8英寸SiC領(lǐng)域又一強強聯(lián)合！

據(jù)報道，近日，新加坡科學(xué)技術(shù)研究局 (A * STAR) 下屬研究機構(gòu)微電子研究所 (IME) 與德國擴散及退火設(shè)備供應(yīng)商centrotherm International AG就8英寸SiC技術(shù)達(dá)成合作，IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm的擴散及退火設(shè)備相結(jié)合，為SiC材料制備環(huán)節(jié)提供解決方案。

雙方共同研發(fā)的集成式SiC MOSFET技術(shù)解決方案（來源：A*STAR 及centrotherm）

業(yè)界熟知，SiC擁有高能效、高功率、耐高壓等特性，已成為電動汽車、軌道交通、數(shù)據(jù)中心及電網(wǎng)等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的理想材料，市場需求呈現(xiàn)不斷增長的趨勢。但SiC產(chǎn)品和技術(shù)目前尚未大規(guī)模商用化應(yīng)用，處于供不應(yīng)求的階段，而量產(chǎn)的其中一個主要障礙便是SiC襯底環(huán)節(jié)，該環(huán)節(jié)現(xiàn)階段仍存在較多缺陷問題，迫切需要突破各項瓶頸。

在此背景下，IME與centrotherm旨在結(jié)合IME的工藝集成和器件特性描述能力以及centrotherm的專業(yè)設(shè)備，共同開發(fā)用于制造SiC器件的熱處理技術(shù)，譬如，優(yōu)化溝槽和柵氧化物形成，借此增強SiC MOSFET、SiC二極管等器件的性能和可靠性。

據(jù)了解，IME成立于1991年，立足于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前聚焦先進封裝、piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光學(xué)傳感器等領(lǐng)域的研發(fā)工作。

在SiC領(lǐng)域，IME近年來已陸續(xù)與材料廠商Soitec、東麗及ST意法半導(dǎo)體等SiC主要玩家達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，持續(xù)發(fā)力8英寸SiC材料技術(shù)，瞄準(zhǔn)高功率應(yīng)用市場的機會。

而centrotherm擁有70多年的歷史，熱處理和涂層技術(shù)是該公司的核心競爭力，其設(shè)備的應(yīng)用場景覆蓋晶圓制造、功率半導(dǎo)體、MEMS、光電、光伏、光纖制造等。隨著公司朝向SiC等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展，centrotherm下一步計劃進一步增強寬禁帶半導(dǎo)體工藝模塊的擴散和退火工藝專業(yè)性，并將專業(yè)知識拓展至SiC/GaN及其他創(chuàng)新性寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

作為本次合作的一部分，centrotherm將在新加坡組件一支專業(yè)的技術(shù)團隊，為IME提供技術(shù)know-how，工藝配方和現(xiàn)場支持。

IME認(rèn)為，公司的8英寸SiC試產(chǎn)線與centrotherm的先進設(shè)備相結(jié)合，有利于兩家公司加快技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)的步伐，更好地應(yīng)對市場需求。

集邦化合物半導(dǎo)體Jenny