igbt驅(qū)動電路

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。收起

查看更多
  • 快恢復(fù)二極管分類全解析：從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用
    在變頻器IGBT驅(qū)動電路中，一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間過長的二極管導(dǎo)致開關(guān)損耗增加30%，這個(gè)案例揭示了快恢復(fù)二極管選型對電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開關(guān)電路的核心元件，快恢復(fù)二極管根據(jù)性能特點(diǎn)可分為五大技術(shù)類別，每類都對應(yīng)特定的應(yīng)用場景。 一、按恢復(fù)時(shí)間分級 標(biāo)準(zhǔn)快恢復(fù)二極管（FRD） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）在200-500ns范圍，典型代表如RURG3060，適用于10-20kHz的開關(guān)電源拓?fù)?。?/div>
  • 不更改驅(qū)動電路，SiC器件也能直接替換IGBT、硅器件？
    SiC材料打造的功率半導(dǎo)體近來在半導(dǎo)體圈內(nèi)風(fēng)頭正勁，由于獨(dú)特晶體結(jié)構(gòu), 使其禁帶寬度達(dá)到2.2eV，遠(yuǎn)高于GaAs和Si，SiC打造的器件對于后兩者的替代趨勢日益明顯。
    42
    2018/12/08
  • igbt驅(qū)動電路
    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種新型的高效功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、工作可靠、耐壓能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于交流傳動、逆變和各類電源領(lǐng)域。而IGBT驅(qū)動電路是控制IGBT開關(guān)狀態(tài)的重要組成部分，可以為實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換提供保障。
    504
    2021/01/19
  • 最簡單igbt驅(qū)動電路圖及原理
    本文介紹IGBT驅(qū)動的基礎(chǔ)概念和原理。
    3209
    2021/01/11
  • igbt驅(qū)動電路圖的工作原理
    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，其特點(diǎn)包括高電壓、高電流和高速開關(guān)能力等。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路圖的工作原理。
    1035
    2021/01/11

正在努力加載...