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負(fù)載VSWR如何影響非線(xiàn)性電路應(yīng)用說(shuō)明手冊(cè)

2023/04/25
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負(fù)載VSWR如何影響非線(xiàn)性電路應(yīng)用說(shuō)明手冊(cè)

引言

考慮以下場(chǎng)景:您正在設(shè)計(jì)寬帶C類(lèi)功率放大器并將其投入生產(chǎn)。在你的設(shè)計(jì)階段,你要遵循所有的科學(xué)規(guī)則,還要深入研究你的電子技巧,以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)規(guī)范。你的設(shè)計(jì)在實(shí)驗(yàn)室里制造并測(cè)試成功。實(shí)驗(yàn)室里又建造了25個(gè)單元,它們的測(cè)試結(jié)果也很好。

確信設(shè)計(jì)和生產(chǎn)程序都令人滿(mǎn)意,您就可以開(kāi)始批量生產(chǎn)了。但當(dāng)?shù)谝慌鷨卧_(dá)到RFtest時(shí),就不符合規(guī)范。當(dāng)你取回這些單元時(shí),它們?cè)趯?shí)驗(yàn)室測(cè)試正常。這些放大器出了什么問(wèn)題?可能什么都沒(méi)有。這種情況,以一種或另一種形式,在非線(xiàn)性RF電路的設(shè)計(jì)和制造中非常常見(jiàn)。罪魁禍?zhǔn)资菧y(cè)試系統(tǒng)的相關(guān)性。0.5 dB的差值足以使非常好的單元失效,導(dǎo)致不必要且昂貴的重新測(cè)試甚至返工。更糟糕的是,一個(gè)半dB的錯(cuò)誤將通過(guò)不符合規(guī)格且永遠(yuǎn)不應(yīng)該發(fā)貨的單元。

這種相關(guān)性誤差將破壞更重要的功能,即保持產(chǎn)品連續(xù)性。1982年制造的設(shè)備應(yīng)與1976年制造的相同型號(hào)設(shè)備性能相同。另一種說(shuō)法是,在1982年的測(cè)試系統(tǒng)中測(cè)試的設(shè)備在1976年的系統(tǒng)中測(cè)試時(shí)應(yīng)該產(chǎn)生相同的結(jié)果。當(dāng)然,關(guān)鍵是射頻相關(guān)性。

什么是射頻相關(guān)性?簡(jiǎn)單地說(shuō),當(dāng)在兩個(gè)或多個(gè)測(cè)試站之間建立并連續(xù)遵守目標(biāo)誤差極限時(shí),就會(huì)發(fā)生RF相關(guān)性。這種相關(guān)性對(duì)于非線(xiàn)性RF和微波功率放大器的成本效應(yīng)生產(chǎn)至關(guān)重要,無(wú)論是在測(cè)試系統(tǒng)還是設(shè)備環(huán)境中,這些放大器的電路對(duì)其負(fù)載的阻抗都非常敏感。補(bǔ)償衰減器中的插入損耗誤差很容易,但補(bǔ)償衰減器焊盤(pán)之間的輸入阻抗差(即負(fù)載VSWR)的變化要困難得多。
讓我們從經(jīng)驗(yàn)和理論兩個(gè)層面來(lái)研究射頻相關(guān)性。

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恩智浦

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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