芯耀
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聯(lián)華電子為全球半導(dǎo)體晶圓專工業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高質(zhì)量的晶圓制造服務(wù)，專注于邏輯及特殊技術(shù)，為跨越電子行業(yè)的各項(xiàng)主要應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。聯(lián)電完整的制程技術(shù)及制造解決方案，包括邏輯 / 射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃存儲(chǔ)器、RFSOI/BCD，以及所有晶圓廠皆符合汽車(chē)業(yè)的?IATF-16949?制造認(rèn)證。
聯(lián)電現(xiàn)共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，制程技術(shù)范圍由?5?微米至?0.11?微米，提供客戶多樣應(yīng)用的選擇，并可提供客制化制程，以因應(yīng)快速演進(jìn)的市場(chǎng)，服務(wù)日益增加的半導(dǎo)體芯片需求。
聯(lián)電擁有 4 座營(yíng)運(yùn)中的先進(jìn) 12 英寸晶圓廠。位于臺(tái)南的 Fab 12A 于 2002 年進(jìn)入量產(chǎn)，目前已運(yùn)用先進(jìn) 14 及 28 納米制程為生產(chǎn)客戶產(chǎn)品，研發(fā)制造復(fù)合廠區(qū)由三個(gè)獨(dú)立的晶圓廠，P1＆2、P3＆4 以及 P5＆6 廠區(qū)組成，月產(chǎn)能目前超過(guò)?87000 片；位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū) Fab 12i 為聯(lián)電特殊技術(shù)中心，于 12 英寸特殊制程的生產(chǎn)制造上，提供客戶多樣化的應(yīng)用產(chǎn)品所需 IC，目前月產(chǎn)能達(dá) 50000 片；位于中國(guó)廈門(mén)的聯(lián)芯 FAB12X，已于 2016 年第 4 季度開(kāi)始量產(chǎn)，其總設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為?50000 片，目前月產(chǎn)能接近 20000 片；位于日本三重縣 USJC 月產(chǎn)能 33000 片，提供最小至 40 納米的邏輯和特殊技術(shù)。除了 12 英寸廠外，聯(lián)電還擁有的七座 8 英寸廠與一座 6 英寸廠，每月總產(chǎn)能超過(guò) 750000 片約當(dāng) 8 英寸晶圓。
開(kāi)疆拓土
1980 年 5 月 22 日，聯(lián)電（聯(lián)華電子；United Microelectronics Corporation；UMC）從中國(guó)臺(tái)灣工研院分拆成立，杜俊元出任第一任總經(jīng)理。作為中國(guó)臺(tái)灣首家民營(yíng)集成電路公司，成立之初的聯(lián)電主要生產(chǎn)電子表、計(jì)算器與電視用集成電路（IC）。聯(lián)電也是中國(guó)臺(tái)灣第一家提供晶圓專業(yè)代工服務(wù)的公司。
1982 年 4 月，聯(lián)電建成中國(guó)臺(tái)灣首條 4 英寸晶圓生產(chǎn)線（工廠代號(hào) UMC1）。
1982 年 11 月，聯(lián)電達(dá)損益平衡，
1982 年，聯(lián)電全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣 1.9 億，員工 380 人。
1983 年 6 月，聯(lián)電月銷(xiāo)售額首度突破新臺(tái)幣 1 億元。
1983 年，聯(lián)電全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增至 11 億，員工 610 人。
1984 年，聯(lián)電成立研發(fā)部門(mén)，自主進(jìn)行產(chǎn)品和工藝的研發(fā)，走上良性成長(zhǎng)階段。
