芯耀
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近日，半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展，涉及晶圓制造、芯片封裝及測試、半導(dǎo)體設(shè)備、功率器件、第三代半導(dǎo)體材料等多個(gè)領(lǐng)域。
總投資近17億元，晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)8月主體落成
近日，據(jù)上杭融媒消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導(dǎo)體”）二期項(xiàng)目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進(jìn)行地基施工中。
據(jù)晶旭半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人消息，該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條氧化鎵基超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，首批產(chǎn)線應(yīng)該會(huì)實(shí)現(xiàn)400kk的年產(chǎn)能。是2023年12月份開建，目前已完成整個(gè)樁基地下工程部分，正在做樁基測試部分。預(yù)計(jì)在今年4月底5月初完成主體生產(chǎn)廠房封頂，8月份項(xiàng)目主體工程會(huì)落成。
2月2日，深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司與晶旭半導(dǎo)體的戰(zhàn)略投資簽署儀式舉行。此次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人，對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達(dá)產(chǎn)。
光安倫擬投建高端芯片產(chǎn)品測試及驗(yàn)證項(xiàng)目
據(jù)武漢左嶺新城開發(fā)投資有限公司消息顯示，光芯片企業(yè)武漢光安倫光電技術(shù)有限公司（以下簡稱“光安倫”）與高科左嶺產(chǎn)業(yè)園簽訂協(xié)議，項(xiàng)目入駐武漢新城。光安倫擬在武漢高科左嶺產(chǎn)業(yè)園內(nèi)投資建設(shè)高端芯片產(chǎn)品測試及驗(yàn)證項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約5000萬元，主要開展光芯片Bar條以后的解理、測試、分選、老化及驗(yàn)證等。
中國光谷消息顯示，該項(xiàng)目可滿足2.5G-100G速率高端芯片產(chǎn)品的解理、測試、老化、驗(yàn)證全工序批量作業(yè)。線體具有高自動(dòng)化、高良率和高精度水平，可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)150-200萬出貨量，具備年產(chǎn)3000萬只芯片的產(chǎn)品交付能力，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值近3億元。
公開資料顯示，光安倫公司成立于2015年，是國內(nèi)光通信行業(yè)從芯片設(shè)計(jì)、外延生長、芯片制程、工藝開發(fā)以及測試、封裝全流程的IDM（垂直整合制造）生產(chǎn)廠家。
廣州增芯370億項(xiàng)目搬入光刻機(jī)
3月11日，廣州增芯科技有限公司12英寸先進(jìn)智能傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線項(xiàng)目（以下簡稱“增芯項(xiàng)目”）迎來工廠最核心設(shè)備--光刻機(jī)搬入，標(biāo)志著增芯項(xiàng)目迎來項(xiàng)目建設(shè)的關(guān)鍵性節(jié)點(diǎn)，順利進(jìn)入調(diào)試投產(chǎn)準(zhǔn)備階段。
據(jù)悉，增芯項(xiàng)目一期計(jì)劃投資370億元，預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期一階段建成后，將具備年產(chǎn)24萬片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品將主要應(yīng)用于新能源智能汽車、超高清視頻顯示、高端裝備、5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
據(jù)增芯科技總經(jīng)理張亮介紹，增芯此次引進(jìn)的光刻機(jī)產(chǎn)能輸出速率可達(dá)到260片/小時(shí)，其資金投入占整個(gè)工廠建設(shè)投資的約25%。
泓滸半導(dǎo)體泓橋基地項(xiàng)目開工建設(shè)
據(jù)泓滸半導(dǎo)體官方消息，3月11日，泓滸半導(dǎo)體泓橋基地項(xiàng)目開工建設(shè)。據(jù)悉，開設(shè)泓橋基地項(xiàng)目目的在于繼續(xù)擴(kuò)大企業(yè)研發(fā)規(guī)模，加速核心技術(shù)迭代，賦能半導(dǎo)體晶圓傳輸設(shè)備及核心零部件全國產(chǎn)化。
官方資料顯示，泓滸半導(dǎo)體2016年成立于蘇州，專注于半導(dǎo)體晶圓傳輸自動(dòng)化設(shè)備研發(fā)和制造，該公司晶圓傳輸設(shè)備（SORTER/EFEM）在半導(dǎo)體設(shè)備前、中、后道工藝均有產(chǎn)品使用，其中8/12英寸晶圓分選設(shè)備進(jìn)入國產(chǎn)主流大硅片生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝線。
科陽半導(dǎo)體二期項(xiàng)目在蘇相合作區(qū)開工奠基
3月8日，蘇州科陽半導(dǎo)體有限公司二期工程項(xiàng)目在蘇相合作區(qū)開工奠基。
