芯耀
在我們的印象中，羅姆是家元器件廠商，強項在電阻等分立元器件，殊不知羅姆從上個世紀(jì)60年代開始開發(fā)二極管，到80年代研發(fā)自己的4位和8位微控制器產(chǎn)品，90年代推出功率元器件和LCD顯示類IC產(chǎn)品，羅姆不止有元器件，而是成長為一個綜合性半導(dǎo)體廠商。而近期通過與羅姆的幾次溝通和采訪，我們發(fā)現(xiàn)，羅姆的這種轉(zhuǎn)型還在走向深入。不一樣的羅姆，讓生活更智能這篇報道中我們可以有所了解，這也是羅姆一直以來極力向用戶呈現(xiàn)的公司的新藍圖。
高交會電子展上的羅姆展區(qū)
厚積
作為穩(wěn)扎穩(wěn)打的日本電子企業(yè)的代表，羅姆已進花甲高齡，象任何高明的技師一樣，在傳統(tǒng)分立元器件方面的技術(shù)積累臻于完美。談及這部分技術(shù)的優(yōu)異性和領(lǐng)先性，羅姆認為得益于兩點：
- 產(chǎn)品的微細加工技術(shù)
提到近年來電子產(chǎn)業(yè)的重要趨勢，便攜式電子產(chǎn)品的風(fēng)靡和加速更新?lián)Q代是普通大眾也看得到的大趨勢。這些產(chǎn)品在趨向高性能化的同時，整機本身則向著小型、薄型化發(fā)展。伴隨著高性能化發(fā)展帶來零部件數(shù)目的增加，市場需要實現(xiàn)高密度貼裝的超小型零部件。作為擁有50年以上歷史的綜合性半導(dǎo)體廠商，羅姆已實現(xiàn)了各種各樣世界最小尺寸的零部件產(chǎn)品。在本屆高交會電子展上，羅姆展出了眾多此類產(chǎn)品，如“03015尺寸貼片電阻器”、“0806尺寸晶體管”、“0402尺寸齊納二極管”、“1006尺寸LED（PICOLED霹克鐳）等。
羅姆世界最小03015尺寸電阻器產(chǎn)品展示（圖右）
2.?節(jié)能化
隨著節(jié)能趨勢的發(fā)展，在太陽能、工業(yè)和汽車領(lǐng)域等大型機器方面，需要更加省電并提高電壓的轉(zhuǎn)換效率（低損耗、高效率）。
提高轉(zhuǎn)換效率就要減少損耗。這種損耗雖然不能完全減少到零，但為了接近零損耗，羅姆在產(chǎn)品設(shè)計中進行反復(fù)的研發(fā)，通過這些研發(fā)結(jié)果降低損耗、減少CO2排放。
在Si基超級結(jié)（SJ）-MOSFET、MOSFET、雙極晶體管、肖特基勢壘二極管（SBD）、快速恢復(fù)二極管（FRD）、二極管（Di）、齊納二極管之外，又新增碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新一代元件，在各電壓范圍都提供有特色的功率元器件產(chǎn)品。
這里不能不提到羅姆引以為傲的SiC工藝產(chǎn)品線，目前SiC的產(chǎn)品包括：
●? SiC-SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）：
從2010年開始羅姆在日本國內(nèi)廠商中首次批量生產(chǎn)SiC-SBD，目前已經(jīng)在各種機器中得到應(yīng)用。與以往的Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）相比，SiC-SBD可以大幅縮短反向恢復(fù)時間，因此恢復(fù)損耗可以降低至原來的三分之一。充分利用這些特性，在各種電源的PFC電路（連續(xù)模式PFC）和太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器中不斷得到應(yīng)用。
另外，羅姆備有耐壓600V、1200V的SiC-SBD產(chǎn)品線。并且，2012年起開始銷售性能升級的第二代SiC-SBD。第二代SiC-SBD與以往產(chǎn)品相比，具有短反向恢復(fù)時間的同時，降低了正向電壓。通常降低正向電壓，則反向漏電流也隨之增加。羅姆通過改善工藝和元器件結(jié)構(gòu)，保持低漏電流的同時，成功降低了正向電壓。正向上升電壓也降低了0.1~0.15V，因此尤其在低負載狀態(tài)下長時間工作的機器中效率有望得到提高。
羅姆SiC功率產(chǎn)品展示
●SiC-MOSFET：
相對于不斷搭載到各種機器上的SiC-SBD，SiC-MOSFET的量產(chǎn)化由于各種技術(shù)原因顯得有些滯后。2010年12月，羅姆在世界上首次以定制品形式量產(chǎn)SiC-MOSFET。而且，從2012年7月份開始，相繼開始量產(chǎn)1200V耐壓的第二代SiC-MOSFET。
以往SiC-MOSFET由于體二極管通電引起特性劣化(MOSFET的導(dǎo)通電阻、體二極管的正向電壓上升），成為量產(chǎn)化的障礙。然而，羅姆改善了與結(jié)晶缺陷有關(guān)的工藝和器件結(jié)構(gòu)，并在2010年量產(chǎn)時克服了SiC-MOSFET在可靠性方面的難題。1200V級的逆變器和轉(zhuǎn)換器中一般使用Si材質(zhì)IGBT。SiC-MOSFET由于不產(chǎn)生Si材質(zhì)IGBT上出現(xiàn)的尾電流（關(guān)斷時流過的過渡電流），所以關(guān)斷時開關(guān)損耗可以減少90%，而且可實現(xiàn)50kHz以上的驅(qū)動開關(guān)頻率。因此，可實現(xiàn)機器的節(jié)能化及散熱片、電抗器和電容等周邊元器件的小型化、輕量化。
