利用 MOS管設計一種基于H橋的電機驅(qū)動電路的改進方案分享

在飛思卡爾比賽中電機驅(qū)動肯定必不可少，在對比了大多數(shù)用集成的MOS驅(qū)動半橋設計中，根據(jù)芯片手冊和芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)做出的驅(qū)動不管是仿真還是實物都不盡人意，歸根結(jié)底是高側(cè)MOS的重載沒有得到很好的解決，所謂的重載問題就是高側(cè)MOS導通時壓降很小，源極接近于VDD，而MOS要導通Vgs需要大于開啟電壓，這就導致了高側(cè)MOS沒有完全導通，還處于高阻區(qū)，電壓大部分降在MOS上了。

一般的做法是利用自舉電路將電壓抬高，自舉電路是直流與方波通過二極管和電容的耦合。個人感覺不好使，通過幾次的改進，用三極管將隔離升壓芯片的電壓以上拉的形式導通MOS，因為導通MOS的柵極基本不需要電流，所以升壓芯片沒有太大的負擔，NPN與PNP的配合使用，邏輯上也得到了很好的解決，即輸入的控制信號邏輯同時期為1或0時4個MOS都不導通，避免同側(cè)MOS將電源短路。這個電路已經(jīng)同過理論、實踐和模電老師的法眼（本人大二，大一時已自學模電），但是還是決定用7971，原因有的悲催。。。。。

將原理圖和PCB共享，希望用得上的可以拿去用?；蛘吒倪M。或者學習?；蛘咧更c一二。高手大伽肯定看不上。

出自北方民族大學