蘇州工業(yè)園區(qū)蘇相合作區(qū)發(fā)布消息稱，蘇州科陽半導(dǎo)體有限公司從事晶圓級(jí)封裝測試服務(wù)業(yè)，于2013年籌建，2014年量產(chǎn)，已成為年產(chǎn)30億顆的晶圓級(jí)先進(jìn)封裝企業(yè)?？脐柊雽?dǎo)體專注先進(jìn)封測技術(shù)的研發(fā)量產(chǎn)，4英寸、6英寸、8英寸和12英寸全尺寸晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品線，具有TSV、WLCSP、Bumping等多種封裝能力。目前，科陽半導(dǎo)體一期1.7萬方廠房的主要產(chǎn)線處于滿產(chǎn)狀態(tài)。
裕太微電子總部基地項(xiàng)目在蘇州高新區(qū)開工
據(jù)蘇州高新區(qū)發(fā)布消息，3月8日，裕太微電子總部基地項(xiàng)目在蘇州高新區(qū)開工建設(shè)，將打造核心技術(shù)研發(fā)中心，為推動(dòng)光子及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力再添強(qiáng)勁動(dòng)能。
據(jù)悉，此次開工的裕太微電子總部基地項(xiàng)目坐落于太湖科學(xué)城功能片區(qū)，主要用于完善和擴(kuò)大裕太微電子核心技術(shù)研發(fā)中心。項(xiàng)目強(qiáng)化車規(guī)級(jí)芯片與汽車產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，構(gòu)建更加融合的網(wǎng)狀供應(yīng)鏈生態(tài)。
裕太微電子股份有限公司落戶蘇州高新區(qū)以來，已實(shí)現(xiàn)了高速有線通信核心領(lǐng)域的全面國產(chǎn)化替代，是國內(nèi)極少數(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并實(shí)現(xiàn)多速率、多端口以太網(wǎng)物理層芯片大規(guī)模銷售的供應(yīng)商。去年在上交所科創(chuàng)板成功上市，成為“以太網(wǎng)物理層芯片第一股”。
北京順義泰科天潤項(xiàng)目一期投資4億元，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)
3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。目前，項(xiàng)目正在進(jìn)行打樁收尾和結(jié)構(gòu)施工建設(shè)準(zhǔn)備。
該項(xiàng)目將建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域6-8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地，一期投資4億元，年產(chǎn)SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值8億元，2028年達(dá)產(chǎn)。
2023年3月27日，泰科天潤總部項(xiàng)目在北京中關(guān)村順義園舉行開工奠基儀式。當(dāng)時(shí)，中關(guān)村順義園消息顯示，泰科天潤總部項(xiàng)目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設(shè)。項(xiàng)目建成后，泰科天潤將整體遷入中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)，進(jìn)一步統(tǒng)籌技術(shù)開發(fā)、工程化、標(biāo)準(zhǔn)制定、應(yīng)用示范等環(huán)節(jié)，研發(fā)生產(chǎn)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域的功率器件。
值得一提的是，在北京市2023年重點(diǎn)工程計(jì)劃中，泰科天潤總部及生產(chǎn)廠房項(xiàng)目在列。
渭南圓益半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片材料配套項(xiàng)目開工
3月1日，渭南圓益半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片材料配套項(xiàng)目開工儀式在陜西渭南經(jīng)開區(qū)舉行。項(xiàng)目總占地面積約11畝，總投資約1.26億元。
渭南發(fā)布消息顯示，渭南圓益半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目是渭南圓益的二期投資項(xiàng)目。據(jù)了解，渭南圓益半導(dǎo)體新材料有限公司是渭南經(jīng)開區(qū)引進(jìn)的韓國獨(dú)資企業(yè)，也是渭南經(jīng)開區(qū)引進(jìn)外資投資的重大突破。
該項(xiàng)目主要建設(shè)半導(dǎo)體行業(yè)在芯片生產(chǎn)過程中使用的高純度電子特氣存儲(chǔ)配套設(shè)施，項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)期為1年，從2024年3月至2025年2月，項(xiàng)目建成運(yùn)營后，將為三星半導(dǎo)體等行業(yè)龍頭客戶供應(yīng)8種電子級(jí)特殊氣體，主要用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)過程中的吹掃、刻蝕、光刻等工藝環(huán)節(jié)。
沛塬電子研發(fā)中心落地臨港新片區(qū)工
據(jù)上海臨港消息，2月27日，上海沛塬電子有限公司（以下簡稱“沛塬電子”）臨港研發(fā)中心正式入駐臨港新片區(qū)海洋創(chuàng)新園·海立方園三期。
官方資料顯示，沛塬電子2021年成立于上海臨港，是一家專注于電源模塊技術(shù)的公司，開展的高端功率半導(dǎo)體模組和高頻算力芯片供電模組等高端電源變換器組件產(chǎn)品的國產(chǎn)化工作取得了快速突破。
據(jù)悉，沛塬電子計(jì)劃在2024年將實(shí)現(xiàn)多款主流型號(hào)產(chǎn)品量產(chǎn)交付，并針對(duì)光儲(chǔ)充、車載電機(jī)控制器等新能源領(lǐng)域應(yīng)用場景的智能 功率模組IPM需求，開發(fā)相應(yīng)技術(shù)和產(chǎn)品方案。
總投資20億，嘉興斯達(dá)SiC芯片項(xiàng)目計(jì)劃3月投產(chǎn)
3月4日，南湖發(fā)布消息顯示，近日，浙江省發(fā)改委公布了2024年浙江省擴(kuò)大有效投資“千項(xiàng)萬億”工程，南湖區(qū)14個(gè)重大項(xiàng)目入選，其中嘉興斯達(dá)微電子有限公司（以下簡稱“嘉興斯達(dá)”）高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等3個(gè)項(xiàng)目將于今年投產(chǎn)。
