內(nèi)存芯片

• 芯片制造轉(zhuǎn)移，價格大變

  7月，處在2024年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期，因?yàn)樾袠I(yè)正在從2023年的低谷期向上走，根據(jù)各大市場研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計和預(yù)測，2024上半年依然處于恢復(fù)期，下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的6、7月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演，芯片價格也隨之變化。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2936

  2024/07/27

  晶圓代工 芯片制造

  
• HBM4技術(shù)競賽，進(jìn)入白熱化

  HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  3729

  2024/06/11

  HBM 內(nèi)存芯片

  
• AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有什么區(qū)別

  高帶寬內(nèi)存（HBM）：由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織制定，專為高性能計算和圖形處理設(shè)計。主要特點(diǎn)是通過3D堆疊技術(shù)將多層DRAM芯片堆疊在一起，并使用硅通孔（TSV）進(jìn)行垂直互聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗。

  老虎說芯

  5249

  01/15 16:03

  HBM 內(nèi)存

正在努力加載...