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對于長江存儲而言，此次向三星等頂尖存儲技術企業(yè)授予專利許可，標志著中國存儲產業(yè)歷史上的一個里程碑。深入分析此次合作的背景，可以發(fā)現(xiàn)這并非僅僅是[巨頭的屈服]，而是一次對技術定義權進行重新分配的重要變革。

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03/22 09:55

存儲技術 3D NAND

超盈智能科技蟄伏存儲行業(yè)13年，專注于產品封測和嵌入式存儲解決方案，強勁的產品篩選能力對產品的來料有著嚴格的把控，產品穩(wěn)定性得到高度保證?，F(xiàn)旗下科摩思品牌首次推出消費類存儲固態(tài)硬盤赤霄白帝KM7000，搭載PCIe 4.0 NVMe 2.0協(xié)議，以高性能和超大容量存儲為游戲玩家、內容創(chuàng)作者提供高速存儲新體驗。科摩思消費類存儲產品研發(fā)以問天戰(zhàn)甲為理念，從南天門計劃構思中研發(fā)出赤霄白帝、天河玄女及承

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2024/07/16

電源管理 3D NAND

1000層NAND，是“勇者”的游戲

最近，鎧俠首席技術官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計劃將在2031年批量生產超過 1,000 層的 3D NAND 存儲器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類似的觀點，預測到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。

半導體產業(yè)縱橫

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2024/04/23

NAND 3D NAND

閃存大會上幾個好消息

每年春天，半導體產業(yè)最讓人期待的盛會莫過于閃存大會和SEMICON。今天來聊聊閃存大會（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年閃存大會在深圳前海舉行，大會匯集了全球三大存儲原廠以及眾多產業(yè)鏈企業(yè)。據主辦方透露，今年大會總參與企業(yè)超過1500家，預計到場人數(shù)超過4000人。

芯師爺

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2024/03/25

閃存 3D NAND

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？

全球半導體觀察

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2024/01/31

dram 內存

使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

SEMulator3D 工藝建模在開發(fā)早期識別工藝和設計問題，減少了開發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時間現(xiàn)代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發(fā)這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預期的障礙，造成開發(fā)周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有

與非網編輯

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2024/01/29

3D NAND 氮化硅

長江存儲“亮劍”：在美起訴美光侵犯其8項3D NAND專利！

長江存儲在起訴書中稱，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長江存儲上訴8項專利。美光在未經授權的情況下利用長江存儲的專利技術來與長江存儲進行競爭，保護其市場份額，侵犯了長江存儲的利益，遏制了其創(chuàng)新的動力。

芯智訊

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2023/11/13

長江存儲 3D NAND

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在8月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在5月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數(shù)據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn)8平面3D NAND設備以及超過300字線的3D NAND IC。3D NAND終究還是卷到了300層……

半導體產業(yè)縱橫

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2023/08/30

NAND 存儲市場

長存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！

2022年，美光、SK海力士、三星等相繼量產了232層3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，長存128層及以上NAND Flash的供應鏈受到嚴重阻礙。在此背景之下，這些國際大廠紛紛加速邁向300層，希望能主導未來3D NAND Flash的技術路線。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。近日三星也被爆出將會在明年推出擁有超過300層堆疊的第9代V-NAND技術，未來的第10代V-NAND技術將可能達到 430層芯片。

芯智訊

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2023/08/22

長江存儲 3D NAND

使用新一代高度可調的低介電薄膜來解決串擾、隔離等制造挑戰(zhàn)

很少有比半導體制造迭代得更快的行業(yè)，這對開發(fā)和整合日新月異的生產工藝組合提出了不斷挑戰(zhàn)。半導體行業(yè)一直面臨著如3D整合等新問題和像串擾這樣持續(xù)存在的問題，因而需要工程師們的智慧和創(chuàng)造力確保技術的與時俱進，也需要像SPARC這樣的創(chuàng)新設備支持技術的實現(xiàn)，以確?！懊織l信息都被清楚聽到”。

與非網編輯

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2023/08/04

集成電路 3D NAND

背面供電與DRAM、3D NAND三大技術的未來預測

最近有許多正在全球范圍內研究和開發(fā)的技術，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC?！癡LSI研討會2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都麗嘉皇家酒店舉行。今年VLSI2023提交的論文數(shù)量為273篇，比去年夏威夷舉辦的232篇多了41篇。這273篇論文是近10年來提交論文數(shù)量最多的。錄用論文數(shù)量達到89篇，創(chuàng)歷史新高。然而，錄用率只有33%。

半導體產業(yè)縱橫

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2023/07/27

dram 3D NAND

泛林集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經常

與非網編輯

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2023/06/29

晶圓廠 3D NAND

長江存儲或將推遲武漢第二家晶圓廠建設

據消息人士透露，由于采購供應鏈中斷，長江存儲可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設。據南華早報報道，清華大學集成電路學院教授魏少軍上周在論壇上贊揚了長江存儲的技術創(chuàng)新，但警告說，在美國對向中國出口尖端半導體技術實施制裁后，中國需要將重點轉移到成熟的技術開發(fā)上。外國芯片專家表示，長江存儲實現(xiàn)技術進步和批量生產的能力將受到其無法免費獲得美國芯片制造工具和服務的阻礙。研究機構TrendForce也在一

集微網

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2023/01/29

晶圓廠長江存儲

復享光學首次提出薄膜神經網絡 3D NAND多層薄膜量測獲突破

據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現(xiàn)量產，領先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。中國半導體在先進制程制造上的持續(xù)重大突破，給國產量檢測設備的發(fā)展提出了同樣的要求，只有追求全產業(yè)鏈的整體提升，才能真正保持國際領先。復享光學作為國內集成電路核心光譜零部件供應商，配合設備廠商

與非網編輯

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2022/12/06

集成電路神經網絡

業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

半導體行業(yè)十分有趣，同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學、制造和創(chuàng)新的極限，以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。

與非網編輯

1880

2022/08/17

半導體行業(yè) 美光

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

隨著市場需求推動存儲器技術向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰(zhàn)，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案。