據(jù)悉，嘉興斯達(dá)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)位于嘉興南湖區(qū)，總投資20億元，總用地面積279畝，新增建筑面積20.6萬平方米，新建生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓、?；瘋}庫等建構(gòu)筑物，購置包括光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)等工藝設(shè)備。建設(shè)單位為嘉興斯達(dá)微電子有限公司，建設(shè)工期為2022-2024年，項(xiàng)目于2022年1月3日開工，計(jì)劃2024年3月投入使用。項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)36萬片功率芯片生產(chǎn)能力。
強(qiáng)華股份集成電路核心裝備新材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目封頂
近日，上海強(qiáng)華實(shí)業(yè)股份有限公司（以下簡稱“強(qiáng)華股份”）“集成電路核心裝備新材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目”封頂儀式在上海臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)舉行。
據(jù)悉，強(qiáng)華股份臨港項(xiàng)目主要生產(chǎn)8英寸-12英寸高純、高精度石英器件及其它相關(guān)硅基器件。該項(xiàng)目于2023年3月拿地，同年7月開工建設(shè)。
公開資料顯示，強(qiáng)華股份是一家擁有20多年石英加工經(jīng)驗(yàn)，主要從事高純、高精度石英材料制品研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的企業(yè)，目前強(qiáng)華股份現(xiàn)已成為中芯國際、北方華創(chuàng)等國內(nèi)一線集成電路制造商石英器件的核心供應(yīng)商。
總投資約11億，拓荊科技擬投建高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地
3月1日，拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“拓荊科技”）發(fā)布公告稱，公司基于整體戰(zhàn)略布局及經(jīng)營發(fā)展的需要，為加快產(chǎn)能規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)布局，擬投資建設(shè)“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目”。
據(jù)公告披露，該項(xiàng)目由拓荊科技及其子公司拓荊創(chuàng)益共同實(shí)施，擬在沈陽市渾南區(qū)購置土地建設(shè)新的產(chǎn)業(yè)化基地，包括千級(jí)生產(chǎn)潔凈間、立體庫房、測試實(shí)驗(yàn)室等。該產(chǎn)業(yè)化基地建成后，將進(jìn)一步提高其的產(chǎn)能，以支撐PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動(dòng)公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長，提升公司整體競爭力和盈利能力。
具體來看，拓荊科技以公司及全資子公司拓荊創(chuàng)益為實(shí)施主體，項(xiàng)目總投資額約為11億元，其中公司投資金額約為3.8億元，拓荊創(chuàng)益投資金額約為7.2億元。公司擬調(diào)減首發(fā)募投項(xiàng)目“先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目”募集資金承諾投資總額2億元，同時(shí)調(diào)減超募資金投資項(xiàng)目“半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的募集資金承諾投資總額5000萬元，并將上述調(diào)減的募集資金合計(jì)2.5億元投入“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目”，其余項(xiàng)目資金8.5億元由公司及拓荊創(chuàng)益自籌。
總投資32.7億，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在深圳寶安啟用
據(jù)濱海寶安消息，近日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營，將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)深圳第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。
濱海寶安消息顯示，該項(xiàng)目2021年11月開工建設(shè)，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線正式進(jìn)入試運(yùn)行階段。
第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地總投資32.7億元，是廣東省和深圳市重點(diǎn)項(xiàng)目，深圳全球招商大會(huì)重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。其中，圍繞生產(chǎn)襯底和外延等制造芯片的基礎(chǔ)材料，該項(xiàng)目重點(diǎn)布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片，將有效解決下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網(wǎng)、高端電源、5G通訊、人工智能等重點(diǎn)領(lǐng)域的碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的原材料基礎(chǔ)保障和供應(yīng)瓶頸，為深圳及廣東本地龍頭企業(yè)長期提供穩(wěn)定可靠足量的襯底及外延材料，以加快推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)自主可控和量產(chǎn)原材料保障。
