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MIS封裝起飛在即

2018/05/15
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MIS 在模擬、功率 IC 和數(shù)字貨幣等領(lǐng)域作為一種新型封裝方式而出現(xiàn)。
 
基于一種新興技術(shù) MIS 的 IC 封裝正在積蓄動(dòng)力。
 
日月光(ASE)、嘉盛(Carsem)、長(zhǎng)電科技(JCET)/ 星科金朋(STATS ChipTAC)、宇芯(Unisem)等都在開(kāi)發(fā)基于 MIS 基板的 IC 封裝技術(shù),目前在模擬、功率 IC、及數(shù)字貨幣等市場(chǎng)領(lǐng)域迅速發(fā)展。
 
MIS 封裝采用特有的基板材料,開(kāi)始主要用在一些特定的 IC 封裝上。MIS 基板目前有多家的供應(yīng)商在進(jìn)行開(kāi)發(fā)及銷售,因此封裝廠可以從多家廠商采購(gòu),然后進(jìn)行 IC 封裝。有人認(rèn)為 MIS 基板是一種引線框。
 
MIS 與傳統(tǒng)的基板不同,包含一層或多層預(yù)包封結(jié)構(gòu)。每一層都通過(guò)電鍍銅來(lái)進(jìn)行互連,以提供在封裝過(guò)程中的電性連接。MIS 支持單芯片或多芯片封裝,為超薄、高密度細(xì)節(jié)距封裝提供方案。它可以被用于開(kāi)發(fā)先進(jìn)的引線框封裝、倒裝芯片封裝、模組封裝及系統(tǒng)級(jí)封裝。
 
圖 1:預(yù)包封的 MIS 引線框架
來(lái)源:宇芯 Unisem 
 
圖 2:基于 MIS 的 IC 封裝
來(lái)源:Prismark,QDOS
 
表面上,MIS 類似于扇出型(Fan-Out)晶圓級(jí)封裝。它們之間最大的區(qū)別是,MIS 在 I/O 和密度方面稍加遜色。因此,在實(shí)際封裝使用中,MIS 主要跟目前一些已經(jīng)比較成熟的中端封裝進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。
 
MIS 已經(jīng)存在了近十年,但市場(chǎng)剛剛開(kāi)始起來(lái)。“(MIS)由于其先進(jìn)的布線能力和可靠性,在高、低功率應(yīng)用上都很適用,” 日月光工程技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān) Mark Gerber 說(shuō)。
 
此外,MIS 還為客戶提供了一種新的封裝選擇,以及現(xiàn)有封裝的一種潛在的替代方案。“出貨量在這幾年不斷上升,”Nokibul Islam 說(shuō)。“可以用 MIS 來(lái)替代一些傳統(tǒng)的如 QFN 封裝或基于引線框的封裝,因?yàn)?MIS 具有更細(xì)的布線能力,更優(yōu)的電和熱性能,和更小的外形。”
 
還有, MIS 封裝被鎖定用于數(shù)字貨幣芯片的封裝,進(jìn)入了數(shù)字貨幣服務(wù)器市場(chǎng)。這個(gè)市場(chǎng)的量是非常巨大的。當(dāng)然也有一些人開(kāi)始考慮數(shù)字貨幣市場(chǎng)是否或者說(shuō)何時(shí)可能結(jié)束。
 
什么是 MIS?
MIS 是在 2010 年左右開(kāi)發(fā)的,長(zhǎng)電科技是最早期的開(kāi)發(fā)者之一,然后將這項(xiàng)技術(shù)授權(quán)給其兄弟公司芯智聯(lián)(MISpak)。
 
MISpak 開(kāi)發(fā)和銷售 MIS 材料給封裝廠(OSAT),其他 MIS 基板供應(yīng)商還包括 ASM、PPT、QDOS 和 SIMMTECH。
 
因此,封裝廠購(gòu)買 MIS 基板有更多的選擇。然后,在封裝過(guò)程中,把芯片放在 MIS 基板上進(jìn)行封裝,最后形成 MIS 封裝。
 
圖 3:矽品的倒裝 MIS BGA 封裝(FC-MISBGA)
來(lái)源:TechSearch International,矽品精密 SPIL
 
隨著時(shí)間的推移, MIS 業(yè)務(wù)規(guī)模開(kāi)始迅速成長(zhǎng)。2017 年,僅芯智聯(lián)(MISpak)一家就預(yù)計(jì)出貨 25 億顆,而在 2010 年,其出貨量?jī)H 2000 萬(wàn)顆。在 MIS 封裝領(lǐng)域,芯智聯(lián)(MISpak)宣稱其大約有 30 多家終端顧客。當(dāng)然這中間還沒(méi)包括其他 MIS 供應(yīng)商的出貨量。
 
