在半導(dǎo)體制造的不斷演進(jìn)中,先進(jìn)制程的發(fā)展一直是推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。當(dāng)制程工藝推進(jìn)到28納米及以下,HKMG(High-K Metal Gate,高介電常數(shù)金屬柵極)技術(shù)成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來(lái)看,隨著制程尺寸縮小,傳統(tǒng)材料和技術(shù)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在晶體管中,柵極作為控制電流的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其性能直接影響著芯片的整體表現(xiàn)。當(dāng)制程進(jìn)入28納米以下,若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵
XP Power的750W高壓電源系列可為半導(dǎo)體應(yīng)用提供所需的靈活性和精準(zhǔn)控制。在離子注入、電子束焊接和電子束增材制造以及許多其他應(yīng)用領(lǐng)域工作的電氣設(shè)計(jì)工程師和系統(tǒng)集成工程師會(huì)對(duì)這款產(chǎn)品特別感興趣。 新的FT系列解決了工程師在有限的高壓集成經(jīng)驗(yàn)和壓縮的項(xiàng)目時(shí)間表方面面臨的挑戰(zhàn)。這款新產(chǎn)品采用緊湊的19英寸機(jī)架式1U封裝,比市面上許多方案的高度降低了一半,可滿足對(duì)薄尺寸方案日益增長(zhǎng)的需求。 FT系列