PMOS

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！
    近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計及制造工藝取得了非常巨大的進步，越來越多的先進技術(shù)運用到集成電路制造工藝中，促進了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進入先進技術(shù)節(jié)點之后，器件可靠性問題日趨嚴重，對器件的進一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時比較棘手的問題之一。
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    04/28 12:05
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  • 手把手教你用PMOS搭建一個電源端反接保護電路，1000字搞清楚每個器件的選型
    下面是一個反接保護電路，用在12V電源輸入端，保護后級負載不被電源接反給“坑”了。這個電路的核心任務(wù)是防止電源正負極接反時，電流反向流到負載，把后級電路燒壞。
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    學(xué)員問：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強型PMOS,NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。
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    03/10 16:12
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    在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子
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  • 數(shù)字邏輯電路之邏輯門非邏輯
    在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門最后一個為非門，非門又叫反向器，是將輸入信號取反然后輸出。
    4.1萬
    2024/07/30