圖 4:芯智聯(lián) MIS 基板出貨量
來(lái)源:芯智聯(lián) MISpak
 
MIS 與傳統(tǒng) IC 封裝基板不同。傳統(tǒng)封裝采用的是有機(jī)基板,這是基于 PCB 類材料的多層基板技術(shù)。在封裝中,芯片置于基板之上。
 
“MIS 技術(shù)的特點(diǎn)是,它是從包封技術(shù)引申發(fā)展出來(lái)的。在 MIS 基板中,銅布線是嵌入式的。因此,這種嵌入式結(jié)構(gòu)就可以做到更細(xì)的布線,” Nokibul Islam 說(shuō)。
 
MIS 還具有其他的一些特性。“它使用包封料作為各層之間的絕緣材料,” Mark Gerber 說(shuō)。“當(dāng)你使用該類型的引線框,并在此上進(jìn)行封裝,那么封裝的包封料與引線框的材料特性就是相似的。因此,從吸潮性或功能的角度來(lái)看就非常好。”
 
目前制作 MIS 基板的方法有多種。MIS 最早是以尺寸 250mmX70mm 的長(zhǎng)條形出現(xiàn) 。MIS 制作需要經(jīng)過(guò)一系列的工藝步驟,如蝕刻、研磨、光刻、包封和電鍍。
 
比如,單層 MIS 工藝流程,往往從載板開(kāi)始。“在金屬載板上,通過(guò)電鍍銅來(lái)制作基板的布線,”Nokibul Islam 解釋道。“所以在完成電鍍銅后,下一步就是去除光阻膜工藝。”
 
在去膜后。“就開(kāi)始進(jìn)行包封。然后研磨包封料進(jìn)行減薄,達(dá)到所要求的厚度。最后蝕刻載板,”Nokibul Islam 說(shuō)。
 
圖 5:MIS 基板制造工藝流程
來(lái)源:長(zhǎng)電科技 JCET
 
對(duì)于 MIS 封裝,該技術(shù)最有優(yōu)勢(shì)的是薄型、I / O 在 150?200 之間的封裝。但該技術(shù)受限于 25μm 左右的線寬線距,這意味著它主要面向中端應(yīng)用。線寬線距是指封裝中的金屬布線。

 

對(duì)比來(lái)看,主要用于高端應(yīng)用的扇出型封裝(Fan-Out),其標(biāo)準(zhǔn)密度是: I / O 小于 500 的封裝,其線寬線距在 8μm 以上;而高密度扇出型封裝,其 I / O 大于 500,線寬線距小于 8μm。
 
同時(shí),MIS 材料本身相對(duì)較薄。該類基板在封裝過(guò)程中容易出現(xiàn)翹曲及均勻性問(wèn)題。產(chǎn)量和成本問(wèn)題則另論。
 
“不同的應(yīng)用需求在設(shè)計(jì)靈活性和封裝厚度方面需要特殊的封裝材料,” ASM 材料業(yè)務(wù)部市場(chǎng)副總裁 Ho Kwok Kuen 說(shuō)。“相比引線框架,ABiT-MIS 有能力可以生產(chǎn)出要求高、線路復(fù)雜的預(yù)包封基板。但是,為了達(dá)到設(shè)計(jì)的解析度需要更多的工藝步驟,因此為了達(dá)到最終產(chǎn)品的良率目標(biāo),我們需要高度關(guān)注在每一個(gè)工藝過(guò)程中如何實(shí)現(xiàn)更高的良率。”
 
除了設(shè)備,ASM 也提供引線框架和 MIS 封裝材料。這里是指 ASM 加層互連技術(shù)(ABiT,ASM Buildup Interconnect Technology )。
 
盡管面臨種種挑戰(zhàn),但是 MIS 市場(chǎng)還是迅速成長(zhǎng)。“在過(guò)去的兩年里,我們已經(jīng)看到了許多客戶希望使用 MIS 封裝來(lái)滿足數(shù)字貨幣挖礦應(yīng)用的需求。”Ho 說(shuō),“MIS 不僅在通訊領(lǐng)域射頻封裝的市場(chǎng)份額不斷增加,其實(shí)在電源管理和汽車應(yīng)用方面的需求也在不斷增加。”
 
