PMOS NBTI效應(yīng),從失效原理到主流工藝改善!
近年來,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展,集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步,越來越多的先進(jìn)技術(shù)運(yùn)用到集成電路制造工藝中,促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小,尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,器件可靠性問題日趨嚴(yán)重,對器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(Negative bias temperature instability, NBTI)尤為突出,嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命,已成為器件微縮時(shí)比較棘手的問題之一。