cmp工藝中的dishing（凹陷）與ersion（腐蝕）

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：cmp中凹陷和腐蝕有什么區(qū)別？產(chǎn)生的原因有哪些？

dishing與ersion是什么？

如上圖，dishing是cmp后的介質(zhì)層與Cu層最低點形成的凹坑。而Erosion是介質(zhì)層在cmp研磨前后的差距。其中Dishing通常發(fā)生在較寬的金屬層中。金屬比介電層軟，因此在CMP過程中，金屬區(qū)域的去除速率通常比介電層快，導致金屬表面出現(xiàn)凹陷。 Erosion一般發(fā)生在較細的金屬線周圍，拋光液對金屬線，介質(zhì)層均有腐蝕。

dishing與ersion造成的影響？

1，金屬層變薄，導致導線的阻抗變化，從而影響電氣性能，特別是在高頻應(yīng)用中，信號的傳輸質(zhì)量可能會大幅下降。

2，晶圓表面不平整，提高了后續(xù)第二層金屬的的cmp研磨困難度

如何減小dishing？

1，選用合適的拋光墊，如選用無孔隙PU材質(zhì)的拋光墊

2，選用高選擇比的拋光液

3，dummy fill，在一些空白區(qū)域進行虛擬填充，以增加圖形密度。

4，減小過拋光的時間及壓力

等等

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