電子束

電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類(lèi)別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對(duì)制程節(jié)點(diǎn)敏感并且對(duì)最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學(xué)系統(tǒng)（Electron?Optical?System，簡(jiǎn)稱(chēng)EOS），決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量， 進(jìn)而決定設(shè)備的性能。 作為電子束量測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者，東方晶源始終堅(jiān)持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐，致力于為客

學(xué)員問(wèn)：我觀察到晶圓廠中l(wèi)ift off工藝，鍍膜都是用的電子束蒸發(fā)的方式，很少有用磁控濺射的方式，為什么？

光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。

除了積極跟蹤EUV光刻機(jī)的開(kāi)發(fā)進(jìn)程，芯片廠商也在尋找能夠替代EUV光刻機(jī)的技術(shù)。被寄予厚望的不僅僅是電子束光刻技術(shù)。鎧俠力推NIL壓印工藝，聲稱(chēng)有望在2025年實(shí)現(xiàn)5nm工藝；臺(tái)積電采用DUV光刻技術(shù)同樣實(shí)現(xiàn)了7nm工藝，并聲稱(chēng)DUV光刻技術(shù)可以也可以實(shí)現(xiàn)5nm工藝。

電子槍中的陰極由于直接或間接加熱而發(fā)射電子，該電子在高壓靜電場(chǎng)的加速下再通過(guò)電磁場(chǎng)的聚焦就可以形成能量密度極高的電子束，用此電子束去轟擊工件，巨大的動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱能，使焊接處工件熔化，形成熔池，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)工件的焊接。