1985 年 7 月 16 日，聯(lián)電股票在中國(guó)臺(tái)灣證券交易所公開(kāi)上市，代號(hào)：2303。
1989 年，聯(lián)電 6 英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)（工廠代號(hào) UMC2，現(xiàn) FAB 6）
1993 年 6 月 10 日，聯(lián)電分拆知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）和 NRE 部門(mén)成立智原科技（Faradry；1999 年 10 月 27 日上市，代號(hào)：3035）。
1994 年，聯(lián)電完成 0.5 微米制程研發(fā)。
艱難轉(zhuǎn)型
1995 年 7 月，聯(lián)電轉(zhuǎn)型為純晶圓代工（Foundry）公司。
1995 年 7 月，聯(lián)電和 Alliance、S3 合作成立聯(lián)誠(chéng)半導(dǎo)體（United Semiconductor Corp.，USC），是現(xiàn)在的 FAB 8B 廠。
1995 年 8 月，聯(lián)電與 Trident、ATi、ISSI 等七家公司合作成立聯(lián)瑞科技（United Integrated Circuits Corporation，UICC），是現(xiàn)在的 FAB 8D 廠。
1995 年 9 月，聯(lián)電和兩家 IC 設(shè)計(jì)公司合作成立聯(lián)嘉積體電路（United Silicon Incorporated Corp.，USIC），是現(xiàn)在的 FAB 8C 廠。
1995 年 9 月，聯(lián)電 8 英寸晶圓廠（原 UMC3，現(xiàn)在 FAB 8A）開(kāi)始生產(chǎn)。
1996 年 1 月，聯(lián)電 0.35 微米制程開(kāi)始生產(chǎn)（聯(lián)嘉二廠）。
1996 年 5 月 29 日，聯(lián)電將計(jì)算機(jī)事業(yè)部門(mén)分拆成立聯(lián)陽(yáng)半導(dǎo)體（ITE；2002 年 10 月 24 日上市，代號(hào)：3014）。聯(lián)陽(yáng)早期專注于臺(tái)式電腦（PC）及筆記型電腦（NB）控制芯片的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，后并購(gòu)聯(lián)盛半導(dǎo)體、繪展科技、晶瀚科技，使得公司擴(kuò)充了快閃存儲(chǔ)器控制芯片、數(shù)字電視接收控制芯片、多媒體控制芯片以及模擬芯片等新的產(chǎn)品線。
1996 年 8 月 16 日，聯(lián)電將通訊事業(yè)部門(mén)分拆成立聯(lián)杰?chē)?guó)際（DAVICOM Semiconductor；2007 年 8 月 6 日上市，代號(hào)：3094）。
1997 年 5 月 28 日，聯(lián)電將多媒體事業(yè)部門(mén)分拆成立聯(lián)發(fā)科技（MediaTek；2001 年 7 月 23 日上市，代號(hào)：2454），包括蔡明介在內(nèi)的 20 多人的初始團(tuán)隊(duì)從 CD-ROM 芯片開(kāi)始出發(fā)。
1997 年 5 月 28 日，聯(lián)電將消費(fèi)性部門(mén)分拆成立聯(lián)詠科技（Novatek；2001 年 4 月 24 日上市，代號(hào)：3034）。
1997 年 7 月，聯(lián)電將內(nèi)存事業(yè)部門(mén)分拆成立聯(lián)笙電子（AMIC）。
1997 年 10 月，聯(lián)電 0.25 微米制程開(kāi)始生產(chǎn)。
1998 年 4 月，聯(lián)電收購(gòu)合泰半導(dǎo)體（現(xiàn)盛群半導(dǎo)體，Holtek）的 8 英寸晶圓廠（現(xiàn) FAB 8E）。
1998 年 5 月，聯(lián)電 UMC5（現(xiàn) FAB 8F）動(dòng)工興建。
1998 年 12 月，聯(lián)電收購(gòu)新日鐵半導(dǎo)體（1999 年中文名稱更名為聯(lián)日半導(dǎo)體株式會(huì)社，2001 英文名稱更名為 UMC Japan），成為日本唯一少量多樣生產(chǎn)模式的晶圓代工廠。
