芯耀
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CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，東京電子（Tokyo Electron Ltd.，以下簡稱為TEL）于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備，名為“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）曾在業(yè)界獲得了最大交貨量，而此款“Tactras-UDEMAE”設(shè)備系統(tǒng)將等離子體反應(yīng)器的應(yīng)用范圍兼容至300mm，并將其安裝在 Tactras 平臺上。Tactras是一個高度可靠且高效的平臺，已在 300 mm晶圓工藝中得到驗證。
用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備一一Tactras-UDEMAE（圖片出自：電波新聞）
該系統(tǒng)將現(xiàn)有的200mm晶圓中積累的工藝庫（Process Library）靈活運用于300mm晶圓工藝，還配置了可以防止晶圓斜面（Wafer Bevel）區(qū)域產(chǎn)生顆粒異物的新功能，這是制造分立功率器件（Discrete Power Device）的關(guān)鍵能力。通過有效平衡晶圓溫度、反應(yīng)器（Reactor）內(nèi)的壓力、氣體流量、RF（高頻射頻電源）等各種條件，成功在300mm晶圓上獲得了均勻蝕刻效果。
TEL執(zhí)行董事兼FS BUGM中原哲也表示：“基于車載半導(dǎo)體等通用型半導(dǎo)體的需求增加這一背景，意味著對半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的需求也在增長，尤其是對功率器件和其他分立器件。其中，蝕刻技術(shù)在功率器件和其他分立器件的制造過程中變得比以往任何時候都重要。擁有豐富交貨實績的Tactras平臺擁有龐大的安裝基礎(chǔ)，在晶圓傳輸速度和占地面積（Foot Print）方面都達(dá)到了全球最高水準(zhǔn)，通過將該平臺與新開發(fā)的用于 300 mm功率器件的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）相結(jié)合，TEL成功提供了一種技術(shù)解決方案，可顯著提高生產(chǎn)效率”。