●“全SiC”功率模塊：
現(xiàn)在，1200V級的功率模塊中，Si材質(zhì)IGBT和FRD組成的IGBT模塊被廣泛應(yīng)用。羅姆開發(fā)了搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊(1200V/100A半橋結(jié)構(gòu)，定制品)以替換以往的硅材質(zhì)器件，并從2012年3月下旬開始量產(chǎn)、出貨。通用品(1200V/120A半橋結(jié)構(gòu))也將很快量產(chǎn)。
作為替換硅材質(zhì)器件，搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的模塊，可實現(xiàn)100kHz以上的高頻驅(qū)動?？纱蠓档虸GBT尾電流和FRD恢復(fù)電流引起的開關(guān)損耗。因此，通過模塊的冷卻結(jié)構(gòu)簡化（散熱片的小型化，水冷卻、強制空氣冷卻的自然空氣冷卻）和工作頻率高頻化，可實現(xiàn)電抗器和電容等的小型化。
相對于已經(jīng)擁有大量應(yīng)用實例的SiC-SBD而言，SiC-MOSFET和全SiC功率模塊的真正應(yīng)用才剛剛開始。而相對以往硅材質(zhì)器件的性能差別和成本差別的平衡將成為SiC器件真正普及的關(guān)鍵。
目前羅姆還在兩個方面進行技術(shù)開發(fā)：基于SiC電路板大口徑化，降低SiC器件成本；相對硅材質(zhì)器件，開發(fā)在性能上具有絕對優(yōu)勢的新一代SiC器件。羅姆的目標(biāo)是通過擴大普及SiC器件，助力在全球范圍內(nèi)實現(xiàn)節(jié)能和減少CO2的排放。
有了如上的技術(shù)積累和不斷開發(fā)創(chuàng)新，讓羅姆可以在日益激烈的市場競爭中保持穩(wěn)健。
薄發(fā)
我們看到，近幾年來，全球半導(dǎo)體市場經(jīng)過金融危機的洗禮，大幅調(diào)整后初現(xiàn)恢復(fù)，后又接連遭受日本大地震和泰國洪水的打擊，羅姆也受到了較大影響。但羅姆通過貫徹BCP(Business Continuity Plan業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃)對策，快速恢復(fù)了生產(chǎn)，也由此更加穩(wěn)固了客戶關(guān)系。經(jīng)過這些較大的市場變動，如今節(jié)能產(chǎn)品、智能手機以及平板電腦市場進入了成長期。然而日本的消費電子市場低迷超過預(yù)期，尚無大幅度恢復(fù)跡象，羅姆因此感到海外和新領(lǐng)域市場越來越重要。
羅姆面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的產(chǎn)品展區(qū)
羅姆面向智能手機/平板電腦應(yīng)用的產(chǎn)品展區(qū)
羅姆LED照明解決方案
在中國半導(dǎo)體市場，以往多用歐美的芯片組，而近來越來越多使用中國本土獨立開發(fā)的芯片組進行整機研發(fā)、來自中國本土的新應(yīng)用層出不窮。羅姆很看重這些新的機遇，為了迅速并切實地滿足不斷壯大的中國市場需求，羅姆在中國也建立了與日本同樣的集開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的一條龍體制。其中，作為集團生產(chǎn)的中堅基地，設(shè)在天津和大連的兩家工廠面向全球供應(yīng)大量且高品質(zhì)的產(chǎn)品。并且，作為羅姆的特色，在中國也積極開展密切貼近客戶的銷售活動。為了向客戶提供周到的服務(wù)，以上海、深圳、大連、香港為首，設(shè)有22處銷售網(wǎng)點，并且逐漸擴大分銷網(wǎng)絡(luò)。另外，在上海和深圳設(shè)立設(shè)計中心和QA中心，進行符合中國市場的產(chǎn)品開發(fā)，提供FAE設(shè)計支持，滿足各種客戶需求。
同時，羅姆也在中國國內(nèi)加速產(chǎn)官學(xué)多方共同開發(fā)，于2006年與清華大學(xué)簽訂產(chǎn)學(xué)合作框架協(xié)議，圍繞電子元器件最尖端技術(shù)，積極推進產(chǎn)學(xué)合作。作為共同開發(fā)成果，開發(fā)出符合中國地面數(shù)字電視傳輸標(biāo)準(zhǔn)的小型低功耗解調(diào)IC，進行順應(yīng)中國市場的產(chǎn)品開發(fā)。
對于未來的市場格局和挑戰(zhàn)，羅姆認為，半導(dǎo)體廠商將更需要速度和靈活性。羅姆以"MORE THAN MOORE"（超摩爾定律）為關(guān)鍵詞，不依賴于微細化，而是通過融入新材料、MEMS、生物、光學(xué)技術(shù)等跨領(lǐng)域技術(shù)和創(chuàng)意，憑借材料革新在元器件基礎(chǔ)上創(chuàng)造出新性能，通過融合不同領(lǐng)域技術(shù)實現(xiàn)高度復(fù)合元器件。此外，通過一系列的收購，羅姆已具備模擬IC、傳感器、功率元器件的優(yōu)勢，加之旗下集團公司LAPIS Semiconductor的系統(tǒng)控制技術(shù)，可以豐富的技術(shù)滿足客戶需求，并基于這些產(chǎn)品線為客戶提供更多綜合解決方案。
匯集了作為綜合性半導(dǎo)體廠家獨有的技術(shù)和專業(yè)技能