1999 年 1 月，聯(lián)電單月?tīng)I(yíng)收首度超過(guò)新臺(tái)幣 20 億。
1999 年 3 月，聯(lián)電 0.18 微米制程開(kāi)始生產(chǎn)。
1999 年 11 月，聯(lián)電南科 12 英寸晶圓廠正式建廠。
世紀(jì)曙光
2000?年 1 月 3 日，聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉、合泰等合并成立聯(lián)電集團(tuán)；張崇德、溫清章就任總經(jīng)理。
2000 年 1 月，聯(lián)電集團(tuán)單月?tīng)I(yíng)收首度超過(guò)新臺(tái)幣 60 億。
2000?年 3 月 27 日，聯(lián)電宣布產(chǎn)出業(yè)界首批銅制程芯片，首個(gè)芯片是賽靈思（Xilinx）的 FPGA 產(chǎn)品。
2000?年 5 月 12 日，聯(lián)電宣布產(chǎn)出第一顆?0.13 微米制程芯片，產(chǎn)品是 2M SRAM。
2000?年 9 月 19 日，聯(lián)電在紐約證券交易所發(fā)行 9000 萬(wàn)單位存托憑證（代碼：UMC），成為第一家在紐交所上市的中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體公司。共募集 13 億美元，創(chuàng)下中國(guó)臺(tái)灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀(jì)錄。
2000 年 10 月 27 日，聯(lián)電 FAB 12A 廠舉行上梁典禮，預(yù)定 2001 年 Q3 投產(chǎn)。
2000 年 12 月 1 日，聯(lián)電和日立合資的 Trecenti 的 12 英寸晶圓廠成功產(chǎn)出全球第一批 12 英寸代工晶圓。首批產(chǎn)品是 0.18 微米制程的 4M 和 8M SRAM。
2000?年 12 月 15 日，聯(lián)電宣布投資 36 億美元和英飛凌于新加坡合資籌建 12 英寸晶圓制造廠（UMCi）。
2000 年，聯(lián)電全年?duì)I收首度超過(guò)新臺(tái)幣 1000 億。
2001 年 4 月 12 日，聯(lián)電旗下新加坡 12 英寸晶圓廠動(dòng)工。
2002 年 4 月 1 日，聯(lián)電宣布宣明智接替曹興誠(chéng)擔(dān)任首席執(zhí)行官。
2002 年 2 月，聯(lián)電退出和日立合資的 Trecenti。
2003 年 1 月，聯(lián)電新加坡 12 英寸晶圓廠進(jìn)行裝機(jī)。
2003 年 3 月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆 90 納米制程 IC。
2003 年 7 月 15 日，聯(lián)電宣布胡國(guó)強(qiáng)博士接替宣明智先生擔(dān)任首席執(zhí)行官。
2004 年 3 月，聯(lián)電旗下新加坡 12 英寸晶圓廠邁入量產(chǎn)階段。
2004 年 5 月，聯(lián)電 90 納米制程完全通過(guò)驗(yàn)證并邁入量產(chǎn)。
2004 年 6 月，聯(lián)電單月?tīng)I(yíng)收首度超過(guò)新臺(tái)幣 100 億。
2004 年 7 月，聯(lián)電并購(gòu)硅統(tǒng)半導(dǎo)體的 8 英寸晶圓制造廠，是現(xiàn)在的 FAB 8S 廠。
2004 年 12 月，聯(lián)電正式收購(gòu)旗下子公司 UMCi，并改名為?Fab 12i。
2005 年 6 月，聯(lián)電產(chǎn)出業(yè)界第一顆?65 納米芯片。
2005 年 8 月，聯(lián)電 90 納米晶圓出貨量逾 10 萬(wàn)片。
2006 年 6 月，聯(lián)電成為全球第一家全公司所有廠區(qū)均完成 QC-080000 IECQ HSPM 認(rèn)證之半導(dǎo)體制造商。
2006 年 11 月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆 45 納米制程測(cè)試芯片。