未來，重投天科還將設(shè)立大尺寸晶體生長和外延研發(fā)中心，并與本地重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在儀器設(shè)備共享及材料領(lǐng)域開展合作，與重點(diǎn)裝備制造企業(yè)加強(qiáng)晶體加工領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新合作，聯(lián)動(dòng)下游龍頭企業(yè)在車規(guī)器件、模組研發(fā)等工作上聯(lián)合創(chuàng)新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺(tái)領(lǐng)域研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)水平。
總投資30億，上海新微半導(dǎo)體有限公司二期項(xiàng)目落地臨港
據(jù)上海市建設(shè)工程交易服務(wù)中心消息，近日，位于臨港新片區(qū)的上海新微半導(dǎo)體有限公司二期項(xiàng)目已開啟資格預(yù)審，并在2月27日進(jìn)行公開招標(biāo)。
據(jù)悉，上海新微半導(dǎo)體有限公司二期項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容為電子通信廣電-微電子產(chǎn)品項(xiàng)目工程，擬新建多層廠房和倉庫層數(shù)3層，工程總投資30億元。
資料顯示，上海新微半導(dǎo)體有限公司2020年1月成立于中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)。作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)，新微半導(dǎo)體擁有一流的工藝制程和特色解決方案，專注于為射頻、功率和光電三大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)，生產(chǎn)的芯片可廣泛應(yīng)用于通信、新能源、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等終端應(yīng)用領(lǐng)域。不僅擁有完備的工藝制程和全套的解決方案，還為客戶提供設(shè)計(jì)支持、MPW晶圓服務(wù)、光罩服務(wù)、測試與分析服務(wù)等增值服務(wù)。
新微半導(dǎo)體在國內(nèi)外化合物半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)上，通過先進(jìn)異質(zhì)外延技術(shù)、新型鍵合技術(shù)和襯底技術(shù)，實(shí)現(xiàn)與硅工藝的深度融合，獲得性能和成本的雙重競爭力。為加速射頻與光電相關(guān)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，加速完善上海集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)、升級(jí)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)環(huán)節(jié)，成立了上海市化合物半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，目標(biāo)是促進(jìn)國內(nèi)卓越的化合物半導(dǎo)體材料、器件、集成創(chuàng)新策源地的形成。
希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)下半年投用
近日，3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，位于四川樂山高新區(qū)的希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用，屆時(shí)該公司將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線。
據(jù)悉，自2000年5月成立以來，希爾電子專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造及銷售，擁有從芯片設(shè)計(jì)、制造到器件研發(fā)、封測和銷售的IDM完整產(chǎn)業(yè)鏈，具有年產(chǎn)300萬片4英寸高端GPP/FRD芯片生產(chǎn)能力。公司主要產(chǎn)品為IGBT、FRD及整流器件三大系列，產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)電源、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。
據(jù)報(bào)道，希爾電子從2015年開始研究IGBT芯片，經(jīng)過多年努力，公司自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品在功率半導(dǎo)體器件行業(yè)位居前5，多項(xiàng)技術(shù)屬于行業(yè)首創(chuàng)，已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
目前，在完成FRD、IGBT產(chǎn)品系列化開發(fā)的基礎(chǔ)上，希爾電子加快了IPM、PIM集成模塊和第三代半導(dǎo)體SiC、GaN等功率器件的研發(fā)步伐。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，希爾電子的SiC功率器件已逐步量產(chǎn)，GaN功率器件已經(jīng)進(jìn)入樣品試制階段。
業(yè)務(wù)方面，美的、格力、海爾等品牌均為希爾電子長期合作伙伴。近年來，希爾電子正在從家電電源向光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展，并已經(jīng)與新能源汽車行業(yè)頭部客戶達(dá)成合作。
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