同時(shí)在市場(chǎng)上, MIS 也是面臨著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。這里指“Fan-Out”技術(shù),盡管 MIS 并不會(huì)與 Fan-Out 技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。其實(shí) MIS 主要是與引線框封裝和 LGA 封裝進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。“MIS 的應(yīng)用領(lǐng)域主要是介于標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝和簡(jiǎn)單的雙層基板兩者之間的封裝。”宇芯北美區(qū)副總裁 Gil Chiu 說(shuō)。
 
引線框封裝包括若干封裝類型,諸如四面扁平無(wú)引線(QFN)和四面扁平封裝(QFP)。引線框是金屬框架,芯片粘貼在框架上,使用細(xì)導(dǎo)線進(jìn)行連接。
 
圖 6:QFN 封裝
來(lái)源:維基百科
 
QFN 是成熟、價(jià)格低廉且可靠的封裝方式,因此在模擬、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、RF 等市場(chǎng)方面,QFN 的需求巨大。通常來(lái)講,雖然 QFN 是一個(gè) I / O 能力有限的單層技術(shù),但是“如果你可以用 QFN 實(shí)現(xiàn),你顯然會(huì)這么做,因?yàn)?QFN 的成本比 MIS 更低,”Chiu 說(shuō)。“但是當(dāng)你使用 QFN 時(shí),你要接受間距的限制。”
 
MIS 還與 LGA 封裝技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。LGA 在封裝底部有用于連接的金屬焊盤陣列。LGA 適用于模塊、處理器等產(chǎn)品。
 
封裝結(jié)構(gòu)
來(lái)源:美信集成 Maxim
 
MIS 相比 LGA 更便宜,但功能更少。然而,宇芯公司認(rèn)為 LGA 有時(shí)會(huì)受高昂的材料成本、連接孔(Via)成型成本等影響。
 
因此,QFN 和 LGA 都有一些缺點(diǎn),這里就是 MIS 的用武之地。例如,IC 設(shè)計(jì)公司可能會(huì)在給定的工藝節(jié)點(diǎn)有現(xiàn)成的芯片設(shè)計(jì),且芯片封裝采用 QFN 封裝。在這個(gè)假設(shè)的例子中,供應(yīng)商會(huì)面臨一些挑戰(zhàn)。“客戶基本上會(huì)說(shuō),我有一個(gè)現(xiàn)成的方案,我不想改變我的芯片,我不希望縮小我的芯片,但我想縮小我的封裝,我希望得到一個(gè)更薄、更小尺寸的封裝,”Chiu 說(shuō)。
 
一種有效的解決方案就是從 QFN 封裝轉(zhuǎn)向 MIS 封裝。通常,你可以采用與引線框封裝相同的芯片,用在 MIS 上進(jìn)行封裝。MIS 封裝可以做到跟 QFN 封裝類似,但 MIS 可以有更多的 I / O 和更好的性能。
 
采用 MIS 封裝,基本上可以和其他封裝類型一樣,例如:倒裝芯片、模塊和 SiP。“MIS 技術(shù)是不同的。它本質(zhì)上是一種積層工藝。它可以讓你實(shí)現(xiàn)更密的金屬布線。因此,您可以縮小封裝,而同時(shí)保持相同的芯片尺寸,”Chiu 說(shuō)。“使用 MIS,客戶不必花費(fèi)時(shí)間或資源來(lái)重新設(shè)計(jì)一個(gè)更小的芯片以及不必縮小芯片的外形。采用 MIS,你可以讓產(chǎn)品獲得額外的。它可以讓你保持與現(xiàn)成方案的匹配。所以,MIS 在相同的成本下可以為您提供更小的封裝。”
 
“搭上”或“錯(cuò)過(guò)”?
一段時(shí)間以來(lái),一些 OSAT 廠已經(jīng)不斷出貨 MIS 封裝。但是每個(gè)供應(yīng)商都有不同的戰(zhàn)略。
 
長(zhǎng)電科技 / 星科金朋已經(jīng)出貨了各類基于 MIS 技術(shù)的 Chip-on-lead、FC、模組及 SiP 封裝產(chǎn)品。“MIS 具有其特定的優(yōu)勢(shì)。最優(yōu)的是低 I / O 數(shù)的高功率、高散熱的應(yīng)用。” 長(zhǎng)電科技的 Islam 說(shuō)。
 
