EUV光刻

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極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常稱(chēng)作EUV光刻，它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm 的紫外線(xiàn)。極紫外線(xiàn)就是指需要通過(guò)通電激發(fā)紫外線(xiàn)管的K極然后放射出紫外線(xiàn)。

極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常稱(chēng)作EUV光刻，它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm 的紫外線(xiàn)。極紫外線(xiàn)就是指需要通過(guò)通電激發(fā)紫外線(xiàn)管的K極然后放射出紫外線(xiàn)。收起

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  • EUV光刻，新的對(duì)手
    最近，美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）宣布開(kāi)發(fā)出了一種名稱(chēng)為大孔徑銩 （BAT） 激光器，這種激光器比現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)CO2激光器將EUV光源提高約10倍。
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  • 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！
    8月7日消息，近日日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)（OIST）的Tsumoru Shintake教授帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)提出了一項(xiàng)全新、大幅簡(jiǎn)化的面向極紫外（EUV）光刻機(jī)的雙反射鏡系統(tǒng)。相比傳統(tǒng)的至少需要六面反射鏡的配置，新的光學(xué)投影系統(tǒng)僅使用了兩面反射鏡，在確保系統(tǒng)維持較高的光學(xué)性能的同時(shí)，能讓EUV光線(xiàn)以超過(guò)初始值10%的功率到達(dá)晶圓，相比傳統(tǒng)系統(tǒng)中僅1%的功率來(lái)說(shuō)，提了高到了原來(lái)的10倍，可說(shuō)是一大突破。
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  • 從大型EUV光刻廠(chǎng)的熱炒聊起
    最近清華的SSMB-EUV光源在網(wǎng)上傳得沸沸揚(yáng)揚(yáng)，大概意思是中國(guó)可以通過(guò)這個(gè)加速器來(lái)產(chǎn)生不同頻率的EUV光源，同時(shí)可以給各種芯片制程來(lái)使用，徹底解決光刻機(jī)的技術(shù)壁壘。公眾對(duì)這個(gè)話(huà)題感興趣，原因還是希望能夠早日突破美國(guó)技術(shù)封鎖，對(duì)清華的研究充滿(mǎn)信心，希望我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)能夠盡快趕上國(guó)際領(lǐng)先水平。至于這個(gè)SSMB技術(shù)的細(xì)節(jié)，我相信絕大部分公眾并無(wú)法判斷，即使在專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體群中，大部分人也說(shuō)不清楚。
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  • 提高數(shù)值孔徑是EUV光刻技術(shù)目標(biāo)之一
    光刻是大規(guī)模集成電路芯片制備的核心工藝環(huán)節(jié)，其中，EUV光刻機(jī)是服務(wù)于7nm 以下制程芯片的設(shè)備。
  • ASML的未來(lái)：光明與風(fēng)險(xiǎn)并存
    很少有公司能像ASML那樣，從全球經(jīng)濟(jì)中不斷增加的半導(dǎo)體需求中獲益。
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    2021/12/24