芯耀
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10月29日，半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。
英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示，隨著AI數(shù)據(jù)中心的能源需求大幅上升，能效變得日益重要。這給英飛凌帶來了快速發(fā)展的機(jī)遇，英飛凌預(yù)計其AI業(yè)務(wù)收入在未來兩年內(nèi)將達(dá)到10億歐元。
晶圓厚度僅為頭發(fā)絲1/4
技術(shù)規(guī)格上，這種晶圓直徑為30mm，厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。通常來講，晶圓的厚度大致在幾十到幾百微米之間。此次英飛凌將晶圓厚度降低到20μm，可謂是業(yè)界全新的突破。但業(yè)界也認(rèn)為，更薄的晶圓也將面臨一些新的技術(shù)挑戰(zhàn)，例如傳統(tǒng)工藝兼容、翹曲等問題。
技術(shù)優(yōu)勢上，與基于傳統(tǒng)硅晶圓的解決方案相比，該技術(shù)晶圓厚度減半，基板電阻可降低50%，功率系統(tǒng)中的功率損耗可減少15%以上。對于高端AI服務(wù)器應(yīng)用來說，電流增大會推動能源需求上升，因此，將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，對于功率轉(zhuǎn)換來說尤為重要。
應(yīng)用領(lǐng)域上，英飛凌這款超薄晶圓技術(shù)已獲得認(rèn)可，并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，且已交付給首批客戶。英飛凌指出，這項創(chuàng)新將有助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，適用于AI數(shù)據(jù)中心，以及消費(fèi)、電機(jī)控制和計算應(yīng)用。
目前，英飛凌擁有全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體作為新型半導(dǎo)體材料，因其在高功率應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)，也被認(rèn)為是硅的下一代繼任者。英飛凌稱，硅將繼續(xù)在許多領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但英飛凌也在積極推進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的發(fā)展。
在氮化鎵方面，英飛凌推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓；碳化硅方面，該公司提升其200毫米晶圓產(chǎn)能，目前已建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠，晶圓廠位于馬來西亞居林。
上述體現(xiàn)出英飛凌加強(qiáng)布局功率半導(dǎo)體市場的決心。
超薄晶圓技術(shù)，半導(dǎo)體業(yè)“重要推手”
放眼全球格局，功率半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)出明顯的分層競爭格局。全球市場主要被海外IDM巨頭占據(jù)，其中英飛凌以一定優(yōu)勢的領(lǐng)先同行，其次是德州儀器、安森美、意法半導(dǎo)體等企業(yè)。
針對此次突破，業(yè)界認(rèn)為，超薄晶圓技術(shù)的推進(jìn)有望進(jìn)一步擴(kuò)大英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先優(yōu)勢，或加劇全球功率半導(dǎo)體市場的同質(zhì)化競爭，驅(qū)動同行加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。
近年來，隨著科技行業(yè)的發(fā)展，市場對低能耗、小尺寸、超薄化芯片的需求不斷提升，進(jìn)而推動超薄晶圓的需求上漲。這種市場需求的增長將促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是晶圓薄化技術(shù)的廣泛應(yīng)用。
英飛凌預(yù)測，在未來三至四年內(nèi)，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將逐步被這種超薄晶圓技術(shù)所取代，尤其在低壓功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。這預(yù)示著，未來，超薄晶圓技術(shù)可能會成為功率半導(dǎo)體市場的主流技術(shù)，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展的趨勢。
對于全球半導(dǎo)體行業(yè)而言，超薄晶圓技術(shù)的發(fā)展推動技術(shù)進(jìn)步和市場格局的變化，對供應(yīng)鏈、制造工藝以及市場需求產(chǎn)生了重要影響，并將進(jìn)一步促進(jìn)低碳化和數(shù)字化的進(jìn)程。
