半導體封測

• 氧化物濕法刻蝕原理

  氧化物濕法刻蝕是一種在半導體制造和微納加工領域中用于去除硅片上的氧化層（如二氧化硅SiO2）的關鍵技術。很顯然這個簡單的介紹不足以讓大家明白， 下面我們就完整仔細的來給大家講講這個相關原理吧！化學反應原理：氧化物濕法刻蝕主要利用化學溶液與二氧化硅之間的化學反應來實現(xiàn)刻蝕。最常用的刻蝕劑是氫氟酸（HF）或其水溶液，因為氫氟酸能夠與二氧化硅反應生成可溶于水的六氟硅酸（H2SiF6）。具體的化學反應方程

  蘇州芯矽電子科技有限公司

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  2024/12/31

  半導體 半導體封測

  
• 超14億！國內(nèi)3個SiC項目簽約/奠基/通線

  近日，國內(nèi)3個第三代半導體封測項目宣布簽約/奠基/通線：●?尊陽電子：第三代功率半導體集成電路封裝項目成功奠基，總投資近13億；●?安建半導體：功率半導體模塊封裝項目簽約落戶浙江，總投資1億元；●?芯長征：封測產(chǎn)線正式通線，涉及第三代半導體芯片及模組系列。

  行家說三代半

  1963

  2024/05/29

  SiC 第三代半導體

  

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