到目前為止,業(yè)內(nèi)主要出貨的是線寬線距在 25/25μm 的單層 MIS 封裝。“對(duì)于未來(lái)的市場(chǎng),我們目前正在做更高的解析度,這意味著更細(xì)的線寬線距,以及更輕薄的外形,”Islam 說(shuō)。“兩年以后,它可以做到 15/15μm 的線寬線距。”
 
此外,長(zhǎng)電科技 / 星科金朋以及其他廠商都在全力致力于基于 Ajinomoto 的 ABF(Ajinomoto Build-up Film)膜技術(shù)的更先進(jìn)的工藝。使用激光成型和直接電鍍銅,ABF 可以使 MIS 做到線寬線距達(dá) 12/12μm 的多層基板,這樣可以實(shí)現(xiàn)二層、三層及四層的多層封裝。 
 
圖 8:Ajinomoto 的 ABF 膜
來(lái)源:Ajinomoto
 
“使用 ABF 膜,MIS 的工藝流程基本完全是一樣的。我們只是使用更厚的 ABF 膜來(lái)替代包封料,我們可以提供這種類型的多層 MIS 基板,”他說(shuō)。“在今年年底左右我們就會(huì)開(kāi)始使用基于 ABF 膜的兩層或三層 MIS 基板。”
 
日月光的 MIS 封裝也正在成長(zhǎng)中。日月光的 MIS 技術(shù)被稱為 C2IM / MIS。“MIS 可以讓你做到型同 QFN 封裝而同時(shí)具備精細(xì)節(jié)距布線能力的封裝,” 日月光的 Gerber 說(shuō)。“(有些客戶)非常堅(jiān)持使用 QFN 封裝,但是有布線能力的限制。當(dāng)你可以進(jìn)行 20/20μm 或 30/30μm 的布線,這就一下子為他們提供了一層布線金屬層的解決方案。”
 
除了 C2IM / MIS,日月光還提供另一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)性的技術(shù)叫“ChipLast 扇出封裝”,這不同于現(xiàn)行的扇出型封裝。“它本質(zhì)上是一個(gè)芯片后置的工藝,這就意味著它是一個(gè)倒裝芯片工藝,”Gerber 說(shuō)。“ChipLast 扇出封裝是一個(gè)根據(jù)布線密度使用兩種不同絕緣材料,而只有一層金屬布線的無(wú)芯基板工藝方案”。
 
此外,相對(duì)于 MIS 基板,日月光還有另一個(gè)選擇方案叫做 aS3 +。“aS3 +是一個(gè)嵌入式線路(ET)的無(wú)芯有機(jī)基板,這個(gè)技術(shù)也可以提供與 C2IM / MIS 類似優(yōu)勢(shì)的方案。此外,aS3 + / ET 基板可以做到三層或更多層布線,而在這方面 C2IM / MIS 相對(duì)比較欠缺,”他說(shuō)。“aS3 + / ET 可以使用傳統(tǒng)絕緣材料或 ABF 絕緣材料。同時(shí)由于不需要芯板材料以及其制造工藝流程和它內(nèi)在的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),它可以帶來(lái)有利于更高速度連接的層間超低電感,同時(shí)不失成本競(jìng)爭(zhēng)力及可靠性 ”。
 
對(duì)宇芯來(lái)講,他們看到的是 MIS 封裝的三個(gè)應(yīng)用。這些封裝都可以做到整體厚度達(dá)到 0.33 毫米或更低。
 
第一種應(yīng)用是該公司所謂的空腔,芯片封裝在這個(gè)封裝體的空腔里。“我們正在利用 MIS 實(shí)現(xiàn)介于基板封裝與 QFN 封裝之間的細(xì)間距芯片倒裝封裝,在這方面可以一展身手,”宇芯的 Chiu 如是說(shuō)。“我們同樣還在考慮使用 MIS 進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)封裝,這對(duì)于 LGA 標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝來(lái)說(shuō),是一個(gè)成本更低的方案。”
 
對(duì)于 MIS 來(lái)說(shuō),最大的市場(chǎng)是電源 / 功率 IC。另一個(gè)驅(qū)動(dòng)因素是數(shù)字貨幣 IC 封裝。展望未來(lái),MIS 可能會(huì)超出這些市場(chǎng)。“好消息是,我們看到越來(lái)越多的常規(guī)產(chǎn)品也在考慮是否使用 MIS 封裝 .”Chiu 補(bǔ)充說(shuō)。
 

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