隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunnel Field-Effect Transistor, TFET）是一種新型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在未來(lái)電子器件中具有潛在的重要應(yīng)用價(jià)值。

1.隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）是一種基于量子力學(xué)隧穿效應(yīng)工作的開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件。和傳統(tǒng)的MOSFET相比，TFET可以實(shí)現(xiàn)更高效的電流控制，并且可顯著減少功耗，提高集成度。

2.隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理

TFET的主要部件包括源極、漏極和柵極。與MOSFET不同的是，TFET的柵極不是用于改變電荷分布，而是用于控制源-漏之間的載流子注入。當(dāng)柵電壓變化時(shí)，會(huì)調(diào)節(jié)源-漏之間pn結(jié)區(qū)域的耗盡層寬度，從而影響載流子的隧穿穿透率和注入濃度。通過(guò)這種方式，TFET可以實(shí)現(xiàn)電流的高效控制。