2007 年 1 月，聯(lián)電擴(kuò)大位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的生產(chǎn)研發(fā)基地。
2007 年 5 月 22 日，聯(lián)電位于臺(tái)南的新研發(fā)大樓建成。
2007 年 8 月 17 日，聯(lián)電設(shè)立首設(shè) COO 陪伴，由孫世偉副總裁兼任。負(fù)責(zé) 12 英寸晶圓廠的營(yíng)運(yùn)。
2008 年 7 月 16 日，聯(lián)電宣布洪嘉聰為新任董事長(zhǎng)，任命孫世偉為執(zhí)行長(zhǎng)。
2008 年 10 月，聯(lián)電產(chǎn)出晶圓代工業(yè)界第一個(gè) 28 納米制程 SRAM 芯片。
2009 年 4 月，聯(lián)電產(chǎn)出 40 納米芯片。
2009 年 12 月，聯(lián)電正式收購(gòu)日本子公司 UMCJ。
2010 年 12 月，聯(lián)電南科 12A 廠第三期進(jìn)入量產(chǎn)。
2011 年 10 月，聯(lián)電 28 納米制程進(jìn)入試產(chǎn)。
2012 年 5 月 24 日，聯(lián)電南科 12A 廠第五第六期廠房動(dòng)土典禮。
2012 年 11 月，聯(lián)電宣布顏博文接替孫世偉擔(dān)任首席執(zhí)行長(zhǎng)。
2013 年 3 月，聯(lián)電完成收購(gòu)和艦科技，是現(xiàn)在的 FAB 8N 廠。
2013 年 5 月，聯(lián)電打造 Fab12i 廠為特殊技術(shù)中心（Specialty Technology Center of Excellence）。
2014 年 8 月，聯(lián)電入股富士通旗下新晶圓代工子公司三重富士通半導(dǎo)體。
2014 年 10 月 9 日，聯(lián)電與廈門(mén)市政府及福建省電子信息集團(tuán)成立合資公司聯(lián)芯集成，運(yùn)營(yíng) 12 英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)達(dá) 62 億美元，設(shè)計(jì)規(guī)劃最大月產(chǎn)能為 12 英寸晶圓 5 萬(wàn)片。
2015 年 3 月 26 日，聯(lián)電旗下廈門(mén)聯(lián)芯集成 12 英寸生產(chǎn)廠房動(dòng)土典禮。
2016 年 11 月 16 日，聯(lián)電旗下廈門(mén)聯(lián)芯集成 FAB?12X 廠進(jìn)入量產(chǎn)。
2017 年 2 月 23 日，聯(lián)電 14 納米工藝進(jìn)入量產(chǎn)。
2017 年 5 月 22 日，聯(lián)電旗下廈門(mén)聯(lián)芯 28 納米正式量產(chǎn)出貨。
2017 年 6 月 14 日，顏博文辭任首席執(zhí)行長(zhǎng)職位，由王石、簡(jiǎn)山杰擔(dān)任共同總經(jīng)理，王石主外掌管市場(chǎng)，簡(jiǎn)山杰對(duì)內(nèi)掌控技術(shù)、研發(fā)。
2018 年 6 月，聯(lián)電董事會(huì)通過(guò)購(gòu)買(mǎi)與富士通合資公司的全部股權(quán)。
2018 年 7 月，聯(lián)電單月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)歷史最高，營(yíng)收高達(dá)新臺(tái)幣 143 億。
2019 年 7 月 21 日，聯(lián)電撤銷(xiāo)子公司和艦芯片原訂赴中國(guó)大陸科創(chuàng)板上市計(jì)劃。
2019 年 10 月，聯(lián)電完成收購(gòu)富士通旗下三重富士通半導(dǎo)體，成為 100%完全獨(dú)資的子公司，更名為 United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。
2020 年 7 月，聯(lián)電 7 月?tīng)I(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，營(yíng)收高達(dá)新臺(tái)幣 154.95 億元。?
