光刻

• 光刻工藝中為什么正膠比負(fù)膠使用較多？

  在現(xiàn)代集成電路制造中，正光刻膠（Positive Photoresist）是絕對(duì)的主流選擇，尤其在先進(jìn)制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，絕大多數(shù)關(guān)鍵層都使用正光刻膠。

  老虎說(shuō)芯

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  03/24 10:50

  光刻

  
• 對(duì)話北京理工大學(xué)特聘教授李艷秋：歐、美、日光刻技術(shù)研發(fā)均由政企研學(xué)聯(lián)合促進(jìn)

  芯片生產(chǎn)主要包括沉積、光刻、蝕刻等步驟，其中光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中最關(guān)鍵一環(huán)，主要負(fù)責(zé)把芯片設(shè)計(jì)圖案通過光學(xué)顯影技術(shù)轉(zhuǎn)移到芯片表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體晶片表面上制造微小結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)生產(chǎn)具備高技術(shù)門檻，需要高度精度設(shè)備和嚴(yán)格的控制流程，以達(dá)到所需的制造精度。而先進(jìn)的芯片制程工藝需要先進(jìn)的、高分辨率的光刻機(jī)，因此光刻機(jī)直接影響芯片的工藝制程與性能。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  2024/11/06

  AI 光刻

  
• 攻克關(guān)鍵技術(shù) 東方晶源ILT技術(shù)劍指先進(jìn)制程

  計(jì)算光刻作為現(xiàn)代芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心技術(shù)之一，其發(fā)展經(jīng)歷了從規(guī)則導(dǎo)向到模型驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變。然而，隨著制程邁向7nm乃至5nm節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)方法因規(guī)則局限、優(yōu)化自由度不足等制約，難以滿足復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)的高要求。在此背景下，反向光刻技術(shù)（ILT）以其獨(dú)特的優(yōu)化思路應(yīng)運(yùn)而生。 ILT即從目標(biāo)芯片圖案出發(fā)，逆向推導(dǎo)獲得最優(yōu)化掩模圖案，極大地提升優(yōu)化的靈活性和精準(zhǔn)度，更能滿足先進(jìn)制程對(duì)圖形精度的苛刻需求。因此，在探

  與非網(wǎng)編輯

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  2024/09/23

  人工智能 芯片

  
• 光刻

  光刻是一種關(guān)鍵的微制造技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、集成電路制造、光學(xué)元件制備等領(lǐng)域。通過利用光照、顯影和蝕刻等步驟，在光敏性材料上形成復(fù)雜的圖案和結(jié)構(gòu)。

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  2024/10/28

  光刻

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