湖南公布新一批重點項目名單，22個半導體相關企業(yè)上榜

近日，湖南省工信廳發(fā)布了《2025年湖南電子信息制造業(yè)重點項目名單》，涵蓋先進計算、音視頻、新一代半導體、人工智能等重點領域。50個重點項目建成達產(chǎn)后，預計可新增收入530億元。

其中，涉及的22個半導體上榜項目包括：藍思科技智能裝備研發(fā)及生產(chǎn)基地項目，中車時代半導體中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目、韶光芯材總部及半導體光掩模材料國產(chǎn)化項目，艾迪奧電子千億只關鍵電子元器件研發(fā)生產(chǎn)基地（一期）項目、順為功率半導體第三代功率半導體SIC/IGBT封測項目、宜章凱美特特種氣體項目等。

湖南省工信廳明確，將持續(xù)強化項目要素保障，落實稅收優(yōu)惠、用地支持等政策，推動50個重點項目年內(nèi)竣工率超40%。

隨著第三代半導體規(guī)?；a(chǎn)、高端封裝技術突破及AI場景應用拓展，湖南正從“制造優(yōu)勢”向“創(chuàng)新優(yōu)勢”跨越，目標在2025年形成具有國際競爭力的功率半導體產(chǎn)業(yè)集群，為我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強勁動能。

湖南技術攻堅，核心裝備突破“卡脖子”

據(jù)悉，湖南正以技術創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)升級。株洲中車時代半導體建成國內(nèi)首條6英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，其第五代IGBT技術實現(xiàn)模塊功率密度提升30%，成功應用于高鐵牽引系統(tǒng)。長沙進芯電子研發(fā)的雙核DSP芯片打破國外壟斷，性能參數(shù)達到國際同類產(chǎn)品水平，廣泛應用于工業(yè)控制與新能源汽車領域。

在第三代半導體領域，湖南三安的8英寸碳化硅襯底良率突破95%，配套的車規(guī)級SiCMOSFET模塊實現(xiàn)量產(chǎn)，成本較進口產(chǎn)品降低40%，加速國產(chǎn)碳化硅器件在10萬元級新能源車型中的滲透。

在制造裝備領域，湖南楚微半導體聯(lián)合中電四十八所攻克8英寸集成電路成套裝備技術，實現(xiàn)立式爐管、硅外延設備等12類關鍵裝備國產(chǎn)化替代，整線裝備國產(chǎn)化率達95%，良率穩(wěn)定在98%以上。

長沙安牧泉先進封裝基地全面投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)2000萬顆高算力大芯片封裝能力，填補湖南高端芯片封裝空白，其FC-SiP封裝技術成功應用于龍芯CPU、景嘉微GPU等國產(chǎn)核心芯片。

湖南目前已構建起"長株潭核心區(qū)+特色園區(qū)"的產(chǎn)業(yè)格局。株洲功率半導體產(chǎn)業(yè)園已集聚中車時代、立方新能源等50余家企業(yè)，形成"芯片設計-晶圓制造-封裝測試-系統(tǒng)應用"完整鏈條，2024年實現(xiàn)產(chǎn)值突破400億元。長沙湘江新區(qū)依托安牧泉、進芯電子等龍頭企業(yè)，打造高端芯片制造與先進封裝產(chǎn)業(yè)帶，聯(lián)合國防科大、湖南大學共建第三代半導體技術創(chuàng)新中心，突破碳化硅外延生長、柵氧制備等關鍵工藝。

在材料領域，韶光芯材建成國內(nèi)首條半導體光掩模材料產(chǎn)線，年產(chǎn)能達50萬片，實現(xiàn)G5代掩模基板國產(chǎn)化。湘芯半導體在婁底建設的碳化硅刻蝕環(huán)生產(chǎn)基地，年產(chǎn)能3萬件，打破美日企業(yè)在該領域的壟斷。益陽科力遠新能源產(chǎn)業(yè)園聚焦鋰電池材料與儲能芯片，與比亞迪合作開發(fā)車載能源管理芯片，形成新能源汽車核心部件產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。