻率范圍，涵蓋了高頻、甚高頻和超高頻，是無線通信領(lǐng)域最為活躍的頻段。
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  • 《元器件交易動態(tài)周報》-功率器件市場買家普遍提前下單，以避免預期關(guān)稅的影響
    核心觀點： 買家普遍提前下單，以避免預期關(guān)稅帶來的成本上升。 部分供應商減少產(chǎn)量，以減輕2024年底低需求造成的損失，分立器件的庫存處于最低水平。 2025年3月，功率器件價格整體繼續(xù)持穩(wěn)。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方
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  • 全球二維芯片重大突破！“豆腐雕花”級難度，中國團隊搞定了
    4月3日報道，昨夜，二維半導體芯片里程碑式突破登上國際頂級學術(shù)期刊Nature：全球首顆二維半導體32位微處理器橫空出世，來自中國團隊！這項突破由復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室周鵬、包文中聯(lián)合團隊實現(xiàn)，成功研制全球首款基于二維半導體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無極（WUJI）”。面對摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)，具有單個原子層厚度的二維半導體是國際公認的破局關(guān)鍵。
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    全球二維芯片重大突破！“豆腐雕花”級難度，中國團隊搞定了
  • e絡盟與美微科簽訂新的全球分銷協(xié)議以投資半導體產(chǎn)品組合
    安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟宣布已與美微科 (MCC) 簽署全球分銷協(xié)議，并將為汽車、工業(yè)、消費和計算等各行各業(yè)提供高質(zhì)量分立半導體解決方案。 美微科專注于提供高質(zhì)量的元件，如二極管、場效應管（MOSFET）、IGBT、碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品、保護設備、穩(wěn)壓器、晶體管和電源模塊等以及增強功能，并以其良好的全球客戶服務聲譽為后盾。 e絡盟板載元件全球產(chǎn)品總監(jiān) Jose Lok
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  • 碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比
    為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領(lǐng)域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù)，其功率可超過500kW，電流高達1000A。 市場需求下的挑戰(zhàn) 一方面，
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  • 意法半導體65W GaN變換器為注重成本的應用提供節(jié)省空間的電源方案
    意法半導體的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動器及典型的安全保護功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開關(guān)頻率為240
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  • 柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法
    在晶體管世界里，如果將晶體管比作一個可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導體工藝進入納米時代，柵極的材料與制造工藝不斷進步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。
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  • 英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN G3晶體管，推動全行業(yè)標準化進程
    氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQF
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  • 研發(fā)了晶體管、培養(yǎng)了“八叛逆”、被稱為廢物天才，硅谷之父肖克利傳奇的一生
    在加利福尼亞的山景之城，有一天，來了一位中年人，他在一個倉庫旁邊徘徊了很久，準備將這里改造成為一個實驗室，他的名字叫做肖克利。1955年，他遠離美國東部的喧囂，沿著西部牛仔的拓荒之路，來到加州，來到山景之城。這片美國最晚迎來陽光的大地，因為他的到來，即將升起第一面迎接電子信息時代的旗幟。
  • 大聯(lián)大詮鼎集團推出基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案
    致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的展示板圖 BMS（電池管理系統(tǒng)）被稱為電池保姆或電池管家，其主要功能是智能化管理及維護各個電池單元，監(jiān)控電池運行的狀態(tài)、防止其
    大聯(lián)大詮鼎集團推出基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案
  • 學子專區(qū) - ADALM2000實驗：包絡檢波器
    作者：Antoniu Miclaus，系統(tǒng)應用工程師 Doug Mercer，顧問研究員 目標 本實驗活動使用ADALM2000和Scopy介紹包絡檢測和幅度調(diào)制。信號的包絡相當于其輪廓，包絡檢波器連接該信號中的所有峰值。包絡檢測在信號處理和通信領(lǐng)域應用廣泛，幅度調(diào)制(AM)檢測便是其中一個應用。 AM是電子通信領(lǐng)域使用的一種調(diào)制技術(shù)，常用于通過無線電載波傳輸信息。在AM中，載波的幅度（信號強度）
    學子專區(qū) - ADALM2000實驗：包絡檢波器
  • 探索光耦：晶體管光耦——電子設計中的關(guān)鍵角色
    隨著電子技術(shù)的進步，電路中的隔離需求日益增加。晶體管光耦作為一種非接觸式信號傳輸器件，因其獨特的隔離特性和可靠性，成為了現(xiàn)代電子設備和工業(yè)控制中不可或缺的元件。本文將帶您深入了解晶體管光耦的結(jié)構(gòu)、工作原理和核心特點。 晶體管光耦的基本結(jié)構(gòu) 晶體管光耦，通常由兩個主要部分組成：發(fā)光二極管（LED）和光敏晶體管。其物理結(jié)構(gòu)簡單卻極具創(chuàng)新性： 發(fā)光二極管（LED）：電流通過時，LED會發(fā)出紅外光。 光敏
  • 晶臺KL357，電流轉(zhuǎn)換率高達50~600%
    晶臺KL357系列包含一個紅外發(fā)射二極管,光耦合到一個光電晶體管構(gòu)成光電耦合器，采用4引腳小外形SMD封裝的器件。 功能圖Functional Diagram 產(chǎn)品特點Product Features ◆電流轉(zhuǎn)換率CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V ◆輸入與輸出高隔離電壓(Viso=3750Vrms) ◆緊湊型4引腳SOP，外形尺寸為4.4*4.1*2.0mm ◆工作
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  • 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
    在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)突破，以助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。 英特爾通過改進封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點時可預見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)
    英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
  • 半導體未來三大支柱：先進封裝、晶體管和互連
    英特爾在前沿技術(shù)領(lǐng)域的探索和布局具有行業(yè)標桿意義，其發(fā)布的技術(shù)路線圖和成果為半導體行業(yè)提供了重要參考方向。 在IEDM 2024大會上，英特爾發(fā)布了7篇技術(shù)論文，展示了多個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新進展。這些技術(shù)涵蓋了從FinFET到2.5D和3D封裝（EMIB、Foveros、Foveros Direct），即將在Intel 18A節(jié)點應用的PowerVia背面供電技術(shù)，以及全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管Rib
    半導體未來三大支柱：先進封裝、晶體管和互連
  • 應對AI算力需求，芯片代工下一個十年的關(guān)鍵看點
    隨著行業(yè)朝著到2030年在單個芯片上實現(xiàn)一萬億個晶體管的目標前進，晶體管和互連微縮技術(shù)的突破以及未來的先進封裝能力正變得非常關(guān)鍵，以滿足人們對能效更高、性能更強且成本效益更高的計算應用（如AI）的需求。
  • 英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進展
    在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團隊展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進展，有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術(shù)突破，助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%1，有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工還率
    英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進展
  • 意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET
    意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。 工業(yè)級晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)
    意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET
  • 探索光耦：達林頓光耦與晶體管光耦的區(qū)別
    在現(xiàn)代電子技術(shù)中，光耦是一種廣泛應用的電子元件，它通過光信號實現(xiàn)電氣隔離，保證信號傳輸?shù)陌踩院屯暾?。光耦合器的種類繁多，本文將重點探討兩種常見類型：達林頓光耦和晶體管光耦的區(qū)別。 結(jié)構(gòu)的差異 晶體管光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光電三極管（Phototransistor）組成，有時還會加入一個晶體管以增強其功能。其基本結(jié)構(gòu)相對簡單，主要利用光電效應和晶體管的放大特性來實現(xiàn)電信號的隔離與傳輸。

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