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氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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  • GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用
    引言 人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、
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  • 特斯拉專家訪談：GaN車載應(yīng)用已成趨勢(shì)
    2024年10月，特斯拉技術(shù)專家接受了國外咨詢機(jī)構(gòu)的調(diào)研，其深度解析了氮化鎵技術(shù)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景與挑戰(zhàn)，同時(shí)還對(duì)D-mode / E-mode/直驅(qū)/單片集成等技術(shù)路線以及氮化鎵主流玩家進(jìn)行了點(diǎn)評(píng)。“行家說三代半”對(duì)該訪談進(jìn)行了全文翻譯，由于整個(gè)采訪多達(dá)7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。
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  • 人形機(jī)器人中的電機(jī)控制
    制造業(yè)和服務(wù)行業(yè)對(duì)更高自動(dòng)化水平的需求不斷增長，推動(dòng)了人形機(jī)器人的開發(fā)。人形機(jī)器人變得更加復(fù)雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對(duì)周圍環(huán)境的響應(yīng)時(shí)間（按毫秒計(jì)）縮短，從而能更好地模人形類的動(dòng)作。圖 1 展示了人形機(jī)器人的典型電機(jī)和運(yùn)動(dòng)功能。 圖 1. 顯示人形機(jī)器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機(jī)器人需要更多的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。機(jī)器人設(shè)計(jì)中的驅(qū)動(dòng)器位置決定了不同的驅(qū)動(dòng)器
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  • 意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (I
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  • 面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級(jí)
    在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險(xiǎn)絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會(huì)采用分立式熱插拔控制器加上外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案，然而這種方案下，由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會(huì)給電子保險(xiǎn)絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運(yùn)行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會(huì)導(dǎo)致電子保險(xiǎn)絲之間的電流共享不均（某些電子保險(xiǎn)絲承載的電流比其他電子保險(xiǎn)絲多），且通常會(huì)導(dǎo)致各個(gè)電子保險(xiǎn)絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關(guān)斷、運(yùn)行效率低下等問題，這種分立方案的設(shè)計(jì)功率一般只能達(dá)到4kW。
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    04/10 14:41
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